ZnO过量对MnZn铁氧体磁性能的影响

用化学共沉淀法制备了高磁导率MnZn铁氧体,研究了ZnO过量和不同烧结温度对样品磁性能的影响。随着ZnO含量的增加,样品的饱和磁化强度逐渐下降,而样品的磁导率逐渐增加,且样品的截止频率fr大于500kHz.     

Al2O3掺杂对高磁导率MnZn铁氧体材料的影响

通过测量不同样品的磁导率, 研究Al₂O₃掺杂对高磁导率MnZn铁氧体材料的影响. 结果表明, 添加Al₂O₃可抑制ZnO的挥发, 从而提高材料的起始磁导率, 降低比温度系数, 增加磁导率的频率范围.     

锰锌铁氧体的制备及磁性能研究

采用化学共沉淀法和真空烧结工艺制备了尖晶石型锰锌铁氧体系列样品,研究了配方及烧结工艺对样品性能的影响。结果表明：样品在1370℃烧结能获得较好的磁性能;增加Fe2O3含量有利于提高饱和磁感应强度;在适当范围内增加ZnO含量有利于提高初始磁导率,但居里温度Tc随之下降;当Xzao=24％时,样品的磁导率μi=6369,饱和磁感应强度Bs=304mT,矫顽力Hc=4．3A／m。     

烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响

通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征.结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加.当样品的烧结温度为800℃时,样品为单相的ZnO结构.磁性测试结果表明,Co掺杂ZnO稀磁半导体在室温下具有铁磁性.     

氧氩比变化对于ZnO薄膜结构及其荧光发射的影响

不同氧氩比对于ZnO薄膜的结构及其荧光发光的影响。随着氧氩比的增加,ZnO薄膜（002）面的衍射峰明显增高,且变得更尖锐,薄膜的晶化得到改善。所有制备的样品均出现了波长位于446nm左右的蓝光峰。随氧分压逐渐增大,样品的PL谱中蓝光峰相对强度比增加。     

Fe69.5Cu1.5V7Si12B8Al2合金机械合金化研究

采用机械合金化的方法，制备了Fe69.5Cu1.5V7Si12B8Al2纳米合金样品。研究了球磨时间对样品非晶化程度的影响，并测量了这些样品压结体的高频特性。结果发现，球磨可形成合金化，随球磨时间的增加，样品的非晶化逐渐加强。当球磨超过一定时间后，出现新的相，引起样品磁特性的变化。复数磁导率实部μ1随球磨时间t的增加而增大，超过72h后，μ1开始下降。在4－13MHz范围内，μ1值随频率f的变化不大。损耗角正切tgδ随t的增加而减小。     

多孔泡沬金属及其磁导率的研究

研究了多孔泡沫金属的磁导率,建立了电沉积金属磁导率的计算模型.利用石蜡熔融的方法,得到了电沉积所得的多孔泡沫金属的孔隙率;利用振动样品磁强计对结构参数相同、磁导率不同的三种多孔泡沫金属进行了测试,得到了多孔泡沫金属及电沉积金属的相对磁导率,根据等效磁阻的原理,对电沉积金属相对磁导率进行了仿真计算,计算结果与实验相近;结果表明,建立的模型可以用来计算电沉积金属的相对磁导率;多孔泡沫金属的磁导率随着电沉积金属磁导率的增加而增加,随着孔隙率的增加而减小,为研究多孔泡沫金属的磁性能提供了理论和实验依据.     

氧化锌陶瓷低温导电特性研究(英文)

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.     

