关于简单图的Chartrand问题的下界

本文证明任意一个圈秩为ρ的简单连通图G若含有m个端点及n个端点的撑树,且m < n,则对任意的m < k < n,G至少含有ρ+1个具有k个端点的支撑树.     

第一种Fredholm积分方程的数值解法

在本文中,研究形如∫_-1¹ k(t,s)y(s) ds=f(t),t∈[-1,1]的第一种Fredholm积分方程的数值解法,其中f(t)在[-1,1]上连续,核k(t,s)一般是弱奇性的,它可表为k(t,s)=h(t,s)m(t,s),这里h(t,s)具有形如h(t,s)=|t-s|^α,α>-1的弱奇性,m(t,s)是连续函数.本文应用Lagrange多项式内插法,构造了一个近似解序列,并证明了它的收敛性.     

α剂量热释光断代技术-一种鉴别特殊赝品的方法

热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.     

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

固体粒子对浓悬浮液流变性能的影响

以高氯酸铵和铝粉为分散相,端羟聚醚二醇为连续相,考察了总固体粒子的体积分数φ,粒度比R,以及小粒子占固体总量的体积分数φ_s对浓悬浮液流变性能的影响.对双峰分布分散系,浓悬浮液的粘度在φ_s=0.30时达到最小,并随R的减小而下降.固体细粒子对浓悬浮液的假塑性程度关系极大.当悬浮液中细粒固体增加或粒度比减小时,体系假塑性程度增大;有非球形粒子的悬浮液中,φ和φ_s的影响更大,但宽分布球形粒子构成的二元系,φ对假塑性的影响比窄分布体系小.     

三对角阵与其主子阵的特征值之间的偏差

本文考虑下列三个问题:估计d_l(λ)=min|μ_i-λ|的上界,其中μ_i(i=1,2,…,n)是B_n的特征值.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力^[1].由于Si-SiO₂界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.     

关于McCormick理想精确罚函数

在文献[3]中,G.P.McCormick引进了理想精确罚函数,并讨论了原非线性规划和这一理想精确罚函数的局部极小之间的关系.本文进一步讨论原非线性规划问题和理想精确罚函数总体极小之间的关系,此外还证明了δ(x,q)关于x的可微性.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

双α分布三包层色散平坦单模光纤

本文提出双α分布三包层数学模型,从MCVD工艺出发,采用具有适当中心凹陷的渐变芯层分布.推导了相应的电磁场分布函数,计算和讨论了一种色散平坦结构方案的色散特性、截止波长、模斑尺寸及工艺容限.实验表明,这种结构可以在1.55μm处得到0.32dB/km的低损耗.     

一个非线性色散方程孤波解的性质

大家知道具有松弛效应非均匀介质中的KDV方程为u_t+2au+(α+ax)u_x-6uu_x+u_xxx=0(1.1)     

棱镜耦合器的输入耦合效率与入射波传播常数的关系

在集成光学实验中,为了正确地使用棱镜耦合器,有必要研究输入耦合效率η与入射波传播常数β_i的关系.     

Fe-Ni系粉末机械合金化热力学

参考Miedema半经验理论,建立了Fe-Ni系机械合金化(MA)过程的热力学模型.热力学计算分析指出,Fe-Ni系粉末MA过程一般不存在发生非晶化反应的化学驱动力.Fe-Ni系MA粉末由α(bcc)和γ(fcc)两相固溶体组成.在球磨过程中两相相互转化,控制这一转化的因素是形成焓的结构项.对不同球磨时间Fe₆₀Ni₄₀MA粉末的X射线衍射(XRD)分析,证明了所建立的热力学模型的正确性.根据XRD图确定了Fe₆₀Ni₄₀MA粉末在不同球磨时间的物相组成、各相成分、晶格参数、晶粒尺寸和晶格畸变等结构参数.     

用比色法测定固定化葡萄糖氧化酶活性的经验公式

用包埋法得到的固定化葡萄糖氧化酶,我们发现很难找到一个合适的体系,可用比色法从初速度测定它的活性.提出了一个模拟体系,并得到了该体系的吸收光密度与活性的校正曲线,以解析式A=A₀(1-e^-β[E])表示之.式中A为吸收光密度,[E]为葡萄糖氧化酶浓度(活性单位/毫升),A₀和β在给定体系下为常数.测得固定化葡萄糖氧化酶在该体系下的A值,便可从该式计算它的活性.     

电磁场数值计算中奇异性的处理

本文对电磁场数值计算中经常遇到的一些奇异性问题进行了讨论.一般的处理方法是从积分域中挖去奋点r_s的一个小的ε邻域N_ε(r_s)当ε很小时这种方法能达到一定精度,但对ε的取值不能进行定量分析,本文的处理方法是积分域绕开奇点r_s然后将被积函数在奇点r_s处展开成级数从而获到奇点处积分的近似式和截断误差.     

金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线

用6参数Born-von Karman模型计算了金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线.除Si、Ge和α-Sn的TA声子外,计算结果与实验符合较好.     

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.