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在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400:1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试,研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响,讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因.结果表明:外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长,外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1 mA/cm2的开启场强仅为2.25V/μm,ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和. 相似文献
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热激励微梁谐振器的温度分布和谐振振幅 总被引：5，自引：0，他引：5
对热激励微梁谐振器的结构进行了合理的简化，用解析方法求出了交变热源激励的微悬臂梁和微桥谐振器的温度分布：在激励点附近，交变温度的幅度最大；远离激励点时，幅度趋于0。其于该温度分布，推导出了在“热膨胀效应”作用下微桥谐振器的谐振振幅。该计算方法利用振型函数来计算谐振时桥长度的伸长量，并考虑了内应力对振幅的影响。 相似文献
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微封闭真空微电子二极管的实验研究＊刘卫东朱长纯（西安交通大学，７１００４９，西安）对真空微电子器件进行真空封装，是其得以广泛应用的重要先决条件［１］．未密封的真空微电子器件的长期稳定工作及各项性能测试，往往需要庞大的真空系统，这限制了它的广泛应用．目... 相似文献
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在研究声表面波式Morlet小波器件具有进行小波变换、消除白噪声和奇异性信号识别功能的基础上 ,将该器件用于对奇异性信号的提取和分析。通过某一航空发动机的故障实例说明了这种器件不仅可以对工业环境噪声、传输和中间处理单元造成的干扰信号进行滤波 ,有效地提高分析信号的信噪比 ,而且也实现了对故障信号的连续小波变换 ,最终完成了对奇异性信号的提取和识别。 相似文献
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利用自制高纯ZnO陶瓷靶材进行了ZnO薄膜的激光分子束外延(L-MBE)生长, 发现ZnO薄膜的L-MBE生长的沉积速率远低于脉冲激光沉积(PLD)的沉积速率, 并且基于ZnO薄膜生长过程中ZnO靶材与纳秒脉冲激光的刻蚀实验现象, 利用脉冲激光烧蚀ZnO陶瓷靶材的热控制理论对ZnO靶材的低刻蚀速率和ZnO薄膜的低生长速率进行了分析讨论, 对实验结果进行了合理的解释. 分析了等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征, 揭示了ZnO薄膜L-MBE生长所具有的独特动力学特性, 即高能等离子体冲击过程中的超饱和超快生长和脉冲间隙的热平衡弛豫的交替过程. 高能沉积粒子和低生长速率对于高结晶质量ZnO薄膜的外延制备是十分有利的. 相似文献
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声表面波SO2气体传感器敏感膜的研究 总被引：5，自引：0，他引：5
为了深入研究声表面波（ＳＡＷ）ＳＯ２气敏传感器频移与浓度之间的关系,对聚苯胺敏感膜的ＳＡＷ ＳＯ２传感器进行了试验与理论研究,并用双能谷模型推导了有关公式。解释了频移与浓度关系曲线中的拐点问题,为聚苯胺敏感膜的ＳＡＷ传感器应用提供了理论和实践依据。将有机物聚苯胺（ＰＡｎ）和硫化镉（ＣｄＳ）两者的气敏特性进行了对比,得出了ＳＯ２气敏膜具有双峰吸收的特点,并从理论上进行了论证,这对研究其他气敏膜也有指 相似文献
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碳纳米管薄膜对电磁波吸收特性的研究 总被引：11，自引：0，他引：11
对不同基底上定向生长的碳纳米管薄的电磁波吸收特性进行了实验研究,结果表明,碳纳米管薄膜对红光及红外激光有极强的吸,对于１０ＧＨz的微波,Ｓi基底上的碳纳米管薄膜基本无吸收作用,但Ｃu基底上的碳纳米管薄膜表现出一定的吸收能力。 相似文献
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根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释． 相似文献
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微机械桥型压控振荡器 总被引：1，自引：0，他引：1
设计制作了一种由电热激励/压敏电桥拾振的二氧化硅/硅双层微桥谐振器及其闭环谐振电路实现的高Q值微机械压控振荡器. 通过调节压敏电桥的桥压, 改变桥的平均温升和轴向应变, 可调节压控振荡器的中心频率. 理论计算和实验结果表明, 输出信号的频率与桥压的平方具有良好的线性关系. 对所测试的器件, 其线性度为0.16%, 振荡频率可调节范围与振荡频率的比值为17.15%. 相似文献
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500 V/11 A VDMOSFET 的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
在理论分析的基础上,设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率．最后指出了今后努力的方向． 相似文献