全文获取类型
| 收费全文 | 99篇 |
| 免费 | 3篇 |
专业分类
| 系统科学 | 1篇 |
| 丛书文集 | 6篇 |
| 教育与普及 | 4篇 |
| 理论与方法论 | 2篇 |
| 综合类 | 89篇 |
出版年
| 2024年 | 2篇 |
| 2023年 | 2篇 |
| 2019年 | 1篇 |
| 2018年 | 2篇 |
| 2017年 | 2篇 |
| 2016年 | 1篇 |
| 2014年 | 6篇 |
| 2013年 | 5篇 |
| 2012年 | 10篇 |
| 2011年 | 5篇 |
| 2010年 | 5篇 |
| 2009年 | 8篇 |
| 2008年 | 4篇 |
| 2007年 | 9篇 |
| 2006年 | 15篇 |
| 2005年 | 2篇 |
| 2004年 | 1篇 |
| 2003年 | 2篇 |
| 2002年 | 2篇 |
| 2001年 | 1篇 |
| 1999年 | 4篇 |
| 1998年 | 2篇 |
| 1996年 | 2篇 |
| 1995年 | 1篇 |
| 1993年 | 1篇 |
| 1992年 | 2篇 |
| 1991年 | 2篇 |
| 1986年 | 1篇 |
| 1985年 | 1篇 |
| 1984年 | 1篇 |
排序方式： 共有102条查询结果，搜索用时 31 毫秒
101.
无网格方法采用基于节点的近似,由移动最小二乘法拟合函数,从而摆脱了网格生成的困难,但本质边界条件的实施成为无网格方法中的难点之一。文中首先简要阐述了无网格方法,详细地介绍了无网格方法中各种本质边界条件处理的方法和研究进展,并分析比较了各自的优缺点。 相似文献
102.
Al^3＋,Pb^2＋掺杂提高SiO2驻极体正电荷贮存性能 总被引：1，自引：0，他引：1
运用熔凝工艺在非晶态ＳｉＯ２薄膜驻极体中掺入质量分数为０．２的Ａｌ２Ｏ３和质量分数为０．４的ＰｂＯ。高温恒栅压正电晕充电及电荷衰减等实验表明，经Ａｌ＾３＋和Ｐｂ＾２＋离子参杂改性的ＳｉＯ２薄膜较好的正极性驻极体性能，其正电荷储存稳定性在２１０ｄ后高于９５％；热激放电正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线，峰值稳定于ｔ＝２９０℃附近； 相似文献