语言交际与文化关系的辨证探析

语言交际是人类生存、生活的主要手段，也是人类精神文明、物质文明以及世界各民族文化传统、风俗习惯得以传承并发展的主要方式。“语言与文化”、“跨文化交际”、“语言交际与文化”三者既有内在联系又有本质上的不同。语言交际与文化同质同构，二者既相互制约，又相互依存，构成一种对立统一的关系。     

阳离子-π相互作用:[K(18C6)][BPh4] 的合成与晶体结构

合成了冠醚配合物:[K(18C6)][BPh_4],通过元素分析、红外光谱、单晶X-射线衍射对配合物结构进行了表征,该配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/n,晶体学数据:α=1.454 8(4)nm,b=1.395 6(4)nm,c=1.749 7(6)nm,β=111.254(5)°,V-3.311 0(18)nm~3,Z=4,F(000)=1 328,R_1=0.079 7,ωR_2=0.204 7.配阳离子[K(18C6)]~+中的K~+与[BPh_4]~-中的其中一个苯环存在K~+-π相互作用.     

睡莲科中的三属植物与龙胆科中的莕菜的花柄比较解剖学研究

报道了广义睡莲科中三属代表植物与龙胆科莕菜的花柄的比较解剖学研究结果，莼菜的花柄中具有3—4个外韧维管束；野生居群睡莲具4个外韧维管束和4个双韧维管束，两种维管束相间排列成一轮；栽培居群睡莲具约20个维管束，由外韧型和双韧型两种维管束组成，呈3轮排列；莲的花柄中具70余个维管束，呈星散状排列，其结构和排列方式与单子植物非常相似；蕃菜花柄中具8个维管束，成不规则的一轮排列，维管束韧皮部和木质部均正常发育，木质部具导管，在广义睡莲科中，莼菜属、睡莲属、芡属、萍蓬草属、王莲属的维管束具有许多相似性，因而它们具较近的亲缘关系，可能拥有一个营水生生活的共同祖先，应该置于共同的睡莲目中，莲的维管束的结构和排列方式不同于广义睡莲科中的其它属，而与单子叶植物相似，但它又具有子叶两枚等双子叶植物的特征，加上具有一个独特的倒圆锥形的花托，离生心皮嵌在其中，因此，莲属是一个非常独特的、原始的植物类群，应该单独成科并立目，并且可能是被子植物系统树基部的一个在双子叶植物与单子叶植物分化之前就分开的进化分枝。     

红平红球菌LSSE8-1脱硫代谢及其相关脱硫基因的比较

红平红球菌(Rhodococcus erythropolis) LSSE8-1是从我国贵州赤水气田中筛选分离的一株专一性脱硫菌. 该菌能选择性地氧化二苯并噻吩(DBT)生成2-羟基联苯(HBP). 利用DBTO₂(dibenzothiophene 5,5-dioxide)作底物既生成HBP又生成DBT, 表明从DBT到DBTO₂这一步反应在细胞水平是可逆的. 同时以DBT为对照, 0.01~0.4 mmol/L DBTO₂均对细胞的生长表现出毒害作用, 这就解释了脱硫反应中DBTO₂不积累的问题. 在溶菌酶处理的基础上, 用碱液裂解法提取LSSE8-1质粒作模板, 选择Rhodococcus erythropolis IGTS8脱硫基因的保守区设计引物, 用PCR的方法扩增分别得到1.3, 1.0和1.2 kb三段脱硫基因片段. 选用pGEM-T easy载体, E. coli. DH5α为受体菌, 克隆这三段基因后, 测序结果表明这三段脱硫基因高度保守. 与IGTS8的相关脱硫基因相比较, dszA和dszB的同源性都是100%, dszC的同源性是99%.     

2个Lucas数乘积和的恒等变换

本文研究2个Lucas数乘积和交换问题,给r次恒等变换公式并给出一些例子。     

Nd-Fe-B-Sn合金的显微组织及其对磁性能的影响

 用粉末冶金烧结法制备了Nd-Fe-B,Nd-Fe-B-Sn和Nd-Dy-Fe-B-Sn永磁合金,用SEM和TEM分析了合金的显微形貌及相结构,并用永磁参量测量仪和振动样品磁强计(VSM)测量了合金的磁性能.研究表明,添加在合金中的Sn元素主要分布在富钕相中,且改善了富钕相与基体相(Nd2Fe14B)的润湿性.合金的相组成仍然是Nd2Fe14B相(Φ相)、富钕相、富硼相(η相),添加锡没有导致合金中析出新相.但是,添加锡使Nd-Fe-B系合金的室温磁性受到损害,然而却使合金在较高温时的矫顽力温度系数和开路磁通不可逆损失明显减小.锡元素对合金显微组织的改善,可能是合金高温磁性能改善的根本原因.     

浅谈水泥砼路断裂破损原因分析

简要分析了水泥砼路断裂破损的原因。     

t2阶Kirkman三连系的构造

提出了t2阶Kirkman三连系的构造方法,阐明了t2阶Kirkman三连系构造的基本理论,介绍了9×9阶Kirkman三连系构造的过程.     

有限型子转移对Hausdorff测度保测的充要条件

本文讨论了Ｎ个符号组成的（单边）符号空间中由Ｎ×Ｎ，０，１－矩阵Ａ所决定的有限型子转移（∑Ａ，σＡ）。     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。