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1.
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ZnxCd1-xSe薄膜的研究进展
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张叶《科技情报开发与经济》,2007年第17卷第1期
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介绍了ZnxCd1-xSe薄膜的最新发展和研究现状及制备方法,从应用、工艺与性能等方面分析了它们的优势和不足之处,讨论了ZnxCd1-xSe薄膜的发展趋势。
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2.
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Cu_2O透明导电薄膜的制备技术及应用
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张朝奎 周艳文《鞍山科技大学学报》,2012年第4期
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氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料。本文概述了国内外氧化亚铜(Cu2O)透明导电薄膜的多种制备技术;详细介绍了磁控溅射、电化学沉积、热氧化法等工艺在Cu2O薄膜制备中的研究现状,及其在太阳能电池上的应用;对比了不同工艺条件下Cu2O薄膜的性能,并指出制备Cu2O薄膜中的一些问题。
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3.
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基于硝酸盐为前驱体的溶胶凝胶法制备CuInSe2薄膜
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陈祥洲 陈桂林 刘伟丰 朱长飞《中国科学技术大学学报》,2011年第41卷第5期
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采用低成本的无机盐为前驱体,通过溶胶凝胶法制备了高质量的黄铜矿结构CulnSe2太阳能电池光吸收层薄膜.先将制备得到的溶胶通过旋涂甩胶的方法成膜,再先后置于氢气中还原和在硒蒸气中进行硒化处理,即可得到所需薄膜.通过XRD,XRF,SEM和Raman散射等对材料的结构和形貌进行表征.结果表明:采用这种简单的方法所制备的薄膜除了具备平整度好、结晶度高和致密性好等优点外,Raman散射还表明薄膜表面不存在Cu2-xSe等杂相,上述优点非常有利于后续高质量的薄膜太阳能电池的制作.最后,讨论了CuInSe2薄膜中分层现象的产生以及形成机理.
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4.
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热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜
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王杰 吕宏强《应用科学学报》,1992年第10卷第2期
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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
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5.
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电沉积Sn对In_2O_3薄膜透光和导电性能的影响
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戴学诚 尹航 宫震 马柯鑫 李瑞武 王艳雪《辽宁科技大学学报》,2019年第1期
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室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In_2O_3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In_2O_3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In_2O_3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19 mΩ·cm。氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In_2O_3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。
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6.
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采用磁控溅射法复制Papilio maackii Ménétriés蝶的鳞片结构色
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邬立岩 韩志武 宋玉秋 牛世超 任露泉《科学通报》,2011年第36期
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通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)试验观察,发现Papilio maackii Ménétriés蝴蝶鳞片具有多层薄膜堆结构.通过磁控溅射法(MS),在以单晶硅片为基底材料上,采用ITO(90%In2O3+10%SnO2)与Polymethyl Methacrylate(PMMA)两种材料复制了仿蝴蝶鳞片多层周期结构,并采用分光计对样品进行光学性能检测,试验结果显示:MS法复制的鳞片与实际蝴蝶翅膀具有相同的结构色效果,故本文所提出的MS法可以用来探索制备仿生生物结构色样品,为其他光学装置的制备研究提供借鉴.
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7.
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InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As单晶薄膜吸收光谱的实验测定
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汪开源 陈效建《东南大学学报(自然科学版)》,1984年第1期
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报导了用光学透射比法在外延单晶薄膜上进行InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As材料吸收光谱测定的实验结果,对单层及双层材料样品两种情形分别讨论了透射比T(λ)与吸收系数α(λ)之间的理论关系;并描述了使用异质结外延材料与选择腐蚀工艺制备单晶薄膜样品的方法。对获得的实验结果进行了理论分析与解释,并与其他作者的研究结果进行了比较。
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8.
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旋涂热解法制备高化学计量比的SnS薄膜
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张正国 孙治安 吴姗姗 赵涛 龚波林《科学技术与工程》,2018年第18卷第4期
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为制备高化学计量比的SnS薄膜,使用一种简单的旋涂热解法,在空气中以载玻片和FTO为衬底,在热解温度分别为280℃、320℃和360℃条件下制备了系列SnS薄膜,并采用EDS、XRD、Raman、SEM、UV-Vis-NIR等手段研究了热解温度对SnS薄膜元素组成、晶相、形貌、光学吸收等的影响。结果表明,在热解温度为320℃热解10min时,获得的SnS薄膜Sn/S的原子比为1/0.99,直接禁带宽度为1.46eV,十分接近太阳能电池吸收层的最佳禁带宽度1.50eV,在太阳能电池吸收层材料领域具有重要潜在应用价值。
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9.
