PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

土官村乌头中的二萜生物碱

 首次对土官村乌头(Aconitum tuguancunense Q.E.Yang)中的二萜生物碱进行了研究.采用硅胶柱层析、重结晶等方法从中分离纯化得4个化合物,通过现代波谱技术和理化常数对照鉴定了其化学结构,包括3个二萜生物碱和β-谷甾醇.     

基于邻域非线性相互作用的动态连接匹配算法

提出基于邻域非线性相互作用的动态连接匹配算法,定义邻域相互作用势,并导出相应的演化方程.以二维随机点灰度图的匹配为例作了计算机模拟,结果表明新算法能快捷有效地完成匹配任务.     

基于Kruppa方程的相机分步自标定方法

提出一种运动变焦相机分步自标定的,邓事先标定相机的纵横比和主点，在假设像素为矩形及主点为图像中心的情况下，基于Kruppa方程线性求解焦距，算法中只需输入基础矩阵，不必预先进行任何类型的投影阵分解或投影束校正。线生求解焦距避免了非线性法的不确定性，实际数值实验表明该方法简单实用。     

改进适应值函数的遗传算法

比较、分析了几种基于适应值的选择策略求解极小值问题时的标准适应值函数,提出了一种随着进化代数的增加逐步增大适应值相互影响的标准适应值函数,并对它们的收敛速度和收敛精度进行了性能分析.以几个典型的函数优化问题为例进行仿真计算,取得了比较满意的结果.     

关于降低机务段运输成本的思考

分析了影响机务段运输成本的因素,提出降低成本的意见与建议。     

生物芯片的作用原理及其临床应用

生物芯片是分子生物学及相关学科高速发展的结晶 ,主要是通过微加工技术将大量的基因序列或抗体蛋白等有序地固定在固相载体表面 ,形成储存有大量信息的微阵列 ,再与荧光或同位素标记的样品杂交 ,经计算机控制、分析 ,从而实现对基因、配体、抗原等生物活性物质高效快捷的测试分析 ,它将在许多应用领域发挥重要作用 尤其在临床诊断与新药开发中具有深远的社会、经济效益     

非当量成分Ni3Al基合金的有序——无序转变

利用建立在ＥＡＭ势基础睥和原子模型，计算了模拟非当量的Ｎｉ３Ａｌ基合金结构稳定性与和程有序（ＬＲＯ）度的关系，结果说明：非发量成分下，Ｎｉ３Ａｌ基合金有序无序转变温度随Ａｌ含量的增加而上升；其有序无序转变为形核长大的非均匀转变过程，理论上不存在稳定的均匀部分有序结构；其介稳的部分状态组织为完全有序我和完全无序区的混合组织，该结果能解释实验中所观察到的Ｎｉ３Ａｌ基合金有序无序转变。     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.     

新型激光晶体Nd:Sr5(VO4)3F的LD泵浦激光特性

掺钕氟钒酸锶[Nd:Sr_5(VO_4)_3F,简称Nd:SVAP]是近年才见报道的新型激光晶体材料.1993年12月Loutts在美国MRS年会上首次披露生长成Nd:SVAP晶体,1994年他们报道了用钛宝石激光泵浦的Nd:SVAP激光特性.该晶体泵浦阈值低、转换效率高,适于制作激光二极管(LD)泵浦的小型固体激光器,应用前景非常广阔.但是,至今未见LD直接泵浦的实验结果报道.以钒的氧化物和锶的盐类作为起始原料,经过配方筛选和原料处理工艺的优化,我们首先合成出用于单晶生长的多晶备料,之后,采用Czochraski技术生长出单晶.但这种单晶必须经过适当的后处理,方可进行样品定向、加工和镀膜,从而进行激光实验.