晶体结构对(Zn,Cd)S:Cu电致发光材料发光性能的影响

采用X射线衍射法定量测定了不同Cd2+含量下,(Zn,Cd)S:Cu,Cl电致发光粉的晶体结构成分.发现随着Cd2+的增加,材料中立方结构的含量逐渐减少,发光光谱向长波方向移动,而且亮度逐渐降低.利用相变使材料结构由六角结构向立方结构转变,大幅度提高了材料的发光亮度.     

变色电致发光显示器的光谱研究

对大部分电致发光显示器而言,发射光谱随激发电压的变化是不明显的,仅随激发频率而变化．本文所研究的特殊的ＺｎＳ：Ｍｎ．Ｃｕ材料,情况有所不同,发射光谱随激发电压的变化非常明显．随激发电压的增加,光谱从蓝到绿直至变为橙黄色．随激发频率的增加,光谱逐渐变蓝,这就是变色的电致发光．本文重点研究发射光谱随激发电压的变化,并讨论了随激发电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带增长速度不同的原因是由于激发机理不同而引起的．     

ZnS:Cu的电致发光特性

为了以ZnS为基质材料获得蓝色电致发光 ,烧结了ZnS :Cu ,进而制备了薄膜电致发光显示器件 .测量了其电致发光光谱 ,发现它具有 4个峰 .研究了发光强度随电压、频率变化的规律 .结果表明 ,利用ZnS :Cu可获得蓝色电致发光 .     

双掺杂核壳结构ZnS：Mn@ZnS：Cu量子点的水热法合成及其光致发光性能

以巯基丙酸为稳定剂,水热法合成了分别用Mn和Cu双掺杂、核壳结构的新型量子点( ZnS：Mn@ZnS：Cu)。工作中,分别考察了原料配比、反应温度、反应时间、pH值、核壳比例和掺杂量对 ZnS：Mn@ZnS：Cu光致发光性能的影响,用扫描隧道显微镜、X射线粉末衍射等手段表征了ZnS：Mn@ZnS：Cu的形貌与结构,用荧光等光谱方法研究了其性能。结果表明,ZnS：Mn@ZnS：Cu量子点性能稳定,其荧光、磷光和热稳定性等性能明显优于单掺杂的ZnS：Mn量子点。     

ZnS：Cu2+应力发光薄膜力学性能研究及应用

采用ZnS:Cu²⁺应力发光粉末与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合制备ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜。利用数字图像相关(DIC)方法对ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜进行轴向拉伸测试,获得其全场变形、应变分布信息,证实其具有良好的柔弹性形变性能。将ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜应用于混凝土断裂监测中。监测结果表明：ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜在混凝土裂缝扩展过程中发光效果明显,可以较好地实现混凝土断裂过程的可视化监测。     

一种新型有机发光材料的光致发光和电致发光

一种新型有机发光材料的光致发光和电致发光刘星元１）印寿根２）李文连１）黄文强２）虞家琪３）（１）中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１；２）南开大学吸附分离功能高分子材料国家重点实验室；３）中国科学院激发态物理开放研究实验室）关键词有机材料，光...     

Cu掺杂ZnS的第一性原理计算

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnS掺杂Cu前后的电子结构和光学性质。通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现引入杂质Cu后,在价带顶Cu3d态与S3p态发生p-d排斥,造成价带顶向高能端移动;在导带底Zn4s与Cu3p相互重叠,发生杂化,引起导带向低能端偏移,两方面的作用使得ZnS的带隙变小。掺Cu后ZnS的光吸收向低能端扩展,并且在可见光区生成新的吸收峰。     

Er掺杂的ZnS纳米带的合成和光致发光性质

以金为催化剂,利用热蒸发方法合成掺杂铒(Er)的ZnS纳米带。X射线衍射(XRD)结果表明Er掺杂的ZnS纳米带仍具有六方纤锌矿结构。采用激发波长为244nm激发样品,发现Er掺杂的ZnS纳米带的光致发光(PL)谱中共有5个发光峰,它们的位置为437,520,549,673和805nm,分别对应ZnS纳米带本身缺陷,Au离子掺杂,以及Er~(3+)离子~4S_(3/2)-~4I_(15/2),~4F_(9/2)-~4I_(15/2)和~4I_(9/2)-~4I_(15/2)跃迁引起的发光。     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