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CZTS薄膜制备的研究进展
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文亚南 董燕 王金生 梁齐《科技咨询导报》,2011年第26期
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Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材料。因此研究和完善CZTS薄膜的制备技术并提高薄膜质量及性能成为重要的研究课题。本文主要介绍四种CZTS薄膜的制备方法:磁控溅射、共蒸发、混合溅射、电子束蒸发硫化法。
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10.
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基于氧化铟气体传感器的研究现状
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臧传伟 郭雨 唐伟 杜学舰 修显武《山东师范大学学报(自然科学版)》,2019年第1期
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氧化铟作为一种比较新的气敏材料,在一定程度上解决了现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题.近几年来大量的文献报道了氧化铟传感器检测O_3、 CO、 NO_2等气体.本文按照被检测气体的种类,从In_2O_3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有In_2O_3气体传感器进行了论述,并指出了In_2O_3半导体气体传感器的发展方向.
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11.
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Mg掺杂Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜的制备及其多铁性能表征
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田凤阁 赵志明 安峰 谢淑红《湘潭大学自然科学学报》,2019年第3期
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GaFeO_3(GFO)是一种同时具有室温铁电和低温亚铁磁性的单相多铁材料,且其磁性转变温度可以通过调节Fe元素含量提高至室温,具有广阔的应用前景.研究发现,室温下Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜具有铁电性和弱磁性,但是由于薄膜的漏电流较大,制约了其实际应用.采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺成功制备了Mg掺杂的Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜,薄膜厚度约为100 nm,并对Ga_(0.6)Mg_xFe_(1.4-x)O_3(GMFO)薄膜的铁电性尤其是漏电性能进行了表征.研究结果表明:Mg离子掺杂的薄膜样品在室温下表现出铁电性,当x=0.05时,薄膜具有相对而言优良的铁电性能,矫顽电场强度(E_c)为25 kV/cm,剩余极化强度(P_r)为4.89μC/cm~2;适量Mg离子的掺杂可以使薄膜的漏电流密度降低2个数量级,x=0.05时,对应薄膜的漏电流最小,漏电流密度在10~(-1)～10~(-5) A/cm~2范围内.随着Mg离子掺杂含量的继续增加,薄膜的漏电流密度逐渐变大.压电力显微技术(PFM)测试结果表明,GMFO薄膜的力电耦合主要来自于薄膜的线性压电信号.GMFO薄膜具有室温弱磁性,当x=0.05时,薄膜具有最大的剩余磁化强度为9.8 emu/cm~3.该实验结果对于提高GFO多铁材料的性能,从而实现纳米器件的应用具有重要的指导意义.
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12.
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阳极氧化法制备Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜
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赖欣 毕剑 崔春华 张姝 高道江《科学技术与工程》,2006年第6卷第13期
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室温条件下,在碱性的Ca^2＋、Sr^2＋、Ba^2＋溶液中,通过电化学阳极氧化制备了Ba1-x-yCaxSryMoO4多晶固溶体薄膜材料.采用XRD、SEM、XPS、FA（荧光分析）等测试手段分析了薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组成及室温光致发光特性.研究表明室温阳极氧化法所制备的Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜具有四方晶结构,在紫外光的激发下,有较好的光致发光特性.
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13.
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二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状
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钟南保 程树英 郑明学 黄赐昌《漳州师范学院学报》,2005年第18卷第3期
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黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.
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14.
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二硫化铁光电薄膜制备技术的研究进展
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钟南保 程树英 郑明学 黄赐昌《江西科学》,2005年第23卷第5期
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黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95 eV)和较高光吸收系数(当λ≤700 nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性。因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注。本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,来分析二硫化铁薄膜的研究状况。
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15.
