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高压 VDMOS场板终端技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入聚酰亚胺/SiO 相似文献
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