|
1.
|
激活剂对粉末电致发光材料发光性能的影响
|
|
|
|
|
|
|
王伟平 李志强 徐丽云 侯志青 韦志仁《河北大学学报(自然科学版)》,2007年第27卷第2期
|
|
|
采用掺杂2种激活剂制备了粉末电致发光材料ZnS:Cu,Au,发现激活剂Cu+,Au+的掺杂量对材料亮度有较大影响.当掺入激活剂Au+与基质ZnS的质量比为0.05%,而掺入Cu+的量比达到0.29%时,得到了在400 Hz,150 V激发下,亮度可达105 cd/m2的绿色电致发光材料.通过光谱分析发现,掺杂后并没有改变发光材料的颜色.同时,用扫描电子显微镜(SEM)对ZnS:Cu,Au颗粒进行了尺寸和形貌表征.
|
|
2.
|
8羟基喹啉锌的能态结构研究 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
蒋大鹏 张立功 范翊 任新光 王子君 李亚君 关中素 吕安德《科学通报》,1996年第41卷第24期
|
|
|
由于有机电致发光具有高亮度、低驱动电压、宽光谱范围(整个可见区)和丰富的材料选择等特点,在大面积平板显示器件研究中展现出广阔的应用前景.1987年Tang将多层结构引入有机电致发光器件以来,有机电致发光的研究在材料选择和器件结构等方面都取得了较大的进展.Adachi,等将有机电致发光器件制备成具有电子和空穴输运层的典型结构(ITO/空穴输运层/发光层/电子输运层/Mg:Ag).Burroughes和Heeger先后分别将聚合物引入有机电致发光研究中,用聚合物作为空穴输运层或发光层均取得了较好的效果.在有机小分子材料中,8羟基喹啉金属化合物一直是一个十分引人注目的材料体系,特别是8羟基喹啉铝和锌,其电致发光亮度超过15000cd/m~2.本文对8羟基喹啉锌的光致发光、吸收和激发光谱进行了研究,发现8羟基喹啉锌的发光来自380nm的吸收带,并且给出了可能的能态结构.1实验8羟基喹啉锌粉末材料是由本实验室自己合成的,其杂质浓度低于10~(-5).8羟基喹啉锌薄膜采用真空蒸发方法制备,蒸发时的真空度为1.07×10~(-2)Pa.8羟基喹啉锌粉末的光致发光光谱和激发光谱是利用MPF-4荧光分光光度计测量的,光致发光光谱的激发光波长为365nm,激发光谱的检测光波长为520nm.8羟基喹啉锌薄膜的吸收光谱是利用UV-360分光光度计测量的.
|
|
3.
|
温度对电致发光粉表面包覆SiO_2膜特性的影响
|
|
|
|
|
|
|
李娟 李志强 田少华 吴峰《河北大学学报(自然科学版)》,2004年第24卷第1期
|
|
|
采用化学气相沉积法,以硅酸乙酯和氧气作为前驱体在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,并对样品进行了能量色散X射线分析,AgNO3抗腐蚀,发光亮度和光谱等测试.结果证实当温度为500℃时,包膜样品具有良好的防潮抗腐蚀性能,材料发光寿命得到明显改善,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.
|
|
4.
|
高密度发光材料Pb_2MgWO_6的制备和发光特性研究
|
|
|
|
|
|
|
张庆礼 郭常新 施朝淑 刘万栓《中国科学技术大学学报》,2001年第5期
|
|
|
论文研究了高密度发光材料Pb2 MgWO6的制备方法 ,测量了它在室温下的结构、光致发光光谱、激发光谱和漫反射谱 .Pb2 MgWO6多晶粉末由固相反应法制备 ;制备时配料中一定剂量的MgO过剩有利于形成稳定的单相Pb2 MgWO6,且抑制寄生相的形成 ;烧结时间和温度、冷却过程对寄生相的生成也有显著影响 ;可能是过剩MgO对Pb2 MgWO6晶核的包敷作用所致 .由X 射线衍射得到Pb2 MgWO6的计算密度为9 2 6g/cm3 .Pb2 MgWO6光致发光光谱的激发带位于 2 0 0nm～ 30 0nm ,发射峰位于 482nm和 579nm
|
|
5.
