首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   99篇
  免费   3篇
  国内免费   1篇
系统科学   4篇
现状及发展   16篇
研究方法   17篇
综合类   66篇
  2022年   1篇
  2020年   2篇
  2019年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   2篇
  2012年   5篇
  2011年   15篇
  2010年   4篇
  2009年   2篇
  2008年   11篇
  2007年   7篇
  2006年   3篇
  2005年   3篇
  2004年   10篇
  2003年   8篇
  2002年   4篇
  2001年   1篇
  2000年   3篇
  1999年   4篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1993年   1篇
  1989年   3篇
  1987年   1篇
  1985年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有103条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
Cultured mammotropes incubated with dopamine for one hour exhibited changes in ultrastructure indicative of actively depressed biosynthetic and secretory activity. Peripheral relocation of rough endoplasmic reticulum appeared to create a barrier to secretory granule release by exocytosis. A decrease in the numbers of secretory granules indicated a decrease in prolactin production and enhanced lysosomal activity.  相似文献   
102.
黄河灌区水热通量的观测与分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
为解决农田节水问题,进行了田间水热通量观测和水热耦合循环过程机制分析。观测系统主要包括:常规气象、辐射、涡度相关法观测系统以及土壤水分观测剖面。该系统能够连续和稳定地观测土壤-植物-大气连续体中的水热循环过程,涡度相关法观测数据具有与国际同类观测一致的精度。对2005年山东省位山引黄灌区冬小麦和夏玉米生长期内水热平衡的分析表明:当叶面积指数较大时潜热是农田能量消耗的主要方式;在冬小麦返青至收割期内作物耗水略小于供水,而在玉米生长期内供水远大于作物耗水,灌区供水充分。  相似文献   
103.
The primary metric for gauging progress in the various semiconductor integrated circuit technologies is the spacing, or pitch, between the most closely spaced wires within a dynamic random access memory (DRAM) circuit. Modern DRAM circuits have 140 nm pitch wires and a memory cell size of 0.0408 mum(2). Improving integrated circuit technology will require that these dimensions decrease over time. However, at present a large fraction of the patterning and materials requirements that we expect to need for the construction of new integrated circuit technologies in 2013 have 'no known solution'. Promising ingredients for advances in integrated circuit technology are nanowires, molecular electronics and defect-tolerant architectures, as demonstrated by reports of single devices and small circuits. Methods of extending these approaches to large-scale, high-density circuitry are largely undeveloped. Here we describe a 160,000-bit molecular electronic memory circuit, fabricated at a density of 10(11) bits cm(-2) (pitch 33 nm; memory cell size 0.0011 microm2), that is, roughly analogous to the dimensions of a DRAM circuit projected to be available by 2020. A monolayer of bistable, [2]rotaxane molecules served as the data storage elements. Although the circuit has large numbers of defects, those defects could be readily identified through electronic testing and isolated using software coding. The working bits were then configured to form a fully functional random access memory circuit for storing and retrieving information.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号