稳定电流场的热函数

一、稳定电流场的最小发热原理在导电率为σ的大块导体中,各点之电流密度j有不同大小和方向,这就构成了一个矢量场,即电流场。例如,在电阻法勘测中把电极A、B扦入地面,加上电压,由于地球本身是一个导体,因此在地表面下形成一定的电流场,如图1所示。稳定电流场指电流场是不随时间变化的,这就要求电场不随时间变化,也就是电荷分布不随时间变化。由于电荷分布不     

关于电象法的两个问题

<正> 一、无限大角形导体平面电象 在应用电象法求解电势的问题中,有一类问题是求点电荷处在无限大角形导体平面内的电势问题,如图1,OC和OA是两个相交的无限大导体平面,围成角度为θ的无限大角形区域。在该区域中有一个点电荷P,求空间电势分布。     

5-yl-pent-1-ene自由基环合成反应机理的理论研究

应用密度泛函理论对5-yl-pent-1-ene自由基环合成反应做了详细的理论研究。结果表明,反应经4-exo-trig过程生成四元环产物是一个吸热反应,而经5-endo-trig过程则是一个放热反应,说明在热力学上5-endo-trig过程比4-exo-trig过程有利。环张力的计算结果说明四元环较大的环张力是形成四元环过程需要吸热的一个主要原因,而五元环较小的环张力是反应放热的一个原因。从动力学势垒来看,5-endo-trig反应过程也比4-exo-trig过程稍微有利,这是违反Baldwin规则的。这是由于自由基环合成所形成的四元环张力要比五元环张力大所引起的,因此环张力是在四元环形成过程中动力学上需要克服的主要障碍之一,也是导致其动力学势垒较高的主因。五元环产物的势垒主要是由于进攻角度变化较大而引起的。因此,Baldwin规则中进攻角度决定环合成反应选择性的理论不适用于5-yl-pent-1-ene自由基环合成过程。     

任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

光纤分布数据接口导体的选择

光纤分布数据接口导体的选择光缆的价格已经成为光纤分布数据接口（ＦＤＤＩ）广泛应用中的一个障碍。由于价格问题，人们已经开始研究用于ＦＤＤＩ的各种导体材料。ＦＤＤＩ使用除光纤以外的其它媒介将引起ＦＤＤＩ应用的迅速扩大，本文将分析各种替代媒介，如何选择其一...     

电流表、电压表示数之变化

当电路发生变化时(合上某开关、断开某开关、移动滑动变阻器或短路某一用电器等),电路中的电流表、电压表的示数将如何变化,是教学的难点,根据多年的教学经验总结出了基本规律:局部电阻的变化→总体电阻的变化→干路(或总体)电流的变化→某一定值电阻两端电压的变化→另一部分导体两端的电压变化→通过某部分导体的电流强度的变化.     

测定金属-半导体接触电阻的一种方法

根据环形电极点辐射传输线模型,导出金属-半导体接触电阻对扩展电阻、探针与金属薄膜之间的接触电阻、电压和电流的定量关系.设计出一个用四探针方法测定金属-半导体接触电阻的新方案.精确测定了金属-半导体的接触电阻.讨论了金属-半导体接触电阻测量值的误差来源.     

非闭合导体回路中是否有感应电流

穿过导体回路的磁通量发生变化时,非闭合导体回路中是否有感应电流？很多教科书中说,非闭合导体回路中没有感应电流,本文认为这样的结论有欠妥当,并通过实例阐明自己的观点。     

无限长恒流直导体外的电场分布

根据无限长直导体电位分布及其边界条件的特点，建立一电位分布与其完全等效的无限长同轴线的理想模型，把此同轴线中电场的分布拓延到无限空间中，进一步从理论上论证了载有稳恒电流无限长直导体外无径向电场分量的正确性^[5]，并指出这一结论满足能量守恒定律及其电磁场理论的边界条件。     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

