Cs3ZnCl5：C0^2＋精细结构、EPR参量和磁化率研究

基于完全对角化方法和Zhao的半自洽场d轨道理论，从Cs3ZnCl5：C0^2＋的杂质局部结构对其光谱精细结构作了解释，在此基础上进一步计算了电子顺磁共振（EPR）g因子、零场分裂（ZFS）D值和顺磁磁化率，计算结果与实验值符合．     

用光谱和EPR谱确定A12O3：Ni^2＋晶体的局部结构参数

采用半自洽场（semi-SCF）d-轨道模型和点电荷模型，通过完全对角化方法，在晶体掺杂过渡金属离子后其空间结构对称性不会被破坏的条件下，由吸收光谱、EPR谱确定了A12O3：Ni^2＋晶体的局部对称结构参数，建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系，统一解释了A12O3：Ni^2＋晶体的吸收光谱、EPR谱．所得理论计算结果与实验值符合得很好．     

无限域考虑桥联影响的反平面裂纹动态扩展

在考虑与裂纹面位移成正比的桥联力影响下，对无限大纤维增强复合材料中半无限长反平面裂纹的动态传播进行了讨论．利用Fourier变换，问题简化成一个方程，利用Wiener-Hopf技术进行了求解．得到的应力强度因子可以表达成一个速度修正因子与静态应力强度因子乘积的形式．结论有：(1)由材料性能决定的音速是裂纹传播速度的上限；(2)桥联纤维在增韧复合材料和组织裂纹扩展中起了关键作用；(3)受桥联纤维力作用的半无限长裂纹在无限域中扩展等效于半无限长裂纹在带域中扩展．     

中国股市横截面预期收益解释因子的实证研究

采用Fama和French的组合设计和因子构造方法，对CAPM单因子、Fama和French三因子、公司特征、流通股比例等对中国股市横截面预期收益的解释能力进行了实证研究，结果发现：①市场Beta不具有解释能力；②账面市值比具有显著的解释能力，而公司规模则始终未表现出解释能力；③账面市值比相关因子载量具有一定的解释能力，而公司规模相关因子载量则始终未表现出解释能力；④流通股比例具有一定的解释能力，特别是与公司规模或其相关因子在一起时，其解释能力尤为显著．     

Cr^5＋：alkali lead borotellurite玻璃吸收光谱的理论研究

关于对alkali lead borotellurite玻璃吸收光谱的研究具有重大的现实意义．采用点电荷模型,调节R1和R2的值,对alkali lead borotellurite玻璃中Cr^5＋的吸收光谱进行理论解释,计算了d-d跃迁,对实验结果的一些主要吸收峰进行识别,同时还计算了g因子．计算结果表明能级的理论值与吸收光谱的实验值以及g因子的实验值和理论值都符合的比较好．由此确定了alkali lead borotellurite玻璃中键长R1和R2．     

五相混合式步进电动机的隔相五边形驱动

研究了五相混合式步进电动机的隔相五边形驱动方式，分析了电机的运行特性，解释了这种驱动方式抑制电机中频振荡的机理．实验结果表明，与典型的五相星接半桥驱动相比，这种驱动方式不但对电机的中频振荡起到了一定的抑制作用，而且还可以提高电机在中频段的牵出转矩．     

自由表面流动的移动粒子半隐式模拟方法

引入可压缩因子，对移动粒子半隐式方法（MPS）进行了改进，解决了MPS方法在计算中容易出现的不稳定问题．使用改进后的方法对液柱倒塌算例进行了模拟计算，并将计算结果与实验及其他数值计算结果进行了比较．计算表明，引入可压缩因子大大提高了计算的稳定性，且方法简单易于实现，在液柱与挡板发生碰撞、流体发生大变形时依然能进行有效地模拟。     

金属／n型半导体（Au／n—GaN）肖特基势垒的研究

材料Au/nGaN在600度温度淬火后，利用电流－电压测量，XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒，电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1．24eV,1.03，理想因子为1．12的势垒最大高度为1．35eV，XPS数据表明：600度温度的淬火导致能带向上弯曲0．35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0．25eV，我们的结论可以用Cowley-Sze模型来解释，结合表明，在GaN表面有受主态密度。     

[Cu(H_2O)_2(en)][SO_4]晶体的局域结构和吸收光谱研究

根据赵敏光等提出的半自洽3d轨道模型和点电荷模型,建立了过渡金属离子晶体的局域结构与吸收光谱之间的定量关系,对[Cu（H2O）2（en）][SO4]晶体的局域结构和吸收光谱进行了统一解释,还预测了其EPR谱的值．其理论计算结果与实验观测值符合．     

