基于溶胶—凝胶技术的硅钨杂多酸化学修饰电极的组装及其 …

将Ｋｅｇｇｉｎ型硅钨杂多酸ＳｉＯ２．１２ＷＯ３．２６Ｈ２Ｏ（ＳｉＷ１２）掺杂到溶胶－凝胶叶，滴涂在碳糊电极表面上，制备成化学修饰电极。对该电极的电化学性能研究表明，该电极不但保持了杂多酸的电化学活性和电催化性能，而且具有良好的稳定性和灵敏度。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

萤石浮选新工艺与选择性抑制剂的研究

在浮选新工艺中，使用两性捕收剂６ＲＯ－１２和新型抑制剂ＲＰＯ３，对萤石浮选进行了研究，当原矿品位为３０．２５％ＣａＦ２、３６．２％ＳｉＯ２、２．１２％ＣａＣＯ３时，可得品位为９７．３５％ＣａＦ２、１．５８％ＳｉＯ２、０．４３％ＣａＣＯ３，回收率为６８．６％的萤石精矿，光电子能谱研究表明，ＲＰＯ３抑制方解石的机理在于，ＲＰＯ３能在脉石表面发生化学吸附或化学反应。     

固体超强酸SiO2／SO^2—4催化合成乙酸丁酯

本文介绍了固体超强酸ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４制备方法及其在合成乙酸丁酯中的催化作用。在ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４催化下乙酸丁酯产率可达９０％以上。     

用SEM考察合成条件对TS—2分子筛晶体形貌的影响

以扫描电镜方法（ＳＥＭ）系统地考察了不同合成条件下ＴＳ－２分子筛的晶体形貌。结果表明：在ＴＳ－２分子筛合成过程中，模板剂用量增加使得分子筛结晶度提高；增加Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比使分子筛晶体粒径增大，但过高的Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比导致结晶纯度下降；Ｓｉ／Ｔｉ比提高会减少晶体中杂晶数量，晶体形状更加规整、均匀；调高胶液ｐＨ值时，分子筛晶粒增大，但结晶纯度下降。     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ方法制备Ｆｅ２Ｏ３／ＳｎＯ２双层气敏薄膜。利用浸渍方法对稀土元素与铝配制的乳浊液进行表面修饰。测试结果表明，修饰后的双层薄地乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

硅钼黄示差光度法快速测定硅藻土中SiO2

本文介绍用硅钼黄示差光度法快速测定硅藻土中ＳｉＯ２该法准础度、精密度可靠，也可用于其它粘土矿物中ＳｉＯ２的测定。     

分子筛结构和无定形结构中Ti—O—SiO3键的特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子睡无定形ＴＳ氧化物结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－ＳｉＯ３键，但这两进在红外是可区分的。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

纳米SiO2／环氧树脂复合材料的制备和性能

通过超声波分散和偶联剂处理的方法使纳米 Ｓｉ Ｏ２ 粒子在环氧树脂中充分分散,制得了纳米 Ｓｉ Ｏ２／ 环氧树脂复合材料．利用拉伸测试 、冲击测试、热失重分析等方法对该复合材料的性能进行了研究,结果表明,纳米 Ｓｉ Ｏ２ 粒子较大地提高了环氧树脂的拉伸强度、冲击强度、断裂伸长率、热稳定性等性能．     

硫酸中Ti／RuO2阳极性能研究

本文用ＳＥＭ观察了Ｔｉ／ＲｕＯ２电极的表现形貌，考察了该电极在２．５Ｍ Ｈ２ＳＯ４中不同温度下的使用寿命，测定了不同温度下的极化曲线，并求出其动力学参数ａ、ｂ、ｉ。     

BAPBE的合成及其铁螯合物对蛋白质的切断作用

设计、合成了一种新的蛋白质特异性氧化断裂试剂ＢＡＰＢＥ，用它共价修饰ＢＳＡ的唯一巯基。修饰物与Ｆｅ＾２＋螯合，在ｐＨ７．０、２５℃下用Ｈ２Ｏ２及抗坏血酸钠处理，使ＢＳＡ发生２种方式的断裂，产生４种ＢＳＡ片段，但在相同条件下巯基枯草杆菌蛋白酶未被切断。     

硅灰石直接合成ZSM—5分子筛

不用有机胺、醇类模板剂，直接采用天然矿土硅灰石与硫酸铝、氢氧化钠合成ＺＳＭ－５沸石分子筛，探讨了原料ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３及晶种的加入对结晶度的影响，考察了沸石产品的物性。