交换环上上三角矩阵环的自同构

设R为任意含单位元的交换环，Tn(R)为环R上的n阶上三角矩阵环，证明Tn(R)的任一自同构ρ可以表示成一个内自同构和一个环自同构的乘积。     

拟对偶性在Smash积代数中的应用

一个环R如果它的每一个本质左理想I都是它的零化子，即，lr(I)＝I，则我们称环R是一个左拟对偶环，同时称该环具有拟对偶性。将拟对偶性用于smash积代数R#H，部分解决了半素问题，即，今H是一个有限维半单Hopf—代数，R是一个H—模代数。如果R是左拟对偶的并且是半素的，那么R#H是半素的。     

带电长圆柱形导体及大平面导体系统的电场

用电象法给出接地导体平面上半空间存在长圆柱形带电导体的电场的解，其解为无穷级数，自然是收敛的，然后再次按精确要求编出计算程序。     

广义欧姆定律

引言 我们在电磁学中知道,如果给一段导体上加上电场E,则通过导体的电流密度由下式决定: j=σE其中σ为导体的电导率。此式称为导体中的欧姆定律。 如果在等离子体中有电磁场存在,那么等离子体中就会出现电流。这时的电流密度j与等离子体的电导率σ,电磁场E和B之间有如下的关系(采用实用单位制):     

对XLPE绝缘电力电缆的屏蔽要求

电力电缆应具有优良的初始性能,还应有长期使用的稳定性。国内外对电缆的长期稳定性研究结果认为,影响长期使用寿命的主要原因之一是绞合导体和绝缘之间空隙处所产生的局部放电。在国标GB/T12706-2008、IEC502中明确规定,对3.6/6kV及以上XLPE绝缘电力电缆应有导体和绝缘屏蔽。在电缆中,导体表面电场最高,如果导体屏蔽稍不完善,游离放电的可能性最大。因此,本文着重论述对导体屏蔽的要求及国内外现用的主要屏蔽材料。     

幂级数剩余类环的同调维数

设R是一个左完全右凝聚的交换环，f(x)是R[[x]]中的一个幂级数。研究环R[[x]]/(f(x))作为R－模的忠实平坦性及其相关性质，得到了剩余类环R[[x]]/(f(x))的整体维数，讨论了多元幂级数的剩余类环的同调性质。     

环的弱理想（Ⅰ）

本文通过对环的子环所满足的条件进行加强，推广了环的理想概念，引入了弱理想的概念，讨论了弱理想的基本性质，并证明了：（１）环Ｒ的理想类是Ｒ的弱理想类的真子集。（２）一个含有单位元的交换环Ｒ是除环的充分必要条件是Ｒ没有真弱理想。     

特高压开关用1100kV盆式绝缘子模具设计与优化

通过分析1100kV盆式绝缘子的形状及结构特点,采用中心导体"双定位"结构、屏蔽环镶套式固定、加压固化等形式,设计优化模具结构。经过实践验证,模具结构合理,定位准确,降低了气泡产生的机率,为大尺寸、复杂环氧树脂浇注模具结构提供了设计依据。     

6-yl-hex-1-ene自由基环合成反应机理的理论研究

应用密度泛函理论对6一yl-hex-1-ene自由基环合成反应做了详细的理论研究.通过对随反应坐标变化几个关键变量变化的讨论,揭示了6-yl-hex-1-ene自由基在进行环合成反应时区域选择性的高低;同时,也分析了在6-endo-trig和5-exo-trig反应途径中的热力学和动力学势垒的变化,以及六元环产物和五元环产物的环张力对热力学过程和动力学过程可能产生的影响.结果表明在6-yl-hex-1-ene自由基环合成过程中,经过5-exo-trig反应途径生成环应力较大的五元环产物具有动力学优势,是主要的动力学产物.同时分析结果也表明,可以利用在反应过程中进攻角变量的变化来定性地判断反应选择性的优势通道,并用以定性地解释Baldwin规则的结论.     

匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势

利用分离变量法求解,得出匀强电场中圆柱导体周围空间的电势,用镜像法求解得出线电荷与圆柱导体周围的电势,用静电场中电势的叠加原理,得到了匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势.