低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜

采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。     

ZnxCd1-xSe薄膜的研究进展

介绍了ZnxCd1-xSe薄膜的最新发展和研究现状及制备方法,从应用、工艺与性能等方面分析了它们的优势和不足之处,讨论了ZnxCd1-xSe薄膜的发展趋势。     

TiO2-x(V2O5)纳米复合薄膜的光吸收

采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了复合薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,研究其光吸收特性 .实验结果表明 :复合薄膜具有纳米颗粒结构 ;随着V2 O5用量的增加 ,复合薄膜在紫外光区的吸收逐渐增加 ,(αhv) 1/ 2 与hv存在线性关系 ,光学带隙由纯TiO2 的 3.36eV减小为x =30 %时的 2 .83eV ,光学带隙与x满足Eg(x) =Eg(0 ) [Eg(1)-Eg(0 ) -b]x bx2 关系式 ;复合薄膜光吸收边缘红移起因于V2 O5复合后薄膜中定域态宽度的增加 .     

La_(1-x)Sr_xMnO_3阴极材料的制备及性能

溶胶-凝胶法制备单相性、均匀性较好的La(1-x)SrxMnO3（x=0．1,0．2,0．3,0．4,0．5）纳米微粉系列样品,并用X射线衍射分析样品的结构类型．考察样品的烧结特性和高温电导率随晶粒尺寸的变化规律．通过电池伏安特性曲线的测量,对锰酸锶镧作为（ZrO2）0.92（Y2O3）0.08电解质燃料电池阴极的性能进行研究．     

电淀积CdSe_xTe_(1-x)薄膜的相结构和成分分析

本文采用阴极电淀积法在镀Ni黄铜衬底上制备CdSe_xTe_(1-x)多晶半导体薄脱。用X射线衍射仪和X射线能谱分析仪,对淀积物的相结构和成分作了分析和测定。由此可肯定淀积物具有立方闪锌矿结构,它实际上是由结构相同的CdSe和CdTe组成的两相混合物。同时也指出在淀积层中还含有相当数量的游离镉金属。     

Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系退火特性

通过溶胶-凝胶法获得孔SiO_2载体。浸泡合成法获得Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系样品,在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征,在两种不同的气氛下,它们的退火行为不同,前者的光吸收谱表现为红移而后者则蓝移。     

Ba(1-x)LaxTiO3纳米晶的正电子湮没研究

用溶胶-凝胶技术制备了La掺杂改性的BaTiO3纳米晶体,采用透射电镜、正电子湮没寿命谱仪对目标产物进行了测试.结果表明:当0相似文献   

直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究

利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.     

Eu~(3+):ZnO_(1-x)S_x-2TiO_2-SiO_2发光材料的制备与发光性质

采用溶胶凝胶法与沉淀法,制备了Eu3+:ZnO1-xSx-2TiO2-SiO2发光材料,通过DTA-TG、IR、Raman、XRD、激发和发射光谱研究了材料的结构和发光性能.结果表明,样品在600℃退火处理后,体系基本达到稳定状态,主要以TiO2、ZnS的晶态形式存在;存在Ti-O-Ti、Si-O-Si、Ti-O-Si,Zn-S键,且Si-O-Si三维网络结构被破坏,这种结构的变化有利于Eu3+的掺杂和发光.激发和发射光谱测试表明,最佳激发波长为可见光465nm,最佳退火温度为600℃,Eu3+最佳掺杂量为6.0%.同时证明Eu3+:ZnO1-xSx-2TiO2-SiO2材料的发光性能比Eu3+:ZnO-2TiO2-SiO2的好,说明体系中硫的引入改善了材料的发光性能.     

CuInS2薄膜太阳能电池发展现状

CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2(CIS)太阳能电池的研究和发展现状,以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产业化技术。展望了CIS薄膜太阳能电池在我国的发展前景。     

固态染料敏化二氧化钛纳晶薄膜太阳能电池的研究进展

固态染料敏化太阳能电池是目前能源研究的热点领域之一。我们设计并合成了一系列含有不同特性基团(如柔软的高分子链、可现场固化基团和高电导的离子液体基团)的高分子固态电解液应用于染料敏化太阳能电池;同时,结合理论模拟计算得出的二氧化钛纳晶薄膜工作电极和对电极的光散射效应与光限域效应能提高电池的光吸收效率,二氧化钛纳晶薄膜孔隙率的增大能增加固态电解液在膜内的渗透和扩散,对工作电极和对电极进行结构优化可得到高光电转换效率的固态染料敏化太阳能电池。     

硒化法制备铜铟铝硒薄膜及其性能研究

采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜，并采用固态硒化法进行处理，获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。结果表明，通过调节CIA前驱膜的A1含量可制备得到Cu／（In＋A1）原子比接近1，且AL／（In＋A1）比例可调的CIAS薄膜。CIAS薄膜由cu（In1-xAlx）Se2固溶体相组成，A1主要是以替代In的固溶形式存在。     

ZnO薄膜的气敏和光电性能的研究进展

ZnO是一种新型的宽带隙半导体材料,在气敏器件、光电器件及压电器件等方面具有广泛的应用前景,因而受到物理学界的广泛关注。本文介绍ZnO薄膜的气敏、光电性能的研究进展。     

ZrO2介质膜的光热吸收研究

报道了用直流反应溅射法在低氧分压条件下(6.0×10-3～8.0×10-3Pa)沉积ZrO2介质膜的制备工艺,XRD分析表明该条件下制备的ZrO2介质膜结构均为非晶态,表面光热技术测量其在10.6μm波长下的吸收系数为1.223×10-3～1.285×10-3cm-1,且吸收率随氧分压的升高而降低.这表明,表面光热测量是一种既简单又有很高灵敏度的实时检测技术,而在直流反应溅射法中氧分压是一个非常敏感的工艺参数,并显著地影响着膜层的光吸收.     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

TiO2:MgF2薄膜的湿敏特性

采用真空镀膜技术制备了TiO2MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明工作频率为100Hz时,该元件在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点.     

Te-TeO_2-Sn-Ge非晶态薄膜的退火效应

本文研究了Te-TeO_2-Sn-Ge非晶态薄膜的制备工艺以及薄膜在炉式退火后所引起的光学参数(透射率、反射率、折射率、消光系数),介电常数,光学能隙以及X射线衍射谱的变化情况,文中还分析了薄膜中各组元的作用和产生相应变化的机理。