|
Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究
|
|
|
|
|
|
|
段恒勇《哈尔滨师范大学自然科学学报》,2004年第20卷第2期
|
|
|
首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件，其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu，制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右，而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．
|
|
6.
|
ZnS:Cu的电致发光特性
|
|
|
|
|
|
|
赵辉 侯延冰 何大伟 衣立新 徐叙王容《北京交通大学学报(自然科学版)》,2001年第25卷第3期
|
|
|
为了以ZnS为基质材料获得蓝色电致发光 ,烧结了ZnS :Cu ,进而制备了薄膜电致发光显示器件 .测量了其电致发光光谱 ,发现它具有 4个峰 .研究了发光强度随电压、频率变化的规律 .结果表明 ,利用ZnS :Cu可获得蓝色电致发光 .
|
|
7.
|
电子俘获材料ZnS：Cu，Pb，Mn发光机理研究 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
谢大兵《科学技术与工程》,2010年第10卷第5期
|
|
|
对电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn作了XRD分析,并测试了材料的荧光谱、荧光激发谱、红外激励发光谱、红外激励谱、荧光余辉衰减曲线等光谱特性。结果显示:材料为六方晶系ZnS单相;可受460nm以下的紫外及可见光激发;红外响应范围为(700—1600)nm;荧光和红外激励发光的峰值波长在490nm和580nm。根据光谱特性对ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理进行了探讨,提出了ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理能级模型,并结合模型对材料的激发和激励过程作了具体的分析。
|
|
8.
|
有机电致发光器件的研制及其性能测试 被引次数：2
|
|
|
|
|
|
|
邱勇 张德强 刘晓喧 解志良《清华大学学报(自然科学版)》,1997年第12期
|
|
|
有机电致发光器件是当前国际上的一个研究热点。文中分别利用８－羟基喹啉铝和聚乙烯咔唑作为电子传输层和空穴传输层，通过染料掺杂制得发绿光的双层有机电致发光器件。器件的最大发射峰位于４９１ｎｍ；驱动电压为２２Ｖ时，发光亮度超过２００ｃｄｍ－２。另外，还讨论了器件发光光谱的电压效应，并测定了器件的电流－电压、亮度－电压曲线。通过对比器件在室温条件下保存一周前后的发射光谱，发现器件的发光强度在保存一段时间后有较大的衰减，但其发光光谱的形状则保持不变。
|
|
9.
|
C_(60)-芳胺衍生物的制备及光谱特性研究
|
|
|
|
|
|
|
沈悦 张建成 于斌 严继康《上海大学学报(自然科学版)》,1997年第Z1期
|
|
|
以Ｃ６０、苯胺、乙二胺为原料，选择适当的反应途径，制备了Ｃ６０－芳胺衍生物，产物经红外吸收光谱、Ｈ质子核磁共振谱测定，推测了大致结构和反应机理．对其光致发光光谱的特性进行研究，并与Ｃ６０发光光谱比较，室温下观测到峰值位于４５０ｎｍ附近较强的光致发光现象．
|
|
10.
|
高效蓝紫光器件的实现: 苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混
|
|
|
|
|
|
|
田仁玉 莫越奇 彭俊彪《科学通报》,2006年第51卷第13期
|
|
|
以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层, 制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管, 研究了共混比例对器件性能的影响. 发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优, 在发光亮度为105 cd/m2时, 器件的外量子效率可以达到1.96%, 电致发光光谱的峰值位于397 nm, 半高宽为67 nm. 分析表明, PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡, 是使器件性能明显提升的主要原因.
|
|
11.
|
高密度发光材料Pb2MgWO6的制备和发光特性研究
|
|
|
|
|
|
|
张庆礼 郭常新 施朝淑 刘万栓《中国科学技术大学学报》,2001年第31卷第5期
|
|
|
论文研究了高密度发光材料Pb2MgWO6的制备方法，测量了它在室温下的结构，光致发光谱，激光发谱和漫反射谱，Pb2MgWO6多晶粉末由固相反法制备，制备时配料中一定剂量的MgO过剩有利于形成稳定的单相Pb2MgWO6，且抑制寄生相的形成，烧结时间和温度，冷却过程对寄生相的生成也有显著影响，可能是过剩MgO对Pb2MgWO6晶核的包敷作用所致，由X－射线衍射得到Pb2MgWO6的计算密度为9．26g/cm^3，Pb2MgWO6光致发光光谱的激发带位于200nm-300nm，发射峰位于482nm和579nm.
