阻变存储器阻变层材料专利技术综述

阻变存储器是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文从专利角度分析了阻变存储器阻变层材料相关专利申请的基本状况,分别对金属氧化物、固态电解质、有机物三种重要阻变层材料技术分支的重点专利进行分析,对各分支的技术内容进行详细梳理,分析其技术演进趋势,探索阻变存储器阻变层材料技术未来的发展方向。     

阻变存储单元中元素的三维分布

近年来，人工智能、大数据、物联网等领域的快速发展，使新原理信息存储器件的设计、制造成为半导体等产业的重点发展方向阻变存储器因具有优异的存储特性、良好的尺寸化能力、易于高密度集成等显著优点，被视为下一代非挥发性存储器的理想解决方案但是由于发生电阻转变的区域难以观测，阻变器件的转变机制一直存在争议该文利用飞行时间 二次离子质谱对阻变存储单元中元素的三维分布进行探测，有效地证明了电阻转变机制与金属电极原子的扩散无关，而是由氧化物薄膜本身的电学特性所决定的该文的工作对阻变存储器件的机理探究、设计制备和性能改进具有十分积极的意义     

主机与存储器之间的缓存专利技术分析

缓存处于主机和存储器之间,是快速、小型的具有存储功能的部件,它保存存储器中部分数据的拷贝,其容量不大,当主机频繁访问一小部分存储器中的数据时,缓存就显得意义较大,然而为了高速处理大量的数据,对存储器的存取速度和容量要求较高,因此,如何使主机与存储器之间匹配,同时不增加系统成本是研究的热点,本文介绍了缓存的基本概念,并结合现有的国内外专利,分析了当前缓存技术的发展状况及发展方向。     

高密度存储器技术发展与应用浅谈

高密度存储技术指的是能在一个存储单元中存储多个值以实现大容量数据的存储器及其相关技术,本文着眼于市场应用前景和产业发展趋势,简单分析了磁性随机存取存储器、电阻随机存取存储器中高密度存储器技术的发展与应用。     

非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的低波动阻变特性研究

基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高低阻态的导电机制研究表明该双极性阻变行为由氧缺陷导电细丝断开/连接主导.通过与氧缺陷导电细丝主导的晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜基阻变行为对比,发现非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜阻变的波动性较小,这与其无晶界密切相关.该研究可为开发低波动的阻变器件提供一定指导.     

与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学

该文对新型的氧化铪基铁电晶体管存储器的巨大优势及其面临的工程和科学问题进行了详细评述,提出了存储器"器件力学"的概念.作为电子信息技术最核心的存储器是衡量国家综合实力和关系国家安全的战略性技术,我国全部依赖进口,几乎不能做到自主可控.新型存储器是我们"变轨超车"的绝佳机会.氧化铪基铁电晶体管(FeFET)存储器与CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺完全兼容,这就为其产业化创造了得天独厚的先天条件.HfO_2基铁电薄膜的FeFET存储器与CMOS兼容,可以实现FinFET(鱼鳍3D架构),可以突破后摩尔时代、有望填补"存储鸿沟",具有超高抗辐射能力、能耗低等突出优点,将引领新型存储器的发展方向.疲劳性能不是很好、存储器存储窗口的均匀性欠佳是限制氧化铪基FeFET存储器产业化的技术瓶颈,即工程问题.亚稳相、复杂界面效应、存储器"器件力学"的理论基础不清楚是限制与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电存储器产业化的关键科学问题.需要从氧化铪基FeFET存储器面临的工程问题提炼出基础科学问题,通过氧化铪基材料的铁电物理本质、亚稳相及其本构关系的研究,将界面的物理力学性能研究作为一个桥梁,提出栅极电压V_G即"场效应"和"铁电性"双控制因素下的存储器"器件力学"理论模型和实验研究方法,从而为解决氧化铪基FeFET存储器的技术瓶颈提供理论和实验支撑.     

2016年度专利分析和预警项目圆满完成

<正>近日,国家知识产权局2016年度专利分析和预警项目专场成果汇报会在京举行,会议由国家知识产权局专利分析和预警工作领导小组办公室(国家知识产权局知识产权发展研究中心)组织举办。会上,课题组围绕核电、智能汽车、5G通信、操作系统、服务机器人、存储器等     

第四讲 如何办好专利申请

<正> 在专利申请事务中专利代理人既是专利事业的明白人,也应是专利申请人的知心人。在递交专利申请的前后过程中,代理人应帮助申请人做好以下几件事。1.申请专利前的咨询。代理人在了解了发明人提供的发明创造的内容以后,首先判断该发明是否符合专利法规定的。三性”条件,即新颖性、创造性和实用性的条件。检索有关专利文献,(包括国内外)通常专利文献反映了当代最新的科学技术动态,具有较高的文献价值。其次注意该发明是否属于不授于专利的技术领域,如目前在微计算机中大量应用的只读存储器     

基于二维钙钛矿的阻变存储器和突触器件研究

基于二维钙钛矿优异的光学特性及二维结构下特殊的电学性质，该文综述了近年来基于二维钙钛矿的纳米电子器件利用二维材料在垂直平面方向固有的电荷传输限制，基于二维钙钛矿的阻变存储器可以达到10 pA的极低工作电流；在人工突触领域，二维钙钛矿的应用可使能耗降低至400 fJ/spike，接近生物突触的能耗最后讨论了二维钙钛矿应用在相关器件中的稳定性问题，分析在光照条件下容易发生的严重分解现象，并阐述了近年来提出的阻止碘流失的致密二维材料包覆技术，以及尚待解决的问题未来，二维钙钛矿有望广泛应用于存储器、仿生突触等领域.     

齿形链专利技术综述

为了研究齿形链的专利发展现状,本文以CNABS和DWPI数据库为基础,通过检索、统计和分析,获得齿形链领域专利的全球和中国申请量年度分布及变化,专利地域分布,以及重要分支的技术演进路线,梳理了齿形链技术的发展方向。