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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 656 毫秒

1.  N-己基咔唑和苯作为聚芴衍生物封端基团的对比研究  
   徐阳①②  王华①②  卫芳芳①②  侯建新①②  周禾丰①②  许并社①②《中国科学(E辑)》,2009年第39卷第6期
   采用Suzuki偶合方法合成了9,9-二辛基芴(DOF)与窄带隙单体4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)的共聚物PDOF-DBT,然后分别以N-己基咔唑和苯作为封端基团进行封端,并对其发光性能、电化学性能以及热力学性能进行了对比研究.结果表明N-己基咔唑替换苯作为PDOF-DBT的封端基团后,导致其发光颜色偏蓝,而且还有助于提高PDOF-DBT-B的发光效率,而且没有改变PDOF-DBT-B良好的热稳定性.    

2.  芴与二噻基苯并噻二唑共聚物的电致发光和光致发光研究  被引次数:3
   彭俊彪  许怡赦  侯琼  牛于华  阮文英  曹镛《科学通报》,2002年第47卷第16期
   使用自己实验室合成的9,9-二辛基芴与4,7-二噻基苯并噻二唑系列共聚物(1% DBT,5%,DBT,10%,DBT,15%DBT,25%DBT),采用双层结构制备了高效率和红色聚合物发光二极管(PLEDs),器件的外量子效率接近1.4%(15%DBT共聚物),流明效率超过1.0cd/A,最大发光亮度达到3700cd/m^2,电致发光发射光谱峰值位于675nm    

3.  芴基共聚物共混与InGaN基发光二极管杂合的白光发射  
   章勇  侯琼  郑树文  李述体  范广涵《华南师范大学学报(自然科学版)》,2009年第4期
   利用红光共聚物(PF0-DBT15)和绿光共聚物共混膜作InGaN基蓝光芯片的荧光下转换材料,PFO-DBT15和PFO-BT35是9,9-二辛基芴(DOF)分别与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)和2,1,3-苯并噻唑(BT)无规共聚的芴基共聚物,通过调节PFO-DBT15与PFO-BT35共混比例实现了有效的共轭聚合物/InGaN发光二极管杂合的白光发射.这种杂合器件在20mA电流驱动下相关的色坐标、色温和色散指数分别是(0.34,0.32),6798K和85.    

4.  芴基荧光共聚物与芴基磷光共聚物光电性能的比较研究  
   章勇  侯琼  范广涵《江西科学》,2006年第24卷第3期
   通过对芴基荧光共聚物(PFO-TPP)和芴基磷光共聚物(PFO-TPP-Pt)的光电特性的比较研究,结果发现PFO-TPP-Pt磷光共聚物相对于母体荧光共聚物PFO-TPP的PL效率低很多,但是磷光聚合物比相应的不含金属的母体荧光共聚物的EL效率却显著提高,PFO-TPP-Pt器件的最大外量子效率为1.95%,相应的发光亮度为8.3 cd/m2和色坐标(C IE1931)为(0.700,0.293),此外,磷光共聚物在EL过程中的能量转移比母体荧光共聚物更完全。    

5.  聚合物近红外发光二极管  被引次数:2
   章勇  杨坚  侯琼  莫越奇  彭俊彪  曹镛《科学通报》,2005年第50卷第3期
   设计双层器件结构(ITO/PEDOT/P-PPV/PFHDNT/Ba/Al)制备高效率近红外发光二极管, 其中P-PPV为发绿光的苯基取代的PPV衍生物, PFHDNT为近红外发光的9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)的共聚物(PFHDNT10). 经优化PFHDNT10和P-PPV薄膜厚度, 得到器件的外量子效率高达2.1%(激发电流35 mA/cm2), 流明效率0.3 cd/A, 较单层结构器件的发光效率(0.9%)提高了两倍以上, 发光光谱峰值为750 nm, 色度坐标CIE1931为 (0.67, 0.30), 位于近红外区域. 研究表明, 增强的发光效率主要原因是P-PPV层具有电子阻挡作用及向PFHNDT10共聚物进行了有效能量转移.    

6.  高效蓝紫光器件的实现: 苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混  
   田仁玉  莫越奇  彭俊彪《科学通报》,2006年第51卷第13期
   以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层, 制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管, 研究了共混比例对器件性能的影响. 发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优, 在发光亮度为105 cd/m2时, 器件的外量子效率可以达到1.96%, 电致发光光谱的峰值位于397 nm, 半高宽为67 nm. 分析表明, PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡, 是使器件性能明显提升的主要原因.    

7.  硅芴-芴共聚物的合成、表征和光电性能  
   陈润锋  范曲立《南京邮电大学学报(自然科学版)》,2008年第28卷第1期
   合成了硅芴与芴的共聚物.系统研究了该新型共轭聚合物的溶解性、热稳定性、电化学性能、光物理性能和电致发光性能等.研究发现,无规嵌入少量具有高能隙、低LUMO能量的硅芴单元到聚芴主链中可有效调控聚合物的光电性能.    

8.  氟原子对光伏聚合物性能的影响  
   王海侨  余顺铨  江培  杲辰  王晓晨  李效玉《北京化工大学学报(自然科学版)》,2014年第1期
   以二(2-辛基十二烷氧基)苯并二噻吩(ODBDT)为供体单元,分别与受体单元二噻吩苯并噻二唑(DTBT)和二氟代二噻吩苯并噻二唑(DTffBT)共聚,合成了两种具有给-受体(D-A)结构的共轭聚合物PODBDT-DTBT和PODBDT-DTffBT。利用紫外-可见吸收光谱、循环伏安法研究了聚合物的光物理与电化学性能,并通过光伏性能测试研究了氟原子对聚合物太阳能电池的影响规律。结果表明,氟原子的引入使得聚合物的光学带隙变窄,溶解性变差;基于PODBDT-DTBT或PODBDT-DTffBT与PC71BM共混制备的本体异质结太阳能电池,光电转化效率分别为3.01%和2.00%。    

9.  采用惰性聚合物共混制备高效率的电致发光器件  被引次数:3
   何谷峰  刘杰  杨阳  李永舫《科学通报》,2002年第47卷第21期
   通过将荧光共轭聚合物G-PF(芴与噻吩的共聚物)与聚苯乙烯(PS)共混制备出了高效率的聚合物发光二极管,当采用G-PF与PS的浓度比为80/20的共混物薄膜为发光层时,其器件最高量子效率为12cd/A,而纯的荧光共轭聚合物G-PF器件的最高量子效率只有6.5cd/A,通过对其电致发光谱和光致发光谱的研究,发现量子效率的提高主要是因为聚苯乙烯的加入,增加了荧光共轭聚合物的荧光量子产率。聚苯乙烯的浓度超过20%后,再进一步增加聚苯乙烯的含量,会导致器件的量子效率下降。这可能是由于聚苯乙烯本身是一种绝缘材料,它的加入会降低电子与空穴的传输性能,从而减少了正负载流子复合的概率。    

10.  一种咔唑-苯并噻二唑共聚物的合成与光伏性能研究  
   王海侨  李娜  孙冶平  王晓晨  庆飞要  李效玉《北京化工大学学报(自然科学版)》,2012年第1期
   以N-十二烷基-2,7-咔唑为给体单元、5,6-二辛氧基二噻吩苯并噻二唑为受体单元,通过Suzuki偶联反应合成了一种具有给-受体结构的共轭聚合物聚N-十二烷基-2,7-咔唑-5,6-二辛氧基-4,7-二噻吩-2-基-苯并噻二唑(PC-DODTBT),并研究了该聚合物的光物理与电化学性能。结果表明,以PC-DODTBT为电子给体,PCBM为电子受体,制得的共混体相异质结太阳能电池在AM1.5、100 mW/cm2模拟太阳光下,开路电压为0.88 V,短路电流为2.04 mA/cm2,填充因子为0.51,能量转换效率为0.92%。    

11.  9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴  
   唐超  陈淑芬  凌启淡《南京邮电大学学报(自然科学版)》,2008年第28卷第1期
   采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF.热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430 ℃,玻璃化转变温度高达155 ℃.芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高.ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件(ITO/PEDOT∶ PSS(40 nm) /ATF(100 nm)/Ba/Al)的启动电压为7 V,最大外量子效率为0.62.    

