利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

热通道玻璃幕墙的热工计算

简述了热通道的节能原理，推导出了热通道玻璃幕墙的热工计算模型，确定了模型中各方程的系数，介绍了计算及测量结果。该模型可用来计算内外侧玻璃的壁面温度、热通道内空气的温度和流速，以及室内的得热速率等，为相关工程计算提供参考。     

Keggin结构过氧钛钨硅杂多配合物~(183)WNMR谱的研究

合成了Keggin结构一，三取代过氧铁钨硅杂多配合物，这两种化合物是：α－K6［SiW11（Tio2）O39］·12H2O和α－K9H［SiW9（TiO2）O39］·12H2O，并对183WNMR谱进行了指认，从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构．     

用光度法研究在3种溶剂中的硫氰酸钼(V)配合物

报道在3种溶剂中硫氨酸钠（V）配合物的生成情况，并以石油亚砜为萃取剂对其进行萃取研究，讨论了萃取剂的影响和有关萃取机理．     

弹性开孔平面问题的边界积分方程

由开孔平面边值问题的一般数学理论出发，建立了一组新型的边界积分方程为建立相应的边界元方法提供了理论基础。     

局部化环上的群环

研究了正则环、半遗传环和零维环等常见环的局部化环上群环的模结构，得到了这些环的局部环上群环为投射自由环的充要条件。     

硒在水稻上的应用 Ⅲ.稻田土壤硒含量及施硒对水稻产量与米质的影响

调查了湖南省１８个地（市）州、县（市）的４５个稻田土壤样品．稻田耕作层土壤中硒含量范围为０．０８～２．７８ｍｇ／ｋｇ，平均为０．４２７ｍｇ／ｋｇ．稻田施硒可以改变水稻的结实性状，并能提高水稻单产，但因地域不同、品种不同，增产的幅度有差异．施用微量硒一般能使水稻增产２．０５％～９．６７％．初步探明，水稻施硒与重金属等的存在有拮抗作用．土壤中硒含量丰富，稻米中的氨基酸的含量也相应提高．     

需求随时间变化的动态库存模型的经济分析

一般经典的库存模型所要解决的问题是基于静态市场环境，即假定需求不随时间而变化，同时忽略了时间价值对系统的影响。本文在资本预算的框架下，以库存投资的净现值为目标，建立了在有限计划期下，需求是时间的连续函数的动态库存控制补充模型，并提出了一动态规划解法。同时，将模型扩展到变质性物品的情况。     

转美洲拟鲽抗冻蛋白基因(afp)番茄D4代植株可溶性蛋白分析

对转美洲拟鲽抗冻蛋白基因（afp）的第四代番茄及其对照经低温处理后，对幼苗叶片组织可溶性蛋白进行聚丙烯酰胺凝胶电泳分析和紫外吸收法测定含量。发现转基因各组经低温诱导后的可溶性蛋白均比对照明显增加，聚丙烯酰胺凝胶电泳图谱发生变化。其中A-Ⅲ区电泳谱带迁移率加快，C区和B区语带染色加深．说明导入的afp基因已经表达，并使番茄获得抗寒性。     

全数字化高载波SPWM变频调速系统的研究

研究用IGBT作开关元件的高载波SPWM变频调速系统的全数字控制．提出一种采用IN－TEL8031和专用集成电路SLE4520的控制方案，介绍了系统的工作原理与结构，控制算法和软件编制，给出了试验结果．