|
|
12.
|
变色电致发光显示器的光谱研究 被引次数：1
|
|
|
|
|
|
|
朱宁 石磐《天津理工学院学报》,1998年第14卷第2期
|
|
|
对大部分电致发光显示器而言，发射光谱随激发电压的变化是不明显的，仅随激发频率而变化，本文所研究的特殊的ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｕ材料，情况有所不同，发射光谱激发电压的变化非常明显，随激发电压的增加，光谱从蓝到绿直到变为橙黄色，随激发的增加，光谱逐渐变蓝，这就是变色的电致发光，本文重点研究发射光谱随激发电压的变化，并讨论了随激发电压的增加，发射光谱中蓝带和黄增长速度不同的原因是由于激发机理不同而引起的。
|
|
13.
|
变色电致发光显示器的光谱研究
|
|
|
|
|
|
|
朱宁 石磐 孟宪域 李志华《天津理工大学学报》,1998年第2期
|
|
|
对大部分电致发光显示器而言，发射光谱随激发电压的变化是不明显的，仅随激发频率而变化．本文所研究的特殊的ＺｎＳ：Ｍｎ．Ｃｕ材料，情况有所不同，发射光谱随激发电压的变化非常明显．随激发电压的增加，光谱从蓝到绿直至变为橙黄色．随激发频率的增加，光谱逐渐变蓝，这就是变色的电致发光．本文重点研究发射光谱随激发电压的变化，并讨论了随激发电压的增加，发射光谱中蓝带和黄带增长速度不同的原因是由于激发机理不同而引起的．
|
|
14.
|
混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜
|
|
|
|
|
|
|
唐春玖 刘祖刚 赵伟明 王林军 蒋雪茵 张志林 许少鸿《上海大学学报(自然科学版)》,1997年第Z1期
|
|
|
以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．
|
|
15.
|
以陶瓷厚膜为绝缘层的橙色电致发光器件的研究
|
|
|
|
|
|
|
杨健 管世振 朱宁《天津理工大学学报》,2007年第23卷第5期
|
|
|
报道了采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙色电致发光器件(TDEL).介绍了器件的制造工艺,测量了器件的电致发光光谱、阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压.
|
|
16.
|
PVK:ACY掺杂体系的电致发光特性 被引次数：2
|
|
|
|
|
|
|
张磊 胡玉才 余双江 于军胜《科技导报(北京)》,2010年第28卷第3期
|
|
|
利用溶液旋涂的湿法工艺，通过改变了聚合物与荧光染料掺杂体系中poly（N—vinylcarbazole）（PVK）与[7-diethylamino-3-（2-thienyl）chronmen-2-ylidene]-2，2-dicyanoviny-lamine（ACY）的比例，制备了结构为indium-tin-oxide（ITO）／PVK：ACY／tris（8-quinolinolato）aluminum（Alq3）／Mg：Ag的有机电致发光器件，并对掺杂体系的电致发光特性进行了研究。结果表明。当复合功能层中ACY和PVK的质量比为0．7％时，器件发光亮度最高，达到了9467cd／m^2；在电致发光光谱中，同时出现ACY和AIq。的红光发射和绿光发射峰，并且随着掺杂比例的增加，器件的电致发光光谱强度出现先减小后增大的变化趋势。从材料的分子结构、空间构成、发光类型等方面讨论了其发光特性的变化。
|
|
17.
