聚酯超细纤维染色性能和理论研究

研究了聚酯超细纤维的染色动力学和热力学,主要包括不同线密度纤维的上染速率、半染时间、扩散系数、平衡吸附量、亲和力、染色热和染色熵等参数。同时对超细纤维的显色性和提升性与普通纤维进行了比较。分析了超细纤维不同于普通纤维的原因。     

一类k步2k＋1阶刚性稳定的二阶导数方法

本文导出新的二阶导数线性多步法,这些方法适合于求解刚性方程组,方程的稳定域由根轨迹法给出,数值试验显示方法是行之有效的．     

解Stiff常微分方程的精确指数拟合法

提出解Ｓｔｉｆｆ方程的精确指数拟合法，一个数值方法称为精确指数拟合法，如果将它用于试验方程ｙ‘＝λｙ，Ｒｅ（λ）〈０所得到的数值解对一切λ都是精确的。显然，精确指数拟合法的要求比Ｌｉｎｉｇｅｒ和Ｗｉｌｌｏｕｇｈｂｙ提出的指数拟合法更强。此外，我们建立解Ｓｔｉｆｆ方程的Ｅ稳定概念：一个单步方法说成是Ｅ稳定的，如果将它们用于试验ｙ’＝λｙ，Ｒｅ（λ）Ｍ０时的数值解满足ｙｎ＋１／ｙｎ＝ｅλｈ，可见精确指     

Reconfigurable design of deblocking filter for variable block sizes

Based on the flexible quadtree partition structure of coding tree units ( CTUs) , the deblocking filter ( DBF) in high efficiency video coding ( HEVC) consumes ...     

直廓环面蜗杆传动的高次方修形原理

系统地建立了高次方修形直廓环面蜗杆传动的数学模型,用微分几何和啮合理论等理论推导了蜗杆副的曲率参数,啮合函数以及曲率干涉界线函数.证明了直廓环面蜗杆的齿面为不可展的直纹面,这与其蜗杆的齿面形成原理相吻合.利用最小二乘法拟合无量纲化的修形数据得到普适型高次方修形曲线,基于此曲线推导出工艺传动比的计算公式,得到高次方修形蜗杆传动.根据不同次修形曲线修形的数值算例分析表明,高次方修形可消除原始型直廓环面蜗杆齿面的常接触线,有效的增大了蜗杆副齿面的共轭区面积,修形后蜗杆全长可被利用,承载能力强.但高次方修形后的蜗杆副齿面存在曲率干涉界线,有可能导致蜗杆副发生根切.     

miR-29c调节DNMT3A表达对乳腺癌细胞Sk-Br-3生长的影响

目的 筛选影响乳腺癌组织中异常表达的DNA甲基转移酶DNMT3A的miRNA,并考察其对乳腺癌细胞生长的影响,以探讨miRNA对DNA甲基化甲基转移酶的调控在乳腺癌发生发展中的作用,从而为乳腺癌的早期诊断、早期预防提供新的分子标志及治疗靶点.方法 采用荧光定量PCR检测乳腺癌患者癌组织中DNA甲基转移酶的表达,通过Targetscan分析设计并合成3种miRNA模拟体,转染HER基因阳性乳腺癌细胞Sk-Br-3,应用实时荧光定量PCR检测转染后miRNA的相对表达量;应用免疫印迹分析及双荧光素酶报告基因实验筛选影响DNMT3A的miRNA;应用细胞生长曲线考察miRNA模拟体对Sk-Br-3细胞生长的影响.结果 实时荧光定量PCR结果显示:乳腺恶性导管癌患者癌组织中DNMT3A及DNMT3B的表达均显著增高(P<0.01);免疫印迹分析与双荧光素酶报告基因结果均可见,与对照组比较,miR-29c可以显著抑制DNMT3A的表达,并抑制乳腺癌细胞Sk-Br-3的生长.结论 miR-29c可与DNMT3A3′端非编码区结合并抑制DNMT3A的表达,从而影响HER基因阳性的乳腺癌的发生发展.     

坚持和巩固马克思主义在西藏意识形态领域的指导地位

半个多世纪的西藏发展实践证明,马克思主义是引领西藏社会发展与进步的伟大旗帜。文章结合西藏实际首先从理论上通俗论述了指导思想只能是一元化而不能搞多元化,马克思主义指导思想地位源于历史和基于实践,然后进一步指出要毫不动摇地坚持和巩固马克思主义在西藏意识形态领域的指导地位。     

污染环境中带时滞的随机竞争模型生存性分析

对一类在污染环境下带时滞的随机种群竞争模型进行研究,利用It公式以及相关理论,得到两种群灭绝、非平均持久、弱平均持久及强平均持久的充分条件,分析灭绝与弱平均持久生存的阈值,并通过MATLAB仿真验证主要结果。     

一类带时滞非自治比率依赖捕食的随机模型分析

建立了一类非自治时滞比率依赖的捕食随机模型,并分析研究系统的随机动力性。得到了系统正解的存在性条件,然后通过一些假设得到了系统持久性或灭绝性的充分条件,最后采用Milstein方法通过数值仿真证实所得结论的正确性。     

Ti3C2Tx薄膜制备与电磁屏蔽性能研究

为了减少电磁屏蔽对设备的影响,采用真空抽滤方法制备了一种超薄Ti3C2Tx薄膜,在2～18 GHz研究了其电磁屏蔽性能.用扫描电子显微镜(SEM)表征了Ti3 C2 Tx薄膜断面的微观形貌,X射线衍射仪(XRD)测试了Ti3 C2 Tx薄膜成分.结果表明:制备的Ti3 C2 Tx薄膜,具有超薄性、高导电性和高电磁屏蔽性等特点,层层堆积的Ti3 C2 Tx纳米片提升了电子传输.通过测试可知:14μm厚的Ti3 C2 Tx薄膜表面电阻仅为509.9 mΩ,电磁屏蔽性能可以达到52.23 dB.分析得知,Ti3 C2 Tx薄膜电磁屏蔽屏蔽机制是反射主导的,可见Ti3 C2 Tx薄膜具有优异的电磁屏蔽性能.实验证明,Ti3 C2 Tx薄膜电磁屏蔽性能超过35 dB,在电磁屏蔽方面具有潜在应用.