CeO2掺杂ZnO薄膜制备和紫外吸收性能

 研究射频磁控溅射技术制备的CeO2掺杂ZnO薄膜的结构及紫外光吸收性能。结果显示,ZnO（002）晶面的晶面间距增大,由于晶格畸变的增加导致薄膜中的内应力也相应增加,随着CeO2掺入量的增加,引起ZnO晶格的进一步松弛,因此ZnO将呈混晶方式生长;由于ZnO的晶粒同时有多个生长方向,因而抑制了ZnO晶粒（002）取向生长度的速度,导致了晶粒尺寸的逐渐降低,薄膜的C轴择优取向性随CeO2含量的升高而降低。CeO2掺杂样品与纯ZnO薄膜的吸收谱的形状没有大的改变,吸收峰形基本一致,掺CeO2使薄膜的紫外吸收显著增强,吸收边明显向短波方向移动,吸收边的斜率有微小提高,吸收峰宽度略微增大,吸收强度增加。     

掺镁氧化锌薄膜结构及其光学性质的研究

以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:ZnO:Mg薄膜的结构和性能与溅射时间密切相关.随着溅射时间的增加,ZnO:Mg薄膜(002)晶面的织构系数减小、(110)晶面的织构系数增大,对应的可见光波段的平均透过率降低.溅射时间为15 min时,ZnO:Mg薄膜样品具有最佳的(002)择优取向生长特性和最好的透光性能.同时ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度随溅射时间增加而单调增大.与未掺杂ZnO薄膜相比,所有ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度均变宽.     

ZnO无机发光材料制备及其性能表征

基于固相反应工艺制备出不同烧结温度的ZnO无机发光材料，结合近紫外光LED芯片制备出wLED器件。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、激发和发射光谱、光谱仪等测试方法对样品材料和器件的光色性能进行了研究。研究结果表明：ZnO的光谱强度随烧结温度增加表现为先增加后降低，在960℃时具有最优值；对应激发与发射光谱峰值分别为380 nm和501 nm;XRD和SEM表明样品材料具有良好的结晶性能。制备的wLED器件在ZnO掺入的条件下，光谱连续得到提高，器件光色特性在4334 K的条件下，显色指数达到95.7，提高了11.02%，光通量和出光效率分别为20.6 lm和103 lm/W，降低了3.3%，这是由于ZnO的发射光谱分布偏移了人眼明视觉效率曲线，从而引起在计算光通量时数值微弱降低。可见，ZnO发光材料在全光谱、高显色wLED中应用具有可行性。     

Bi2O3对ZnO基压敏陶瓷性能影响的研究

利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料，详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因，用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压，压比和漏流，并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析，测试结果表明：在适合掺杂范围内，Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高，且漏流IL随掺杂量的增加减小，超出这一范围后，样品的电学性能将会恶化，物相分析表明在添加Bi2O3，Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中，存在ZnO相，Bi2O3相，Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。     

不同形貌ZnO/Cu复合材料的制备及其抗菌性能

采用溶胶凝胶法制备了球形、梭形、星形、花形、小梭形五种不同形貌的ZnO,再用水合肼还原铜盐制备了ZnO/Cu复合材料.通过杯碟扩散法,对不同形貌的ZnO和一种ZnO/Cu复合产品进行了抗菌性能测试,结果表明:不同形貌的ZnO对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌均没有抗菌性能,而对枯草芽孢杆菌和绿脓杆菌表现出了一定的抗菌性能,并且随着样品浓度的增加,抑菌圈直径也随之增大;ZnO/Cu除了对大肠杆菌没有抗菌效果,对另外三种细菌均表现出了一定的抗菌性能,且随着样品浓度的增加,抑菌圈直径也随之增大.     

沉积温度对MOCVD制备ZnO纳米薄膜性质的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在石英衬底上制备了ZnO纳米薄膜,考察了不同沉积温度对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.结果表明:所有样品均表现出C轴择优的六角纤锌矿结构.随着沉积温度由700℃升高至800℃时,ZnO薄膜的半峰宽逐渐变窄,晶粒尺寸逐渐增大,光致发光强度逐渐增强,表明沉积温度的升高有利于晶体的生长.当沉积温度由800℃继续升高后,样品的半峰宽变宽,晶粒尺寸减小,光致发光强度降低,表明沉积温度过高产生热缺陷,不利于晶体的生长.     