壳聚糖类植物保养剂对玉米根生理作用初探

使用不同浓度的壳聚糖、羧甲基壳聚糖及因子A对玉米进行浸种实验，发现适当浓度的壳聚糖类物质及因子A单独及复合均可提高苗期玉米根的重量、吸收面积和脱氢酶活性。其提高作用随壳聚糖及其衍生物和因子A等不同和浓度变化而不同。在单因子实验中，0．01％～0．025％的壳聚糖类物质和0．001％的因子A对玉米根活力有较好的促进作用。在单因子实验结果基础上初步形成了“复方植物保养剂”的几种不同配方，并对该配方进行实验，得到比单纯壳聚糖类物质及因子A促进效果更好的最佳配方为0．001％因子A加上0．01％的壳聚糖和0．01％的脱乙羧基壳聚糖，其可提高玉米根干重的61．1％，活跃吸收面积的37．20％和脱氢酶的80．82％。     

用光谱和零场分裂确定晶体K2ZnF4:Ni2+的局部结构参数

采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷-偶极子模型,利用完全对角化方法,由K2ZnF4:Ni2 的d-d跃迁光谱和零场分裂D,确定了晶体K2ZnF4:Ni2 在常温(290 K)和低温(4.2 K)下的局部结构参数,并预测了顺磁g因子的大小.建立了局部结构参数与光谱、零场分裂之间的定量关系,并统一解释了K2ZnF4:Ni2 晶体的光谱和零场分裂的实验值,所得理论结果与实验值符合得很好.     

CuGeO_3的电子顺磁共振研究

本文借助于Ｃｕ２＋离子的近似自洽扬ｄ轨道理论，对ＧｕＧｅＯ３中Ｃｕ２＋离子ｄ轨道混合基态波函数和ｇ因子进行了计算．     

SrAl_(12)O_(19):Mn~(2+)晶体的吸收光谱及g因子的理论研究

本文引入平均共价因子, 采用点电荷模型, 对SrAl12O19:Mn2+晶体的吸收光谱及因子进行理论研究, 计算结果表明理论值与实验值符合较好. 其次, 利用=110时g因子的实验值, 得出了键长随温度变化的关系.     

晶体中^4A2（d^3）态离子g因子的计算

利用完全对角化方法，为晶体中＾４Ａ２态离子ｇ因子的计算提供了一条有效的途径。作为应用对红宝石激光晶体Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３进行了研究。     

计及核自旋时原子的Landég因子表达式

用矢量模型方法推导了考虑核自旋的原子Landég因子公式．结果表明此公式可作为文献[1]中给出的g因子通式的特例．     

jj耦合g因子

本文从矢量模型出发，导出纯ｊｊ耦合下ｇ因子表达式，并证明了当近似取ｇｓ＝２时，该式等价于量子力学的ｇ因子矩阵略去非对角元的结果，说明了矢量模型的近似程度。     

Co2+∶ZnSiF6.6H2O的g因子随压力变化的研究

The high-pressure state equations are determined from the experimental results on the pressure dependence of the g-factor and crystal structure.The pressure dependence of the g-factor of Co²⁺ZnSiF₆^.6H₂O has been investigated by adopting the method of complete diagonlization and using the state equations.The theoretical results agree well with experimental ones.     

四面体络离子（CrO4）^4-电子顺磁共振g因子的理论计算

用四面体络离子（CrO4）^4-g因子完全高阶微扰公式计算了Ba3Ge2O7晶体g因子，与双SO耦合参数模型相比，荷移模型计算的g因子与实验值更接近。荷移模型获得的g因子与实验值的差仅为0．0003，而双SO耦合参数模型获得的g因子与实验值的差高达0．0249。     

四面体络离子(CrO_4)~(4-)电子顺磁共振g因子的理论计算

用四面体络离子(CrO4)4-g因子完全高阶微扰公式计算了Ba3Ge2O7晶体g因子,与双SO耦合参数模型相比,荷移模型计算的g因子与实验值更接近。荷移模型获得的g因子与实验值的差仅为0.0003,而双SO耦合参数模型获得的g因子与实验值的差高达0.0249。     

CsNiCl_3的热膨胀分析

本文使用哈密顿矩阵，计算出ＣｓＮｉＣｌ３的能级和ｇ因子随温度的变化，分析出Ｎｉ２＋－Ｃｌ－键长从５Ｋ～３００Ｋ的热膨胀，得到线性热膨胀为：δＲ＝Ｒ（３００Ｋ）－Ｒ（５Ｋ）＝２×１０－２和线性热膨胀系数：α＝１ＲｄＲｄＴ＝２．７３×１０－５Ｋ－１．