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21.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献
22.
本文证明当p为质数幂时.在型为2p的Frame自正拉丁方中存在2(P-1)个互不相交的截态,且(i)当p大于3且时p≡1(mod4)时这2(p-1)个截态表现为p-1个自对称的截态和(p-1)/2对相互对称的截态;(ii)当p大于5且p≡3(mod4)时这2(p-1)个截态在现为p-1对相互对称的截态. 相似文献
23.
通过“埋块试验”探讨了犁体宽深比和耕深对翻土覆盖性能的影响,证明了窄幅深耕犁的翻土覆盖性能能满足农艺要求。发现犁的宽深比还影响土垡在行驶方向上的位移距离,用窄幅深耕犁时土垡在行驶方向上的位移距离明显小于普通铧式犁,这很可能是窄幅深耕犁比阻降低的主要因素之一。 相似文献
24.
25.
26.
机内洲试技术(Built--in Test,简称BIT)是一种能显著改善装备或系统洲试性与诊断能力的重要技术手段。智能机内测试模拟系统足运用智能BIT技术的理论,开发出的一个对硬件设备在线洲试的模拟系统。智能机内洲试模拟系统在对智能的模拟方面运用嵌入式C语言中的数蛆,随机函数等方法来实现。从而体现出智能机内洲试的特点。本文描述了系统中对输入电源部分的洲试过程。 相似文献
27.
28.
长期以来,国家对高校实行“大包揽”的方式,即包招生、包分配、包投资等,高校完全依附于教育及各主管部门,没有成本管理的内在需求和外在动力。随着教育投资体制的不断改革,高校的资金来源从单一财政拨款转变为多渠道筹措资金,经费紧缺已是高校普遍存在的问题。因此,增强成本意识,充分利用学校资源,提高办学经济效益已成为高校财务管理的重要组成部分。本文对成本管理缺失的根源和对策作了深入的分析。 相似文献
29.
基于BESⅢ合作组的离线软件框架BOSS,利用该合作组产生的1 225 M单举J/Ψ事例,研究在BESⅢ探测器上实现测量到超子辐射稀有衰变过程Ξ(1 530)-→γΞ-的分支比的可能性.以无信号事例的单举J/Ψ事例样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事例为信号样本,控制信号事例,在分别假设观测到Ξ(1 530)-→γΞ-衰变过程信号显著水平为3σ和5σ的情况下,得到该衰变过程对应的分支比. 相似文献
30.