大面积低能电子束快速退火在4ETPM电路制作中的应用

在制造VLSI集成电路中,用快速的束退火技术代替常规的高温退火可以保证晶格损伤的恢复,而且杂质再分布大大减小.从而满足浅结和速度方面的要求,这种束退火技术日益为人们所重视.例如快速的电子束对VLSIMOS器件的快速退火;利用多次扫描电子束对As~+注入n-沟MOS器件的源漏的快速退火等.本文描述了用一种新型的低能大面积冷阴极电子束的退火技术,并在4ETPM-LSTL(低功能肖特基电路)制作中的应用.     

锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究

采用溶胶凝胶法(sol-gel)在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜.以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层,制备了底栅结构的薄膜晶体管.XRD实验结果表明,500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构,具有c轴择优取向.SEM实验结果说明,薄膜晶粒大小约为25nm,尺度分布均匀.电学测试结果显示器件是N沟道增强型.     

硅／硅直接键合应力的Raman谱研究

介绍了Ｒａｍａｎ谱测试硅片微区应力的方法．用Ｒａｍａｎ谱研究了硅／硅直接键合工艺引入的应力，测试结果表明，高温键合后，硅片表面存在局部的张应力或压应力．应力值最高达７．５×１０￣３Ｎ／ｃｍ￣２．高温退火，应力略有降低．     

高锰可锻铸铁高温石墨化退火动力学研究

对高锰可锻铸铁的高温石墨化退火动力学进行了研究.研究结果表明:适当调整可锻铸铁中的硅含量可以实现高锰可锻铸铁的高温石墨化退火过程;随着硅含量的提高,完成高温石墨化退火的时间逐渐缩短.     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

AS2^＋注入硅的辐射损伤和退火行为研究

本文研究了500keV As_2~ 和250keV As~ 注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2~ 注入比As~ 注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As_2~ 和As~ 注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As_2~ 注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致.     

In/TiO_2/Si MOS制备及电学特性

利用直流磁控溅射技术在P型Si(100)衬底上制备了TiO_2薄膜,将制备好的TiO_2薄膜分别在700、800、900、1000、1100℃下空气中退火1 h.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、安捷伦半导体器件分析仪对薄膜样品进行表征.XRD测试结果表明:原样品为锐钛矿相结构,随着退火温度的升高,样品由锐钛矿相结构逐渐转变为金红石相结构,而经900、1000、1100℃退火后样品为金红石相结构,且退火后样品的晶粒尺寸明显增大;电学性能测试表明:退火后的TiO_2薄膜样品构成的MOS器件漏电流密度很小,即制备的TiO_2薄膜样品在MOS器件制备与应用领域有很好的前景.     

对DFT的几点新认识及支持DFT的几种新器件

首先介绍了利用信号的采样值和频率分量值之间的相关性导出离散付里叶变换(DFT)的一种新方法,其次,归纳和比较了新近发展起来的计算DFT的非基算法.并且以基2算法为例,讨论了定点制算法中精度分析的一种直接方法,给出了这种方法的分析结果.最后介绍了支持DFT的几种最新器件.     

发散化思维模式在晶体三极管教学中的应用

晶体三极管是模拟电子技术课程中的基础元器件,有着复杂的非线性输入输出特性,既是教学重点,也是教学难点.针对教学中难以用数学方法严格描述晶体三极管全部特性的现状,提出了一种用发散化思维模式进行教学的新思路,以帮助学生尽快熟悉该器件的各种非线性特征.     

lμm MESFET/SOS 集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性

本文介绍的MESFET/SOS微波差分放大器是在蓝宝石衬底上硅外延薄膜内制备的.该电路特征线宽为1μm,制备工艺简单,仅需三块掩模,应用全离子工艺,具有足够小的漂移电压和失调电流.由于采用蓝宝石为衬底,大大减小了寄生电容,从而获得高的频率特性.在77K时对器件的测量结果表明,低温下器件的直流和微波特性均获得显著的改善.直流本征跨导增加了约46%,单位电流增益频率从4.9GHz增加到6.5GHz.作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高.     

沥青路面施工级配离析控制

级配离析是导致沥青路面早期破坏的主要原因之一.沥青路面施工中不合格集料的使用产生级配离析.针对传统集料加工方法集料加工质量差、合格率低的缺点,从调查超过30个合同段沥青路面集料加工所用筛孔和集料级配的变异性入手,找到并利用一组标准化筛孔的筛网进行大规模集料加工,指出了沥青路面施工中级配离析控制的关键是集料加工质量控制,给出了集料加工用筛孔与应控制的标准筛筛孔的关系、集料规格与集料加工用筛孔的关系、混合料类型与集料规格的关系.统计数据表明:几乎所有主要控制筛孔的通过率变异系数小于2.6%;通过对229个检测点的构造深度计算其平均值是1.03 mm,表面构造深度最大变异系数只有2.7%.实践证明这项技术是我国公路建设中最落后领域的重大突破.     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

动物性别分离机制的研究进展

对动物的性别分离机制的研究进行了综述,认为性别分离指数测度公式的确立、数学模型的导入和粪便性别鉴定技术的使用对今后动物性别分离的研究具有巨大推动作用.提出,解释动物性别分离机制的假说除了包括动物自身的生态需求内因外,必须引入生境因子外因的作用.     

沥青混凝土路面施工中离析现象控制

分析了沥青混凝土路面施工中的离析现象和高速公路路面施工中普遍遇到的问题,提出了控制离析现象和提高沥青混凝土路面使用性能的措施.     

碳硅铬钼对高锰钢堆焊金属抗热裂纹能力的影响

本文研究了Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等元素对高锰钢堆焊金属抗热裂纹能力的影响，认为Ｓｉ是影响堆焊金属产生热裂纹的主要元素，Ｓｉ在晶界偏析促使碳化物析出，Ｓｉ含量须控制在０．１５％以下；Ｃ不产生明显偏析，但为碳化物析出准备了条件，为防止热裂纹产生，较高的含Ｃ量须与其它元素适当配合；Ｃｒ、Ｍｏ两元素适当配合对堆焊金属抗热裂纹能力不产生有害影响．     

铝硅磷掺杂碳纳米锥场发射性质的理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法,分别研究了铝、硅和磷原子掺杂碳纳米锥的几何结构和电子结构,进而研究其场发射特性．计算结果表明：与纯碳纳米锥相比,铝和硅原子掺杂对其场发射性能的提升意义不大,磷原子易于掺杂在碳纳米锥顶部,引起其费米能级附近最高占据分子轨道明显提升,功函数和离化能降低．计算结果表明,磷掺杂碳纳米锥体系是较好的场发射材料．     

杂多蓝光度法快速测定碳素钢中硅、磷

在室温、一定的酸度等条件下，分别采用二元硅钼蓝光度法、三元饿磷钼蓝光度法测定碳素钢中硅、磷，加快了显色反应速度，本方法操作简单、显色物稳定性强，测定准确率高。     

背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。     

黑龙江依兰县哈蜚-珠山超基性岩体镍矿床成矿地质特征

哈蜚-珠山超基性岩体具有全岩含矿的特点,矿体形态与岩体形态基本相同.矿石矿物赋存状态为星点状-稀疏浸染状;矿床成因为岩浆熔离作用.物化探异常与岩体出露完全吻合,具有良好的找矿前景.