三相桥式全控整流电路接RE负载的工作过程分析

分析了三相桥式全控整流电路接ＲＥ 负载时,在不同的终止导电角和控制角范围内电路的工作过程。给出了标准的输出电压和电流的波形图,并推导出该电路在不同终止导电角范围内的控制角移相范围、各种情况下输出整流电压和电流平均值的表达式。     

温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响

采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 ,并对实验结果进行了讨论     

球磨技术制备铁的氮化物及性能研究

实验通过球磨α－Ｆｅ和脲的混合粉末,制得α’－Ｆｅ（Ｎ）超细粉末,Ｎ原子含量为８．８ａｔ％,饱和磁化强度σ为２４２．７ｅｍｕ／ｇ。样品经１６０℃真空退火４小时,α′－Ｆｅ（Ｎ）相部分转变为α″－Ｆｅ１６Ｎ１２相,此时样品的饱和磁化强度σｓ提高到２５２．０ｅｍｕ／ｇ,样品中α″－Ｆｅ１６Ｎ２相含量约２１ｗｔ％,其σｓ为２８７．３ｅｍｕ／ｇ。热分析表明,在１５０℃－２００℃,α′－Ｆｅ（Ｎ）相转移为α     

浅析《罪与罚》的“善”与“恶”

道德问题贯穿小说《罪与罚》的始终，这也正是陀思妥耶夫斯基对宗教探索的主要问题。在道德领域没有纯善与纯恶之分，善恶往往是相随的，并且在一定的条件下会向相反的方向转变。同样，《罪与罚》中的人物大多都是善恶相杂的，分析他们身上的善恶，揭示了作者的善恶观。     

C-P(Ⅲ)键核自旋耦合常数的理论研究

利用自然杂化轨道,以从头算级别的理论计算方法,选择较小基组STO-3G,研究了C-P(Ⅲ)键的核自旋耦合常数,并用三种化合物进行检验,理论计算值较好地与文献值相符合.     

高能球磨法制备钛酸钡陶瓷及其掺杂改性

以 TiO2和Ba(OH)2·8H2O为原料,用高能球磨法合成了BaTiO3前驱体,并掺加了PbO和Cat)以改善其介电性能.通过XRD、SEM等测定分析了相组成及晶体形貌.实验结果表明高能球磨过程使物料发生一定程度的无定型化,从而显著降低烧结温度,提高烧结体的结构致密度和力学性能.掺杂后PbO和CaO形成的(Ba,Ca)TiO3和(Ba,Pb)TiO3的介电性能明显改善,且随掺杂量的增大,烧结体的介电常数呈上升趋势.     

会计不确定性与模糊性及对策建议

会计的本质在于决策有用性,即向有关利益关系人提供客观、公正和有用的信息,以利于其做出正确的判断和决策。但在实际中,由于各种原因往往造成会计信息失真,致使信息使用者决策失误。导致会计信息失真的原因比较复杂,本文主要就会计中的不确定性与模糊性对会计信息质量的影响进行一些讨论。     

四种锌的金属有机配合物的荧光激发光谱量于化学研究

采用量子化学半经验方法RHF/PM3,对四种金属有机配合物分子进行构型优化,对优化后的构型作振动分析,均未出现虚频率,在此基础上用RHF/CIS方法分别计算了它们的荧光激发光谱,所得结果与实验值基本符合.     

Si-SiO_2薄膜结构与光致发光的研究

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或者缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370nm、410nm、470nm和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响.     

浅谈高校图书馆对学科馆员的培养

论述了学科馆员的主要职责,分析了目前学科馆员的素质能力,针对存在的问题,提出了应该采取多种方式加强学科馆员的培养,促进学科馆员向专家型转化。