首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   13篇
教育与普及   1篇
综合类   16篇
  2005年   1篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1992年   1篇
  1990年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1985年   1篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 140 毫秒
11.
用浸渍和吸附两种方法分别制得含Pt量7.0%(重量)的Pt—NaY催化剂。用X—射线衍射峰宽化法、透射电子显微镜和氢化学吸附三种方法测定了Pt粒大小,讨论了Pt在NaY中的分散性及三种测定分散度方法的特点。  相似文献   
12.
本文测定了数种新有机硅消泡剂的各种性能,并作了对比。初步探讨了这类化合物的结构和性能之间的关系。  相似文献   
13.
本文报道了以不同升温速率进行程序升温脱附研究HM分子筛的氨脱附的实验结果。在TPD谱图上呈现出两个化学吸附的脱附峰,其脱附活化能分别是28.0和117kJ/mol,前者相应于L酸中心吸附氨的脱附峰,后者相应于B酸中心吸附氨的脱附峰。实验结果还表明氨分子在B酸中心上优先被吸附。根据程脱谱图经过数学处理得到了不同覆盖度下的脱附活化能和活化熵,数据表明在L酸中心上吸附的氨分子可动性是较大的。  相似文献   
14.
引言SnO_2是一种宽半导体带隙材料(Eg~3.5eV),对Ⅲ,Ⅴ族元素掺杂有效。在可见光波段的透明度高(折射系数 n~1.9),在室温下对酸和碱的抗腐蚀能力强,可用于制做光电极、电阻器、透明加热元件、透明抗反射镀层以及多种器件的环境保护。采用 MOCVD 技术生长 SnO_2薄膜,是七十年代初开始的。最早是 Aoki 和 Sasahur-a 及 Muto 和 Furuuchi,用二甲基氯化锡为物质源(MO)进行化学气相沉积(CVD)制备 SnO_2 薄膜。后来人们采用了四甲基锡 Sn(CH_3)_4为制备薄膜的物质  相似文献   
15.
本文在一个简化的沸石表面原子簇模型上,采用CNDO/2方法研究了苯在沸石表面上六种吸附模型的电子结构。结果表明:沸石表面上的Brnsted酸中心是催化的活性中心;离域π络合物吸附态应属亍早期吸附态;在定域σ络合物吸附态中,吸附分子被活化;同时还探讨了吸附态之间的转变。  相似文献   
16.
含长取代基的咔唑与花生酸混合Langmuir膜及LB膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了5-三氰基乙烯基-N-十六烷基咔唑(THC)与花生酸(AA)混合Langmuir膜及LB膜的结构特性.由π-A曲线知,混合Langmuir膜在压缩过程中有相变发生,LB膜的紫外吸收光谱表明咔唑分子间有相互作用,X射线衍射证明混合LB膜具有层状有序结构。  相似文献   
17.
在粘结型轻油蒸汽化制氢上段催化剂中,钾霞石是作为有效抗碳组份钾的“储存器”而加入的。由于在它的合成过程中引入了CaO而含有小量游离SiO_2。在转化制氢条件下,钾霞石受高温高压和CO_2的作用,还会逐渐释放出游离钾而分解出游离SiO_2。众所周知,转化催化剂中的游离SiO_2是极为有害的物质,它除了能形成酸性中心,导致严重的积碳之外,在高温、高压下的SiO_2迁移还会对设备造成腐蚀和堵  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号