YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体退化的研究

对块烧结YBa_2Cu_3O_(7-8)超导体因水解引起的超导退化进行了研究,对于高压氧气氛(大于5个大气压)对YBa_2Cu_3O_(7-8)超导相因失氧引起超导退化所产生的抑制作用进行了研究。给出了定性分析。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)的高温超导性和磁通流阻

本文报导了YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导体的制备,测定了零电阻温度T_(co),无外磁场下的临界电流密度J_c及磁通流阻R_f。通过对磁通流阻的研究,可确定YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体属于非理想第Ⅱ类超导体:进一步了解了磁通流阻R_f对零电阻温度T_(co)的影响;估算了样品的钉扎力。     

低功率激光辐照对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的影响

本文报道了用低功率激光辐照YBa_2Cu_3O_(7-(?))超导时,其临界温度和特性出现的改善情况,并对此进行了讨论.     

高T_c超导的RVB态机制及通道模型

本文介绍超导电性的Anderson RVB态机制和通道模型机制,并利用通道模型机制计算了YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的临界转变温度T。     

一步自助熔剂法制备K_xFe_(2-y)Se_2的超导电性研究

本文研究了采用一步自助熔剂法制备K_xFe_(2-y)Se_2单晶样品,其超导转变温度达到32.7K,由于一步自助熔剂法的烧结工艺提高了K、Fe和Se元素的分布均匀性,从而保证了较好的样品品质以及合适的化学计量比。     

邻苯二甲酸根桥联的三铜(Ⅱ)和三镍(Ⅱ)配合物的合成与表征

本文合成了4个三核配合物:[Cu_3(phth)_2(phen)_3](ClO_4)_2(1),[Cu_3(phth)_2(NO_2-phen)_3](ClO_4)_2(2),[Ni_3(phth)_2(phen)_3](ClO_4)_3(3)和[Ni_3(phth)_2(NO_2-phen)_3](ClO_4)_2(4)(phth=邻苯二甲酸根,phen=1,10-菲咯啉.NO_2-phen=5-硝基-1,10-菲咯啉).根据元素分析、红外、电子光谱、电导及磁矩的数据,推断这些配合物是以邻苯二甲酸根为桥的三核配合物.已研究在4～300K范围内配合物(2)的磁化率与温度的关系,交换积分J=—3.82cm~(-1).这表示在金属离子之间有一个弱的反铁磁自旋变换作用.     

一种用于锂离子电池的三维多孔Cu_(2-x)Se_x负极材料及其制备方法

本文介绍了一种新型Cu_(2-x)Se_x负极材料制备方法,通过非溶剂致相分离法制备得到微米级孔径的多孔铜平板膜,并在平板膜上原位生长Cu_(2-x)Se_x制备一体化Cu_(2-x)Se_x负极材料。该材料制备工艺简单,无须加热,常温即可制备且反应高效快速。借助SEM发现,Cu_(2-x)Se_x均匀分布在多孔铜集流体上。在不同电流密度下对该材料进行电化学测试,发现500μA/cm~2电流密度下的性能最佳,首圈容量达到2 432μAh/cm~2,500圈后仍能稳定在458μAh/cm~2。     

体上一般线性群的同态(英文)

设K1和K2均为体,m和n为两个正整数,GLm(K1)和GLn(K2)分别表示K1上m阶一般线性群和K2上n阶一般线性群,映射f:GLm(K1)→GLn(K2)称为从GLm(K1)到GLn(K2)的群同态,如果f(AB)=f(A)f(B),A,B∈GLm(K1)。刻画了m>n时从GLm(K1)到GLn(K2)的所有群同态。     

αCP(α)∪βCP(b)类整谱图

设图G是一个简单图,图G的补图记为(G),如果G的谱完全由整数组成,就称G是整谱图.鸡尾酒会图C=CP(n)=K2n-nK2(K2n是完全图)是整谱图.确定了图类αCP(α)∪βCP(b)中的所有整谱图.     

MoS2上Cu2 O的担载及催化性能研究

采用两步水热法制备了Cu_2O/MoS_2催化剂,首先,通过水热法获得层状的MoS_2纳米片,然后在MoS_2纳米片上合成Cu_2O纳米颗粒,形成负载型Cu_2O/MoS_2催化剂.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等手段对催化剂的结构进行表征,并以NaBH_4还原对硝基苯酚(4-NP)为探针反应评价其催化性能.研究表明,担载之后,Cu_2O纳米粒子均匀分散在MoS_2载体表面,粒子尺寸明显减少,由此催化NaBH_4还原4-NP的性能也得到了显著改善.     

