一个充分条件和Hamilton连通图

考虑条件:n阶图G的任3个互不相邻的点u、v、w,HN=min{|N(u)∪N(v)|+d(w),|N(v)∪N(w)|+d(u),|N(w)∪N(u)|+d(v)}≥ n.显然,这是一个改进和统一Dirac (W ≥ n/2)和Ore (Ore ≥ n)这两个哈密尔顿图经典条件的条件.此外,HN ≥ n也包含领域并条件NC+W ≥ n.文中研究了HN ≥ n的哈密尔顿图性、哈密尔顿连通图性,得到(I):2连通n阶图G,HN ≥ n则G是哈密尔顿图;(Ⅱ):2连通n阶图G,HN ≥ n则G是哈密尔顿连通图或例外图.     

α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱

本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度E_t=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×10⁸s^-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.     

多相气体对流扩散与气固反应问题的解析解

研究填充床中的气固反应aA(g)+bB(s)=cC(g)+dD(s).建立了反应气体A、产物气体C的对流反应扩散方程,并求出解析解.研究表明,颗粒半径对气体浓度和反应转化有着重要的影响,这种影响可以用Thiele数来估计;对流对反应气体和气体产物有不同的影响,但对流的本质不变.由于Thiele数与反应器长度的平方成正比,Peclet数与反应器长度的一次方成正比,因此反应器长度也是影响反应转化的重要因素;对气体浓度的分布,化学反应的作用比对流大.     

等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用

从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级E_m,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.     

H图的一些充分条件和一个猜想

提出了新概念:n阶图G的距离为2的任两点u,v及和这两点均不相邻且到这两点之一的距离为2的任一点w,若均满足|N(u)∪N(v)|+d(w)≥ n,则G是H图.并得到这条件的Hamiltonian最好结果.     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.     

转动激发对Sr+HF反应的影响

依据LEPS,运用经典轨线来研究吸能反应Sr+HF(v=1,J=1～3)→SrF+H,△Ho=(27.652±6.688)kJ/mo1.对于HF(J＝1～3)的每个转动能级,计算结果表明,SrF产物的振动能级分布是统计分布;并且,当增加HF的转动内部状态时,SrF的振动布居在v=0最大,然后随着v的增加很快单调下降.计算结果与实验结果相符,并讨论了此反应的势能面.     

离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型

应用离子注入技术制作n+-p-π-p⁺拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_eff等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

Si-nipi掺杂超晶格电子态的自洽计算

本文采用局域密度泛函近似自洽地计算了沿(100)方向调制的Si-nipi掺杂超晶格的电子态.得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律.讨论了在较低的外界激发下,电子占据态和最近邻空态-(01)亚导带间的激发能.同时计算了Hartrəe势与自洽势下的电子密度分布曲线,发现自由载流子交换关联势V_xc(z)对亚带能量的影响较小.     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

用比色法测定固定化葡萄糖氧化酶活性的经验公式

用包埋法得到的固定化葡萄糖氧化酶,我们发现很难找到一个合适的体系,可用比色法从初速度测定它的活性.提出了一个模拟体系,并得到了该体系的吸收光密度与活性的校正曲线,以解析式A=A₀(1-e^-β[E])表示之.式中A为吸收光密度,[E]为葡萄糖氧化酶浓度(活性单位/毫升),A₀和β在给定体系下为常数.测得固定化葡萄糖氧化酶在该体系下的A值,便可从该式计算它的活性.     

InP单晶的阳极氧化,界面参数和浓度分布的研究

本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得了N型InP气相外延载流子浓度的纵向分布.此法制得的金势垒MIS结构可能对开展InP深能级工作有所帮助.     

新的Q增强开关电容滤波器

本文介绍了一种新的增强极点Q的技术,提出了两个新的单运放开关电容(SC)带通滤波器,给出了设计方程和电容分布最佳设计.计算表明:本文电路的电容分布得到大幅度地减小.最后,还考察了电路的极点频率和极点Q灵敏度.     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

ZnO压电薄膜的多晶模型研究

本文考虑了ZnO压电薄膜的晶格畸变和多晶结构,建立了ZnO压电薄膜的多晶膜模型,计算了ZnO/K9 glass和ZnO/fused quartz的SAW速度和有效机电耦合系数,测量了ZnO/K9 glass的SAW速度v₀和v₁,结果表明:多晶模型的计算值与实验值较接近,比单晶模型的结果有明显改善.计算结果还表明:分散度σ<6°时它对ZnO膜的SAW性能影响较小,而晶格畸变对SAW性能影响较大.     

基于从头算的孤立条件下α—丙氨酸分子手性转变理论研究

使用从头算的HF方法,采用6-31G(d)基组,优化了S与R型α—丙氨酸分子的分子几何,计算了优化构型下的电子结构.依据优化后的构型,对α—丙氨酸分子对映体进行了手性转变可能路径的分析.首先,在HF/6-31G(d)水平下进行了手性转变过程的过渡态探索与中间体的几何构型优化,找到了手性转变的可能路径,并得到了反应能垒;而后,又在HF/6-31G(d)水平下对过渡态进行了IRC计算,验证了过渡态的可靠性.     

一种串行的有限域平方和算法及其VLSI结构

提出了一种迭代的有限域平方和算法,每次迭代完成一次比特乘法和模不可约多项式F(x)运算.基于此算法设计出了一种新的串行电路结构.它的面积复杂度和吞吐量分别为O(m)和1/m.与一些已提出的平方和电路结构相比,该结构具有低面积复杂度.它适合具有小面积要求的VLSI设计.此结构可用来计算指数和平方运算.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.