蓝色有机薄膜电致发光材料LiBq4

合成了一种新型的金属有机螯合物ＬｉＢｑ４（Ｌｉｔｈｉｕｍ ｔｅｔｒａ－（８－ｈｙｄｒｏｘｙ－ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｂｏｒｏｎ）,并研究了其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的性质,在以ＬｉＢｑ４为发光层的三层结构器件ＩＴＯ／ＴＰＰ（５０ｎｍ）／ＬｉＢｑ４（５０ｎｍ）／ＡｌＱ（５ｎｍ）／Ａｌ中得到了蓝色发光。     

蓝色荧光硫化锌材料的制备及其发光特性

采用热扩散掺氯的方法,制备了在室温紫外光激发下发射蓝色荧光的硫化锌粉末荧光材料.用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)研究了不同扩散温度下得到的样品的晶格结构和形貌;用荧光光谱(PL)仪测量了不同扩散温度下制备的样品的荧光光谱,得出700~1 000℃是扩散掺杂氯制备蓝色荧光硫化锌材料的温度条件,并对发光样品的发光机理进行了研究.     

激活剂对粉末电致发光材料发光性能的影响

采用掺杂2种激活剂制备了粉末电致发光材料ZnS:Cu,Au,发现激活剂Cu+,Au+的掺杂量对材料亮度有较大影响.当掺入激活剂Au+与基质ZnS的质量比为0.05%,而掺入Cu+的量比达到0.29%时,得到了在400 Hz,150 V激发下,亮度可达105 cd/m2的绿色电致发光材料.通过光谱分析发现,掺杂后并没有改变发光材料的颜色.同时,用扫描电子显微镜(SEM)对ZnS:Cu,Au颗粒进行了尺寸和形貌表征.     

金催化合成硫化锌纳米线及其发光性质的研究

采用金催化和直接蒸发ZnS粉末的方法,合成出大量具有纤锌矿结构的单晶ZnS纳米线。该纳米线的线径均匀,线形规则,直径在80~120 nm,长度约几十微米。研究发现纳米线的形貌对合成的温度很敏感,合成温度的升高会导致纳米线直径的迅速增加。单根纳米线EDS分析表明,ZnS纳米线线体中均匀分布着Au元素,Au元素的掺入是纳米线生长形成后由端部颗粒通过固态扩散进入纳米线中。室温光致发光谱显示:ZnS纳米线有两个发光峰,分别位于446 nm和520 nm处。446 nm的发光峰是由缺陷所致,而520 nm左右的发光峰是由Au元素掺杂所致。     

Study on Microcrystaline Structure and Luminescence of ZnS Thin Film Devices

Zinc sulfide is a type of Ⅱ-Ⅵ semiconductor comp ou nd with wide band gap. Having high brightness and low consumption, the thin film devices of zinc sulfide have broad prospects for application. These have made t hem attractive for popularity. In order to improve the luminescence characterist ics of the devices, recently, the investigation on electroluminescence(EL) thin film devices have been turning from macro properties to microstructure area. In this paper, we made the thin film devices of ZnS:Cu,Cl,...     

CuS/Cu2+和ZnS/Zn2+纳米溶胶的合成与光学性质的研究

利用超声制备了无机纳米溶胶CuS/Cu2 、ZnS/Zn2 ,分别研究了两种纳米粒子的大小和光学性质,两者的共振光散射都很强且稳定,初步展现了其具有良好的应用前景.     

Photoluminescence and Electroluminescence on Nanosilicon Deposited by Yb

Dynamics of photoluminescence（ PL） and electroluminescence（ EL） on nanosilicon deposited by Yb is investigated. The sharper PL peaks near 700 nm are observed on silicon quantum dots（ Si QDs） coated by Yb. The enhanced EL peaks in the wavelength region from 1 200 nm to 1 600 nm are measured on silicon film deposited by Yb. It is discovered that the EL intensity enhances and the peaks number increases with increasing number of Si-Yb layers. The emission wavelength could be manipulated into the window of optical communication by SiYb bonding on nanosilicon. Si-Yb quantum cascade and PIN hybrid light-emitting diode is designed to apply in optical communicating,which is suitable to be integrated on silicon chip.