GeO_2基Er~(3 )和Yb~(3 )共掺杂氟氧混合物材料的上转换发光

制备了以GeO2 为基础的 6个Er3 与Yb3 共掺杂样品 ,并测试了它们在 85 8nm半导体激光和 930nm二极管激光激发下的荧光谱 ,测量发现 ,在 930nm二极管激光激发下各样品的荧光强度较之 85 8nm半导体激光激发下的荧光强度普遍要强 ,且Ge4,Ge5两样品较之其余四个样品在两种光源的激发下的绿光段的荧光强度要强的多 ,且用肉眼在白天即可见到很强的绿光 .简单分析了它们的上转换机制 .     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

Bi^3＋和Eu^3＋在Li0.3MeAl0.3—x—ySiO3中的发光

该文介绍以Eu~(3+)和Bi~(3+)离子为掺杂剂,以Li_(0.3)Me_(0.4)Al_(0.3)SiO_3为基质(Me=Mg,Ca,Sr,Ba),用高温固相反应合成了含不同碱土金属,不同掺杂种类的硅铝酸盐系列发光体.激发光谱和发射光谱研究结果表明,在该体系中Bi~(3+)对Eu~(3+)具有较好的敏化作用,促进了Eu~(3+)的特征发光.基质中不同的碱土金属离子对Bi~(3+)和Eu~(3+)的发光特性和Bi~(3+)对Eu~(3+)的敏化作用具有明显的影响。当Me=Sr时,激发Bi~(3+)所得到的Eu~(3+)发光以612nm红光为主,并且相对强度较高.在相同激发条件下(395nm),Li_(0.3)BaAl_(0.3)SiO_3:Eu的发射强度是Y(V,P)O_4:Eu~(3+)的2倍.这表明Li_(0.3)BaAl_(0.3)SiO_3是很适合于Eu~(3+)激活的基质材料.     

(phen)Fe(H2O)Cl3晶体的水热合成与表征

用水热方法合成了 (phen)Fe(H2 O)Cl3晶体 ,并用X—射线衍射对其结构进行了表征 .该晶体属于三斜晶系 ,P -1空间群 ,a =6.61 9(1 ) ,b=1 0 .2 3 1 (2 ) ,c=1 0 .60 6(2 ) ,α=92 .0 78(1 9)°,β=1 0 0 .661 (1 4)° ,γ =1 0 8.1 88(1 1 )°,v=667.2 (2 ) 3,z=2     

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２，制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明，材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系，每增加 ｍｏｌ比１％的 Ｐｂ，将使居里温度提高约 ５℃．而随着测试频率的增加，居里温度与温度系数基本不变，但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量，可知材料的热释电系数约在 １０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．     

Fe（PMαFP）3和Fe（PMαFP）（OX）2配合物的合成与性质

本文自论了在乙醇溶剂中,以三氯化铁同1—苯基—3—甲基—4—(α—呋喃甲酰基)吡唑啉酮—5(HPMaFP)及8—羟基喹啉(HOX)作用,制得两种配合物,并测得它们的组成为Fe(PMaFP)_3和和Fe(PMaFP)(OX)_2。研究了它们的红外光谱、紫外光谱、热稳定性等性质。观察了它们在常见有机溶剂中的溶解情况。在乙腈中的电导测定结果表明,这些配合物均为非电解质。     

钙钛矿型氧化物La_0．35Sr_0．65Co_0．7Cu_0．3O_3催化CO

采用内循环无梯度反应器研究了钙钛矿型复合氧化物Ｌａ０．３５Ｓｒ０．６５Ｃｏ０．７Ｃｕ０．３Ｏ３上ＣＯ氧化反应动力学。结果表明，常压及１６０～２００℃温度范围内，ＣＯ氧化反应速率对一氧化碳与氧分压的反应级数分别为０．５１和０．１７；反应表现活化能为６２．０ｋＪ·ｍｏｌ－１。并且对该催化剂上ＣＯ氧化反应的动力学行为、从催化剂表面氧物种的分布方式和反应性能角度出发做了一定的解释。     

Fe(2- EHA)3/Al(i- Bu)3/AIBN催化异戊二烯聚合的研究

研究了Fe(2 - EHA)3/Al(i - Bu) 3/AIBN催化体系下异戊二烯的聚合行为,考察了催化剂组分配制方式和聚合条件对催化活性、聚合物的微观结构和分子量及其分布的影响.结果表明,该体系聚合异戊二烯具有高活性、聚合物分子量高和不含凝胶等特点.所得聚异戊二烯顺-1,4、3,4-、1,2-结构单元分别为46 ～...     

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的高分辩电镜研究

La0 7Ca0 .3MnO3巨磁阻薄膜是具有广泛应用前景的磁学材料 ,薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应 .运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制 ,确定了薄膜良好的外延生长关系 ,并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨 .