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通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED~10.8meV,ΔEA~90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108~4.57×1016cm-3,受主9.56×108~7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主~1×1018cm-3,受主~5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。 相似文献
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对公众参与在土地规划环评中的工作原则和积极意义作了梳理和探讨,以期为规划环评中公众参与的具体进行提供有益的参考。 相似文献
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