12.  不同粒径聚合物纳米粒子的制备及其光谱特性研究  
   张巍  郑伟  李艳辉《吉林大学学报(信息科学版)》,2016年第1期
   为了研究粒径对半导体聚合物量子点(Pdots)的光谱性质的影响,采用9,9-二辛芴基-2,7-二基-1,4-苯并-(2,1,3)-噻二唑共聚物(PFBT)为原材料,利用共沉淀的方法,制备了不同粒径的Pdots,并用动态光散射仪、透射电子显微镜以及吸收和发射光谱仪对PFBT Pdots的粒径、形貌、光谱性质进行测试.结果表明,溶剂纯度会影响高分子链的构象,进而影响Pdots的粒径尺寸,并且随着Pdots粒径的增大,其吸收光谱发生红移,发射光谱发生蓝移.    

13.  端基对侧链含D-A和红色磷光发色团聚芴衍生物光电性能的影响研究  
   秦治军  谭华  朱卫国《湘潭大学自然科学学报》,2012年第34卷第3期
   通过烷基将二(苯基异喹啉)(2-吡啶甲酸)合铱(Ⅲ)红色磷光基团、咔唑电子供体(D)单元和噁二唑电子受体(A)单元同时引入到芴单元9-位的侧链上,设计合成了一类侧链含D-A和环金属铱配合物功能基的聚芴衍生物.通过改变封端剂的分子结构,研究了端基对这类聚芴衍生物光电性能的影响.与引入苯基为端基相比,引入噁二唑为端基能够有效抑制聚芴衍生物的excimer发射,提高这类材料在ITO/PEDOT/聚合物/LiF/Al器件中的发光效率,其中,端基为噁二唑的聚芴衍生物(P1)器件的电流效率是端基为苯基的聚芴衍生物(P2)器件的1.42倍,达到了0.54 cd/A.    

14.  垂直外腔面发射激光器的模拟分析  
   倪演海  戴特力  梁一平  杜亮  伍喻《重庆师范大学学报(自然科学版)》,2011年第28卷第1期
   垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性。结果表明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光,产生足够多的光生载流子(电子—空穴对),这些载流子能轻易地渡越应变补偿层,被量子阱俘获,产生复合发光。其发光带隙1.25 eV,相应波长992 nm,接近设计波长980 nm。InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处,增益系数高达4 000 cm-1。InGaAs/GaAsP/AlGaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm,与980nm的分布布拉格反射镜(DBR)的反射中心波长非常接近,其峰值功率高达23 dB,理论上能够获得较大的输出功率。    

15.  两种新型芴衍生物的合成与性能研究  
   张松《太原理工大学学报》,2014年第5期
   合成了两种新型芴衍生物:2,7-二(2,4-二氟苯基)-9,9-二辛基芴(1)和2,7-二(4-甲氧基苯基)-9,9-二辛基芴(2)。通过元素分析、红外光谱(IR)以及一维核磁共振氢谱(1 H NMR)、碳谱(13C{1 H}NMR)、氟谱(19F{1 H}NMR)对其结构进行了表征。分析了核磁共振谱谱线特征。利用紫外-可见吸收和荧光光谱研究了化合物1,2的发光性能。结果表明:在CH2Cl2溶液中化合物1,2在300~330nm波段有吸收峰,归属于π-π*跃迁;化合物1,2的光学带隙Eg分别为3.53eV和3.32eV,发射峰峰值分别为367nm和387nm,并且具有强烈的深蓝色荧光发射(激发波长为320nm),在二氯甲烷溶液中量子效率分别为0.60和0.80。    

