ABC model and floral evolution

The paper introduces the classical ABC model of floral development and thereafter ABCD, ABCDE and quartet models, and presents achievements in the studies on floral evolution such as the improved understanding on the relationship of reproductive organs between gnetophytes and angiosperms, new results in perianth evolution and identified homology of floral organs between dicots and monocots. The evo-devo studies on plant taxa at different evolutionary levels are useful to better understanding the homology of floral organs, and to clarifying the mysteries of the origin and subsequent diversification of flowers.     

等离子体源离子注入柱形空心阴极内表面的蒙特-卡罗模拟

采用蒙特—卡罗方法对柱形空心阴极的氮离子(N ,N2 )注入进行了研究,考虑了氮离子与中性原子的电荷交换和弹性碰撞,计算了氮离子在不同压强下鞘层内表面的能量分布及角分布.     

可见光诱导铌酸锂晶体畴反转

研究了在可见光诱导条件下的近化学计量比掺镁铌酸锂的反转电压与光强之间的关系.并实现了利用可见光对晶体畴反转进行可控操作和实时监测.发现晶体的反转电压随光强增大而下降,最大降幅达到70%左右.探寻了可见光诱导铌酸锂晶体畴反转的形成机制,认为光诱导晶体畴反转的主要原因是光激载流子迁移改变了晶体内部的局域电场,造成了晶体极化反转电压的降低.     

近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心的研究

对不同锂铌比的掺铁铌酸锂晶体的光折变光栅的写入与擦除过程进行了研究,发现单中心模型已经不适用于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的光折变过程.通过对光折变光栅的擦除曲线的拟合发现,近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的擦除过程为双指数过程,说明对于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心为两种.     

遗传算法在智能控制中的应用

文章在介绍遗传算法的概念、实现方法的基础上，分析了遗传算法在神经网络及模糊控制中的应用。     

我国生物农药现状及发展趋势的探讨

简述生物农药特点、分类及发展历史；概述我国生物农药的发展现状、产业化品种、存在的问题及对策；预测我国生物农药的发展趋势、产业化前景。     

基于峰值频率特征的音-图转换音频隐密分析

为了分析音-图转换音频隐密方法嵌入的秘密信息长度，通过考察音-图转换后小波系数直方图的分布特性，提取出与嵌入容量成线性关系的峰值频率特征，建立了线性回归模型，根据音-图转换后小波系数子带选取的不同，确定不同的嵌入方案，并针对这些方案进行了相应的隐密分析，实验结果表明：所提特征与秘密信息长度之间存在显著的线性相关性；同时，对于音-图转换隐密算法性能如不可感知性、提取信息正确率等有重要影响的隐密参数TH，对回归模型参数的估计值影响较小，所提出的方法可较为准确地估计出利用音-图转换隐密方法嵌入信息的长度。     

后加载和高负荷前加载叶型气动性能的试验研究

采用平面叶栅和环形叶栅吹风试验对后加载和高负荷前加载叶型的气动性能进行了详细的测量和研究.在平面叶栅吹风试验中,测量了2种叶型的压力系数分布,研究了攻角、相对栅距、安装角和马赫数的变化对叶型能量损失系数的影响规律.在环形叶栅吹风试验中,测量了2种叶型的近叶顶、中叶高和近叶根处的压力系数分布以及能量损失系数沿叶高的变化规律.对后加载和高负荷前加载叶型的三维成型规律进行了讨论.试验结果表明:高负荷前加载叶型相对于后加载叶型具有更大的负荷特性;高负荷前加载叶型在采用较大的切向弯曲后可以抑制二次流的发展和减少二次流损失;前加载叶型和后加载叶型均具有优良的气动性能.研究结果对于拓宽高性能叶型在汽轮机中的应用提供了理论基础和技术支持.     

基于支持向量机的激光焊接过程质量监测

提出了一种基于支持向量机的激光焊接质量监测方法.在监测系统中,首先利用光、声传感器获取焊接过程产生的各种信号,然后利用Gabor变换提取出特征向量,最后利用支持向量机对数据进行融合以判断焊缝是否达到质量要求.实验结果验证该方法的分类正确率可达93%.     

III族氮化物半导体材料

III族氮化物半导体材料（Al，In，Ca）N，（包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等）是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的己形成了产业。