N+离子注入Ti-4Al-2V合金的表面分析研究

作者采用3×1017/cm2和8×1017cm2两种注量对Ti-4Al-2V合金样品进行了N+离子注入,N离子能量75keV,在注入过程中样品温度控制在200℃以下.对注入前后的样品进行了X射线衍射(XRD)以及光电子能谱(XPS)分析.由XRD衍射谱表明,离子注入后有新相TiN和TiO2生成.由XPS宽程扫描谱表明,注入后样品表面主要为Ti,C,N和O.对Ti2p和N1s的XPS窄程扫描谱也证明,离子注入后致使合金近表面形成了TiN和TiO2.     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

三维光数据存储的分析与计算

三维多层光折射数字存储是一种新型的高密存储技术,对于克服目前的光存储系统的容量限制具有很大的潜力。文章用埃瓦得球结构分析了此种存储方法的横向与纵向带宽,从而在空域内计算了存储的密度。存储容量可以达到1Tb/cm3,用于光通信系统中是可行的;根据该存储系统在更深层聚焦时产生的球差,提出了一种全息校正装置。     

湍流大气中斜程相干长度的修正

基于大气传输模型,采用光线传输的实际轨迹对天顶角进行修正处理,得出天顶角随发射角和传输高度的变化复杂函数.并通过仿真分析得到,天顶角与发射角间的偏差随发射角的增大是先增加后减小,在π/4时偏差达到最大;随高度的增加而增大,但到达某一高度时将趋于饱和.相干长度的偏差趋势与天顶角偏差相似.修正后的相干长度总比传统相干长度偏小,因为修正后的天顶角比发射角大.图6,参7.     

浅论平行板电场对酒精灯火焰的影响

实验研究了各种极板距离以及电压下平板电场对酒精灯火焰的运动取向特性。结果表明,平板电场放电前,火焰中带电粒子受电场力作用,其偏移随电场增大而趋于明显;放电后,板间形成离子风,诱导周围气流流动,火焰被很大程度拉伸。实验结果为掌握电场对液体燃料扩散火焰的影响规律,用适当的电场来控制燃烧走向提供了有益的参考。     

太赫兹技术在通信方面的研究进展

随着超快激光技术的发展以及人们对THz波段及脉冲光源认识的进一步深入,太赫兹技术作为一种新的,快速发展的技术在许多领域备受关注.尤其在安全检测及反恐、医疗诊断及生物技术、物体成像、电子对抗及信息领域等的应用方面,太赫兹技术已经得到了广泛的应用.并显示出了它的广阔的应用前景.着重介绍了与微波技术和红外技术相比,太赫兹技术应用于通信方面的一些独特的优势,以及与通信相关的太赫兹技术的进展情况,还初步地探讨了太赫兹通信技术亟待解决的问题.     

Chladni图案的MATLAB模拟

波在二维介质中传播会形成很多对称的美丽图案,其中最为著名的是Chladni图案。小提琴、鼓等弦乐器和平面式乐器的工作原理都和这些图案的共振频率相关。文中通过求解波动方程并根据特定情形下的波节线方程,用MATLAB程序语言编程描绘出了二维介质中形成的驻波图案,同时模拟出了几个Chladni图案的实例,为理解驻波和相关乐器的工作原理提供参考和帮助。     

直流电机同步控制系统设计

采用AVR单片机作为系统的控制核心,用带有转速信号输出的直流电机作为受控电机,形成闭环控制,实时地对电机进行转速采集并计算偏差,用PID算法计算控制量,控制量用PWM的方法驱动从动电机,使从动电机实现同步控制.通过反复调试,证明该系统方案、电路和程序的设计是正确的,并整定了较好的控制参数.在没有轮系等机械传动装置的情况下,实现了两轴转速的高稳态精度同步控制.     

硅集成的高Q值､高谐振频率的射频变压器

提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器.考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点.基于TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证.结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%.该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本.     

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.