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261.
Al^3+,Pb^2+掺杂提高SiO2驻极体正电荷贮存性能 总被引:1,自引:0,他引:1
运用熔凝工艺在非晶态SiO2薄膜驻极体中掺入质量分数为0.2的Al2O3和质量分数为0.4的PbO。高温恒栅压正电晕充电及电荷衰减等实验表明,经Al^3+和Pb^2+离子参杂改性的SiO2薄膜较好的正极性驻极体性能,其正电荷储存稳定性在210d后高于95%;热激放电正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线,峰值稳定于t=290℃附近; 相似文献
262.
针对刑事审讯证据不足的缺陷,基于低功耗系列单片机(STM32L)设计并实现一种实用性强的刑事审讯心率检测系统,根据心率的变化来判断犯人所交待的事情是否是真实意思的表达;详细介绍了系统总体设计、硬件设计、软件设计,最后对结果进行LCD显示,实现了对心率实时、连续、可靠的检测,展示了本系统在刑事审讯领域的美好应用前景。 相似文献