“双一流”建设背景下高校实验与工程技术队伍发展新思路

高校实验与工程技术队伍作为高校实验室、公共服务建设与管理的直接参与者,是教学、科研不可缺少的重要技术支撑力量。探索高校实验与工程技术队伍在新形势下的发展思路,对于推进"双一流"建设具有重要意义。在厘清"双一流"建设内涵的基础上,面对队伍评价体系不完善,发展规划缺乏长效机制;队伍结构不合理,"专技不专";队伍人员流动性差,"碎片化"问题突出的现状,探讨了队伍的定位及发展方案,包括加强队伍专业化建设,完善队伍的评价、流动、激励机制,使高校实验与工程技术队伍成为世界一流大学和一流学科建设发展的高水平技术支撑力量。     

MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征

采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.     

ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱法,在1.50～4.50eV光谱范围内,研究了在蓝宝石衬底上使用分子束外延方法制备的纤锌矿结构ZnO薄膜的光学性质.对椭圆偏振光谱拟合结果表明,坦吉扩展(Tanguy extend)色散公式能更准确、方便地描述ZnO薄膜带边附近的折射率和消光系数的色散关系.提供了ZnO薄膜在1.50～4.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析ZnO薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据.     

AlGaN基紫外激光器超晶格p型注入层研究

AlGaN基紫外激光器(LD)已被广泛应用于生物、化学等领域,但目前还存在着诸如自发极化效应强烈、载流子注入效率低等问题,因此对于该类型LD的研究和改良十分重要.本文参考相关文献实验样品结构,采用PICS3D仿真软件,对不同结构的AlGaN基电注入边发射紫外LD进行仿真计算,在实验样品基础上提出了具有更加优异光电性能的...     

Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶

采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．     

创新执法强监管

永州市安监局以加强基层队伍执法能力和水平为执法工作重点,创新执法方式,通过开展"传、帮、带"活动,全面提高了一线执法队伍现场执法监督能力和业务水平。聘专家来找茬市县联合办案"在执法中要积极探索‘专家查隐患、企业抓落实、执法促整改’的检查机制,充分肯定并发挥专家的作用!特别是对一些化工、烟花爆竹、矿山企业进行安全检查时,要依靠专家的力量,把专家检查和执法检查有机     

周期性磁场下的GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱中电子的能带结构

为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响，采取一种简单的可解析求解的模型，研究了周期性磁场下的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱中电子的能带结构，发现在周期性磁场的作用下，在ｚ方向上的能量是分立的量子化能级，而原来在ｘ－ｙ平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带，但是在ｘ方向上能量仍然是连续的，同时对其能带的特点和形成机制进行探讨。     

不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟

发光二极管(LED)具有诸多优点,被人们看作是下一代照明器件.为了提高LED的光提取效率,使用蒙特卡罗方法,通过计算机编程,模拟了正装GaN基发光二极管芯片出光,分析考察了影响光提取效率的因素.结果表明,光提取效率随着封装材料折射率的增大而明显提高的现象仅发生在低于透明导电薄膜折射率的区间,过度提高封装材料的折射率对提高光提取效率并非有利;随着蓝宝石衬底厚度的增加,光提取效率曲线迅速上升并趋于平缓;此外,低吸收系数的透明导电薄膜、高反射率的反射镜亦可以显著提高LED光提取效率.     

相容决策表的拓展

提出了决策表相容度的概念,对于给定的置信水平β,规定相容度大于β的决策表是相容的.使传统的相容决策表得以拓展.     

改性木素复鞣剂的填充性能研究

研究了含木素磺酸盐缩合物与铬(Ⅲ)络合制得的含多种活性基团复鞣剂Retannage LG在猪皮正面服装革复鞣应用中的最佳工艺条件和复鞣剂填充效果。确定的最佳工艺条件为复鞣温度40℃，复鞣时间2．0h，复鞣剂用量8％(占皮重)。应用结果表明，复鞣剂Retannage LG具有良好的选择填充性能。