16.  1,4-二(5'-醛基噻吩基-2')-2,5-二辛氧基苯的合成、表征及荧光性质  
   李盛彪  赵丽凤  苏津津  唐超  朱兴荣  范曲立  韦玮  彭波  黄维《华中师范大学学报(自然科学版)》,2007年第41卷第2期
   设计、合成了结构新颖的1,4-二(5'-醛基噻吩基-2')-2,5-二辛氧基苯,并对其结构进行了表征.应用钯催化剂以三丁基锡噻吩与取代的对-二溴苯(3)反应(Stille偶合)生成取代的苯基噻吩(4),产率达到95.2%.由于目标产物(5)本身具有多芳环共轭体系.其荧光效应相当强烈,在氯仿溶液中紫外-可见吸收(UV-vis)和荧光发射(PL)的最大波长分别为413 nm和477 nm,固态荧光发射(PL)波长为504 nm.    

17.  二苯并噻吩砜类化合物的合成和光学性能  
   李业新  牟乃亮  朱沛华《济南大学学报(自然科学版)》,2010年第24卷第1期
   采用Suzuki偶合、傅-克酰基化反应合成3种新化合物:(Ⅰ)3,7-双噻吩基二苯并噻吩砜、(Ⅱ)3,7-双(5-乙酰基噻吩)二苯并噻吩砜、(Ⅲ)3,7-双(对三氯甲基苯基)二苯并噻吩砜;并利用核磁共振氢谱(1HNMR)和碳谱(13CNMR)及元素分析方法表征结构,研究3化合物膜及溶液的光学性质。结果显示:新化合物分子具有C2对称性;3,7-双(5-乙酰基噻吩)二苯并噻吩砜在不同溶剂中存在溶剂化效应,其膜的荧光光谱出现非常明显的红移现象。    

18.  具有分子末端醇羟基的聚芴的合成  
   王峰  王亚琴  任玲《合肥工业大学学报(自然科学版)》,2006年第29卷第6期
   文章以2,7-二溴芴和4-羟甲基-苯基-硼酸为原料,通过成熟的钯催化的Suzuki反应路径合成了聚芴,在其分子末端含有醇羟基,从NMR、GPC的分析结果可知获得的聚芴聚合度为14左右。结果证明,目标聚合物容易溶解于四氢呋喃,在四氢呋喃溶液中最大吸收和发光位置分别在377 nm和416 nm;利用NMR、GPC及荧光光谱等手段表征中间体和目标聚合物,并对目标聚合物的潜在应用进行了展望。    

19.  准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质  被引次数:1
   李冬梅  程杰  张大成  刘德胜  解士杰《山东大学学报(理学版)》,2004年第39卷第5期
   利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质.以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征,阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩,垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料.计算发现,改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光,跃迁能随链长的增加而减小,表现为光吸收谱红移.    

20.  新型超支化发光聚合物合成与表征  
   王晓晨  王海侨  李效玉《北京化工大学学报(自然科学版)》,2009年第36卷第3期
   以具有高荧光量子效率的二(4-羟基苯乙烯基)苯(PV)为A2发光单体,以四官能度的对甲基苯磺酸季戊四醇酯为B4支化单体,采用A2+B4的路线,合成了一类新型的具有三维结构的部分共轭型超支化电致发光聚合物;为了改善聚合物中载流子的平衡注入能力,又分别在分子的骨架和外围引入具有良好电子传输功能的噁二唑(OXD)基团;利用核磁共振、DSC、紫外 可见分光光度计、荧光光谱仪等分析测试手段对单体及聚合物进行了结构与性能表征。结果表明:具有超支化结构的聚合物热稳定性明显改善;噁二唑基团的引入有利于提高聚合物的玻璃化温度;将噁二唑基团引入到分子中后,其紫外吸收光谱和荧光光谱均出现蓝移现象,降低了电子注入势垒。    

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