|
金催化合成硫化锌纳米线及其发光性质的研究
|
|
|
|
|
|
|
陈林 陈翌庆 苏勇 姜晶 刘红樱《合肥工业大学学报(自然科学版)》,2006年第29卷第2期
|
|
|
采用金催化和直接蒸发ZnS粉末的方法,合成出大量具有纤锌矿结构的单晶ZnS纳米线。该纳米线的线径均匀,线形规则,直径在80~120 nm,长度约几十微米。研究发现纳米线的形貌对合成的温度很敏感,合成温度的升高会导致纳米线直径的迅速增加。单根纳米线EDS分析表明,ZnS纳米线线体中均匀分布着Au元素,Au元素的掺入是纳米线生长形成后由端部颗粒通过固态扩散进入纳米线中。室温光致发光谱显示:ZnS纳米线有两个发光峰,分别位于446 nm和520 nm处。446 nm的发光峰是由缺陷所致,而520 nm左右的发光峰是由Au元素掺杂所致。
|
|
18.
|
苯热合成法制备强紫外光致发光a—SiOxCyHZ膜
|
|
|
|
|
|
|
李明 傅正平《中国科学技术大学学报》,1999年第29卷第6期
|
|
|
用苯热合成法分别在２００ ℃、３００ ℃、４００ ℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ 膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比．实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ ｎｍ 发光峰，在４００ ℃生长的样品的发光谱中还出现了３８０ ｎｍ 的伴峰．对Ｘ射线衍射谱，Ｆｏｕｒｉｅｒ 变换红外吸收谱，Ｘ 射线光电子能谱，光致发光谱，及光致发光激发谱的分析表明，３４０ ｎｍ 的发光来源于氧化硅中的缺陷，而３８０ ｎｍ 的发光峰可能与材料中的ＳｉＣ和ＳｉＳｉ 键有关．
|
|
19.
|
ZnCoO和ZnO纳米棒阵列的结构及发光特性 被引次数：2
|
|
|
|
|
|
|
李敏 刘艳美 王维娜《安徽大学学报(自然科学版)》,2010年第34卷第3期
|
|
|
高浓度排列的ZnCoO、ZnO纳米棒在70℃下水热反应垂直生长在含ZnO薄膜涂层的玻璃上,这些阵列的形貌、结构和发光机理分别用场射扫描电子显微镜、X-ray衍射、光致发光来研究,显示出纳米棒直径为150 nm,沿着[0001]方向生长,氨水浓度和ZnO缓冲层在ZnCoO纳米棒成核和生长中起着重要的作用.用波长为325 nm的激光激发样品,测量了光致发光谱,光致发光表明PL光谱是由宽紫外光和可见光构成,并进一步观察发光谱随激发光功率密度的变化关系,对谱线强度、峰值波长进行了测量,同时对发光谱产生的机理、强度饱和值存在的原由、强度随激发光功率密度变化及紫光峰红移的起因进行了分析.
|
|
20.
|
氟助色团对芴类分子电致发光材料的光电性能影响
|
|
|
|
|
|
|
娄双玲 于军胜 蒋亚东 郭国君 张清《科学通报》,2008年第53卷第13期
|
|
|
利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发射光谱, 比较了共轭结构芴类小分子有机材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl)quinoxaline(Py), 2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)和 2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl)-5,6,7,8-tetrafluoroquinoxaline(F4Py)的光谱特性; 选用N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)材料作为空穴传输层, 利用真空蒸镀方法制备了双层有机电致发光器件(organic light-emitting device, OLED), 研究了其电致发光特性, 进而讨论了增加氟助色团对芴类有机小分子光电性能的影响. 结果表明, 随着氟取代基的增加, 材料薄膜状态的吸收谱和荧光光谱均发生了红移. 器件方面, Py在5 V驱动电压下发出508 nm的蓝绿光, 色坐标为(0.23, 0.43), 半峰宽为100 nm; 器件启动电压(定义为当亮度达到1 cd/m2的驱动电压)为4.8 V; 在10 V驱动电压下, 亮度达到129 cd/m2, 电流密度为59 mA/cm2; 在5.4 V电压下具有最大流明效率0.18 lm/W. F2Py和F4Py在5 V驱动电压下分别发出544 nm的绿光和570 nm的黄光, 色坐标分别为(0.38, 0.56)和(0.44, 0.49), 半峰宽分别为103和117 nm; 器件启动电压分别为4和2 V; 在10 V电压下, 亮度分别为557和3300 cd/m2, 电流密度分别为100和880 mA/cm2, 分别在7.6 V电压下具有最大流明效率0.22 lm/W和在2 V电压下具有最大流明效率0.53 lm/W.
|
