应用于微结构制造自治系统的第Ⅱ类工艺缺陷诊断

集成电路制造过程结束后,对所关心的电特性参数进行测试,测试结果不可避免地存在着或大或小的波动起伏。电学参数方面的过大波动将带来成品率极大下降,造成第II类工艺故障。本文通过一个实例,详细地介绍了一个用于第II类工艺故障诊断的通用性方法。在对诊断实例进行详细分析的基础上,对于诊断方法本身的特点进行了进一步的讨论。基于正交变换的技术,可以将PCM测试参数转化为一组统计不相关的广义参数,作者特别注意到若干广义参数,它们在所有样本点上的测试值保持为常数。本文结束于对不变参数的初步讨论。     

西方殖民主义者侵略和瓜分非洲的三个阶段

非洲大陆幅员广阔,自然资源丰富。勤劳智慧的非洲人民,曾为世界文明作出了巨大的贡献,尼罗河流域是世界古代文明的发源地之一。但是自十五世纪以后,非洲大陆不断遭受西方殖民者的侵略和掠夺,到十九世纪末、二十世纪初,终于被西方殖民者所瓜分。除个别地区外,非洲大陆95%以上的土地都沦为西方帝国主义的殖民地或“保护国”。从十五世纪     

苯和环己烷在碱金属阳离子交换型ZSM-5沸石上的吸附性能研究

本文研究了笨和环己烷在碱金属阳离子交换型ZSM-5沸石上的吸附作用,沸石中的阳离子半径大小及其性质对吸附作用的影响,以及沸石孔道内吸附力场的特征。用高真空重量法测定了在沸点温度与临界温度之间的范围内苯和环己烷在H、Li、Na、K、Rb和Cs型ZSM-5六种沸石上的高温吸附等温线,测得苯和环己烷在HZSM-5上的初始吸附热,分别为19.5和15.0千卡/克分子,此外还进行了热重实验和程序升温热脱附实验。结果表明碱金属阳离子交换型ZSM-5沸石孔腔吸附力场强,尤其对环己烷在ZSM-5沸石体系上的吸附,非特定作用力强,而且能量分布不均一。与环己烷相比,笨在沸石体系上的吸附特定作用较强,阳离子半径小的沸石上对苯的吸附特定作用更为明显。     

海南岛主要构造体系的划分及其与石碌式富铁矿成矿关系的探讨

海南岛地块形成和形变的发生,发展及其演变过程,十分复杂,认真分析全岛的构造体系,阐明其与石碌式富铁矿的成矿关系,对扩大石碌铁矿远景和为在华南地区寻找石碌式富铁矿,都具有重要意义。     

新型水下航行器实时仿真模拟器研究

为了加快某新型远程智能水下航行器的开发速度,针对其组成进行了实时仿真系统的设计。提出了该航行器实时仿真模拟器的方案构思,并进行了实时仿真模拟器软件和硬件的详细设计,给出在该模拟器上的实验结果。结果表明,该模拟器能为航行器创造一个很好的实时仿真环境,通过它设计者在实验室中就可以方便、快速地对航行器控制系统软件及功能进行调试,并可大大节省开发时间和成本。     

基于Simulink/VRML的自主水下航行器编队控制仿真

针对多自主水下航行器编队协同控制问题，建立了基于Leader-Follower编队的数学模型，设计了编队控制律，并从理论上证明了控制律的稳定性。为了直观地表达自主水下航行器编队控制的效果，利用MATLAB的Simulink/VRML工具箱构建了水下航行器的编队控制的可视化仿真模型。仿真结果表明，提出的编队控制算法是有效的，所构建的仿真平台直观地表达了自主水下航行器的编队效果，该仿真模型易于扩展，且可以验证其它编队控制算法。     

火灾图像边缘检测和轮廓提取算法研究

在数字图像处理中,理想的图像边缘检测算法可以根据挖空法再结合边缘跟踪技术设计算法来实现。而在实际工程应用中,所获取的图像中的噪声很多,现有的边缘检测算法检测出的轮廓一般粗细不一,边缘不连续之处过多。为此在检测出图像中物体的轮廓后,还要花大量的时间来处理躁声,在实际应用中很难实现,并且实时性也很差。为此提出一种基于连通区域面积阈值化的实现算法,可以同时实现噪声消除与轮廓提取,以更好地定位图像中的目标物体。     

基于遗传算法的神经网络学习算法研究

为了克服神经网络结构和参数设计的随机性及依赖于人的经验的缺点,提出了一种改进的基于遗传算法的BP神经网络学习算法。该算法结合了神经网络的快速并行性和遗传算法的全局搜索性,首先利用遗传算法对神经网络结构、初始连接权和阈值以及学习率和动量因子进行全面进化设计,在解空间中定位出较好的搜索空间,然后在进化神经网络中用训练样本再次寻优。通过利用该算法对XOR问题求解,证明了该算法的有效性,其收敛速度和精度均优于基本BP算法和附加动量项的BP算法。     

影响铝合金微弧氧化成膜效率的因素分析

为了解决目前微弧氧化技术中存在的高电能消耗及低处理效率问题,采用低能耗微弧氧化工艺在铝表面制备氧化物陶瓷膜层,测量并分析电解液成分和质量密度、工艺条件对成膜效率的影响,研究了影响铝合金微弧氧化成膜效率的因素和作用机理,提出了降低工艺能耗的技术途径.结果表明:通过改变添加剂成分和质量浓度、脉宽、峰值电压和处理时间等工艺参数可以有效提高陶瓷膜层沉积效率.在制备过程中平均电流密度均能控制在1 A/dm2以下,平均单位成膜效率为2.8~3.2 kW.h/(m2.μm),获得膜层厚度为25~30μm.所制备的氧化铝陶瓷层的相结构、厚度、粗糙度和硬度等参数与通常微弧氧化技术制备的陶瓷膜相似.     

未来纳米电子器件构筑基元——简评《硅纳米线分析》

由于传统的“自上而下”的微电子工艺受经典物理学理论的限制,依靠这一工艺来减小电子器件尺寸将变得越来越困难,但摩尔定律指出,在微处理器中晶体管的数量在18个月内就要翻一番,且晶体管的面积和成本也不断地成比例下降,这就引发了目前工艺和电子器件发展之间的矛盾,这一矛盾的解决要求半导体领域的科研工作者去寻求新的工艺手段和新型半导体材料来满足未来半导体器件微型化发展的要求。硅基一维纳米材料被认为是未来微电子器件微型化的关键材料之一,它与现代硅基微电子体系完全兼容,可作为纳米器件的基本结构基元,因此在未来电子器件的纳米化进程中具有重要的作用。