SF6断路器灭弧室下游结构对气流流场影响的有限元分析

本文提出了用有限元法研究灭弧室内气流流场结构的计算方法,并用此方法研究了法国FA灭弧室的流场情况,着重分析了下游结构对气流场的影响。分析结果表明,下游触头的存在对下游区影响很大,从而对电弧熄灭过程产生影响,表明了在分析这一状态下电弧熄灭过程时,必须对下游触头的存在予以充分的考虑,而不能象一维分析中那样忽略它的存在的影响。     

越过矩形分流墩的流态及急流自由水面

本文通过理论分析和模型试验研究了越过矩形分流墩的水流流态及墩上游自由水面特性。得到了墩上游水跃旋滚与急流飞越而过之间的界限流态佛氏数判别公式，经验证与试验数据吻合。证明了当急流飞越而过时，佛氏数对墩上游天因次水深的影响微小可忽略不计。并得到了墩上游自由水面受墩高、墩宽的影响范围，以及墩上游水深不受收缩比影响的界限收缩比和无因次水深随墩高比、收缩比的变化规律。     

改进的状态方程用于极性体系汽液平衡计算(Ⅰ)

本文改进了ＳＲＫ、Ｐ—Ｒ和ＶＤＷ三个状态方程中的混合规则，并引入极性因子概 念，从而对强极性二元体系汽液平衡的计算获得较好的结果．     

圆薄板非对称的非线性问题

本文首先用Fourier复级数将非线性问题化为线性问题,从而得到各级近似的边值问题,进而提出圆薄板非轴对称大变形问题的修正迭代法,讨论了圆薄板非轴对称的非线性问题。作为算例,在均变荷载、周边可移夹紧、位移在平面内不受约束的条件下对圆薄板非轴对称的非线性问题进行了求解,并绘出了特征曲线。本文的结果与相应的线性问题进行了比较,证明本文提出的理论和方法是正确的。     

羟基铝交联蒙脱土的红外光谱研究

本文用红外光谱研究了由不同铝离子浓度、不同羟铝比的羟基铝溶液交联而成的羟基铝交联蒙脱土。结果表明,交联剂的铝离子浓度及羟铝比对交联蒙脱土的红外光谱基本无影响,而焙烧温度则有显著的影响。分析比较经不同温度焙烧后的试样的红外光谱图,得出有关羟基铝交联蒙脱土热稳定性及结构变化的信息。     

125K TlCaBaCuO超导体制备工艺的研究

研究了TlCaBaCuO超导体的制备工艺。对名义成分为Tl_5Ca_(3.8)Ba_(2.8)Cu_6O_z和TlCa_4Ba_3Cu_6O_z的两种配比,采用适当的烧结温度、时间以及冷却速度,都获得了零电阻转变温度为125K的超导体。     

电能参数的微机采集处理系统

文章阐述应用单片微机构成的智能化主从式电能计量分析系统的硬件设计思想及软件设计特点。分析应用高速CMOS芯片构成硬件系统的优点。指出其广阔的应用前景。     

铝原子在多晶硅晶粒间界分凝的AES研究

多晶硅目前正广泛地应用于大规模集成电路、P-N结器件和太阳电池等领域之中,但是,由于多晶硅中存在着大量的晶粒间界,晶粒间界既是多数载流子输运的阻挡势垒,又是少数载流子的陷井和复合中心,所以,晶粒间界的存在严重地影响着多晶硅及其器件的电学特性。然而,有些掺杂原子在多晶硅晶粒间界的分凝会使多晶硅的物理和电学特性得到改善,并为找到降低和消除多晶硅晶粒间界的影响的方法指明方向。     

扁薄锥壳的非线性振动

本文首先用最小作用量原理推导出扁薄锥壳大振幅的变分方程。假设薄膜张力由两项组成,将协调方程化为两个独立的方程,选取扁锥壳中心最大振幅为摄动参数,采用我们提出的摄动变分法,将积分方程和微分方程线性化,使近似求解成为可能。我们对周边夹紧固定的圆底扁锥壳大振幅问题进行了求解。一次近似得到了扁锥壳线性固有频率,二次近似得到了频率比和中心最大振幅一次特征关系式,三次近似得到了频率比和中心最大振幅二次特征关系式。根据本文提供的特征关系式可进行工程设计。