硼对12Ni3CrMoV高强度钢焊接接头冷裂敏感性的影响

低碳调质高强度钢中添加硼对焊接冷裂敏感性的影响较少有人研究,并存在两种不同意见.本文对含硼量分别为0.005%,0.0014%,0.0028%,0.0035%的12Ni3CrMoV调质高强度钢焊接冷裂敏感性进行研究.试验结果表明:1.插销试验临界应力:含硼钢比无硼钢(含硼0.0005%)高;含硼钢中,临界应力按含硼量0.0014%,0.0028%,0.0035%的顺序递减.2.扫描电镜断口分析:无硼钢有沿晶断裂区、准介理断裂区和韧窝断裂区.含硼钢没有沿晶断裂区,只有准介理断裂区和韧窝断裂区.3.焊条未烘干时,无硼和含硼钢的插销临界应力都降低,无硼钢沿晶断裂区扩大,含硼钢仍无沿晶断裂区.4.硼在HAZ粗晶区中沿奥氏体晶界形成偏聚带,硼相主要沿奥氏体晶界呈不连续点状析出.含硼愈多,沿奥氏体晶界偏聚和硼相析出也愈多.5.C.D.Beachem提出的断口形貌发展过程示意图可以解释无硼钢断裂,不能完全解释含硼钢断裂过程.6.裂纹敏感性成分Pcm值表达式中,硼项系数为" 5"值得商榷.就本文钢材而言,硼项函数应为"负变数".本文对含硼钢延迟裂纹机理作了探讨.     

高分辨率谱估计算法MUSIC和Minimum-Norm及性能比较

本文从理论上详细叙述了高分辨率谱估计技术MUSIC和Minimum-Norm算法的机理,给出并比较了它们的空域谱平坦度、3dB谱宽度和谱峰值随信噪比的变化情况.文章对工程设计人员加深理解、选择算法具有一定的参考意义.     

Total systems intervention and human inquiry: The search for a common ground

Total Systems Intervention (TSI) is an approach to intervening in problem situations which has much to offer where complex interacting issues need to be addressed by the complementary use of intervention methodologies. That such an approach has much in common with Action Research (AR) has been recognized, with much recent effort being devoted to the relationship between AR and Critical Systems Thinking (CST), the theoretical endeavor underpinning TSI. This paper further develops this line of debate and relates AR or Human Inquiry (HI) more directly to TSI, using an information systems intervention to enhance the study. The outcome is a demonstration of how TSI implicitly uses techniques informed from the field of Action Research, and how a more thorough synthesis of HI with TSI might serve to improve the overall intervention process.     

亚纯函数与其导数的公共Julia方向

本文研究不指定级的亚纯函数与其导函数的公共Julia方向的存在性问题。     

ZrO_2纳米微粒红外振动特征

测定了单斜ＺｒＯ_２纳米材料在各种粒度下的付里叶变换红外光声光谱（ＦＴ—ＩＲ—ＰＡＳ），发现随粒度的减小，大部分的谱线位置蓝移，而有些谱线的位置红移，同时在不同频段，有的强度增强，有的强度减弱甚至消失。研究了量子尺寸效应和介电限城效应对其光学特征的影响，对观察到的物理现象进行了物理机制探讨     

炭黑／结晶性含氟树脂合金在自控温加热电缆中应用

选择了结晶性含氟树脂添加改性剂为树脂基体，与炭黑制居复合导电体系。通过这个对体系不同条件下ＰＴＣ特性的研究，对其配方与加工工艺进行优化。并利用扫描电镜，Ｘ射线衍射，ＤＳＣ等分析测试手段，对体系的各种开矿结构进行了研究，阐明了该导电复合体系的形态结构与性能的关系。     

氯在Cu(100)面上的吸附及其对氧共吸附的影响的电子能谱研究

利用UPS、XPS、AES、△φ和热脱附等方法,研究了室温、低分压下氯在Cu(100)面上的吸附行为以及它对氧共吸附的影响。氯解离化学吸附在铜表面上,其吸附过程包括初始快速吸附,然后缓慢增加至饱和两个步骤。吸附引起铜表面轻微氧化,但表面没有重排,即使升温氯原子也没有进一步向下扩散,热脱附的唯一产物是氯原子。室温下,氯的预吸附降低甚至完全阻止了氧的接续吸附;而预吸附氧至饱和也不会阻碍氯的接续吸附,氯的接续吸附促使氧原子进入体相和铜原子向表层扩散。     

c ++起长浮点类的设计及π 的精确计算

文中利用C 面向对象的编程技术，设计并实现了不受计算机位数和软件数据类型限制的，可以完成任意位数的浮点数存储，运算和输入输出的超长浮点类，并据此提出了基于级数的，对圆周率π和自然对数的底e精确到小数点后任意位的计算方法。     

单模相干态和压缩态光场的量子统计特性

该文总结了单模相干态和压缩态光场的量子统计特性,并通过Fano因子及二阶相干度g~(2)(0)的具体表达式,讨论了单模压缩态光场的反聚束效应(ABE)和光子数亚泊松分布(subP)。