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基于NiO空穴传输层的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿太阳能电池的光伏特性
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翟文静 邢玉陟 张叶 王颖玥 李鲁涛 魏明龙 江雪 邱晓燕《中国科学:物理学 力学 天文学》,2019年第1期
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从2009年至今,基于卤族元素的有机-无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池由于简单的制备工艺和优良的光电转化效率,成为有望替代传统硅基太阳能电池的一种新型太阳能电池,由于其通常采用价格昂贵的有机空穴/电子传输层材料,所以虽然可获得较高的光电转化效率,但生产成本较高.本文选用价格低廉性质稳定的NiO为空穴传输层材料,利用旋涂热解法在导电ITO玻璃上制备平整致密的NiO薄膜,然后采用两步溶液法,在其上制备平均粒径约为150 nm的CH_3NH_3PbI_3吸光层,最后组装成ITO/NiO/CH_3NH_3PbI_3/PCBM/Ag平面倒置异质结型电池单元.本文对比研究了不同退火温度制备NiO薄膜的表面形貌和晶体结构,以及制备的电池单元的光伏性能.本文对比实验结果表明, 500°C退火处理的NiO薄膜最平整致密,以其为空穴传输层的未封装电池单元在大气环境中进行模拟太阳光辐照测试,可获得7.63%的光电转化效率和1 V的开路电压,优于类似条件下制备的以NiO为空穴传输层的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池.
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16.
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低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜
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肖健平 何青 陈亦鲜 夏明《科技导报(北京)》,2008年第26卷第11期
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采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。
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17.
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Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的折射率及Moss定则
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张汝贞《科学通报》,1992年第37卷第24期
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ZnSe是一种直接型宽带隙半导体材料,适用于制作可见光短波长的光电子器件,如蓝发光二极管,蓝紫半导体激光器等,它还是一种很好的红外窗口材料,因此早在70年代就引起人们的兴趣。近年来,以ZnSe为母体的稀释磁性半导体材料Zn_(1-x)Fe_xSe,Zn_(1-x)Mn_xSe等的研究工作进展迅速,因为它们有许多独特的磁学和光学性质。
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18.
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新型存储材料BIT铁电薄膜B位双掺杂初探
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胡增顺 晋玉星 杨桦《开封大学学报》,2012年第26卷第1期
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利用化学溶液沉积法，在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上和700℃条件下分别制备了Nd和（Al，Sc）共掺杂的钛酸铋薄膜（Bi3.15，Nd0.85）（Ti3-x（Alx，scx））O12[记做BNT（AI（x），sc（x））]（x=0．015，0．030，0．045，0．060），并进行了这一系列薄膜的微结构、表面形貌、铁电等特性的研究．发现当掺杂含量为x=0．030时，薄膜具有较高的剩余极化强度（2Pr=24．80／2C／cm2）．讨论了相关的物理机制．
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19.
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二维SnSe和SnSe_2薄膜的可控制备
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岳超 罗斯玮 陆冬林 钟建新《湘潭大学自然科学学报》,2019年第2期
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目前二维IV-VI族窄带隙半导体材料在存储开关、太阳能转换、热电转换和近红外光电器件等领域受到了广泛关注.其中硒化锡(SnSe)和二硒化锡(SnSe2)作为典型的IV-VI族窄带隙半导体,由于其优异的电子和光电性能成了研究热点.目前,制备SnSe和SnSe_2薄膜通常需要使用两套气相沉积系统,而制备SnSe_2纳米片更是需要通过化学气相沉积的方法才能获得,因此面临制备成本高、可控性低的问题.该文提供了一种气相沉积方法,一步制备了SnSe和SnSe_2薄膜,大大提高了制备效率.该方法只需要控制加热温度,制备过程简单可控.通过一系列的表征手段证明,制备的SnSe薄膜和SnSe_2薄膜十分纯净.
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20.
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电沉积法制备Co-Pt合金薄膜的结构及其磁性能
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杨祎 王峰 刘景军《北京化工大学学报(自然科学版)》,2009年第36卷第6期
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采用酒石酸铵为络合剂，碱性溶液作为电解液沉积体系，利用电化学共沉积法在铜基底上制备得到了Co-Pt合金薄膜，并对制备得到的合金薄膜进行了不同温度的退火热处理。电化学极化曲线研究表明，酒石酸铵络合剂的加入有效地使两种金属离子沉积电位接近。原子吸收光谱研究表明，合金薄膜中金属成分比率易受电解液中金属离子比率和沉积电流密度的影响。X射线衍射(XRD)研究表明，电沉积制备得到的不同组分Co-Pt合金薄膜均为无序排列面心立方(fcc)结构，经过450?℃退火热处理后部分转变为L10型超晶格结构。磁性研究表明，经过450?℃退火热处理后的合金薄膜具有较好的磁晶各向异性。
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