硫酸铵对氧化锌生长及形貌的影响

以硝酸锌、葡萄糖、氨水、硫酸铵为原料,用微波辅助沉淀法制备了氧化锌(ZnO)样品,研究了葡萄糖和硫酸铵的加入对ZnO生长及形貌的影响.利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜对样品物相结构和形貌进行了表征.结果表明:加入葡萄糖后,ZnO形貌由海胆状转变为球状;加入硫酸铵所制备的样品的形貌,随着硫酸铵浓度的增加,呈现球状→花状→柱状的转变.     

高磁导率Mn -Zn铁氧体的磁性能依赖性研究

介绍利用化学共沉淀法制备高磁导率 (μi=6 0 0 0 - 10 5 0 0 )Mn -Zn铁氧体材料过程 ;通过在配方中控制ZnO的含量和在不同的平衡氧分压气氛中进行缓慢冷却 ,研究所制备的高磁导率Mn -Zn铁氧体的磁性能差异 ,并借助多元复合Mn -Zn铁氧体的固溶体模型和平衡氧分压理论分析 ,表明存在对磁性能的影响起关键作用的最佳Fe2 +和Fe3O4的含量 ;同时还分析了ZnO含量对Bs、Tc、Hc的影响和当ZnO >2 7mol%时的配方中 ,μi 急剧下降的原因     

纳米氧化锌的水热法生长及其光学特性研究

利用水热法成功制备了纤锌矿结构的ZnO纳米小刺球结构．小刺球结构是由多片ZnO纳米晶在生长过程中自组装而成．随着反应溶液中S_2-的含量的增加,小刺球结构的尺寸逐渐变小．这是由S_2-在ZnO样品中引入的缺陷增多造成的,表明大量的缺陷会对形成小刺球结构的片状ZnO的有序生长机制造成影响．缺陷的增多对带边发光一直起到削弱的效果;但在一定程度上会增强ZnO可见光的发光强度,但更多的缺陷会导致非辐射复合中心的大量增加,在荧光光谱中表现为可见光发光强度随着反应溶液中S_2-的含量的增加而先变强再变弱．合理调整反应溶液中S_2-的浓度可以生长出合适紫外、可见光强度比的ZnO材料,这在半导体白光发光器件中具有潜在的应用价值．     

前驱液中Er~(3+)离子对ZnO薄膜形貌、结构和光学性质的影响

利用超声喷雾热解法,研究了Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度、生长温度及前驱液中Er~(3+)离子对ZnO薄膜形貌、结构和光学性质的影响.扫描电子显微镜测试表明,前驱液中未加入Er~(3+)离子时,所制备的ZnO薄膜呈现团簇状结构.随着Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度的增加,ZnO薄膜中团簇状结构的尺寸逐渐变大.前驱液中加入Er~(3+)离子后制备的ZnO薄膜均呈现片状结构,随着Zn(CH3COO)2·2H2O的浓度的增加,其片状结构的尺寸也逐渐变大.X射线衍射测试结果表明,前驱液中Er~(3+)离子的加入改善了ZnO薄膜的结晶质量.光致发光测试结果表明,所有样品中均出现了一个位于380nm附近的近带边(NBE)发射峰,和一个位于550~650nm的深能级(DL)发射峰.前驱液中Er~(3+)离子的加入使得ZnO薄膜中的NBE/DL比值有所提高,改善了ZnO薄膜的光学性质.     

Mn掺杂ZnO纳米颗粒制备及磁性研究

采用溶胶—凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO,采用X-射线分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)等手段,对样品进行了表征。结果表明:粉体中MnO2的含量较小,主要以小团簇的形式均匀的弥散在ZnO中;Mn掺杂ZnO纳米颗粒的晶粒尺寸与Mn的掺杂量无关,但是与热处理温度有关;VSM测试结果表明样品具有室温铁磁性,样品的饱和磁化强度随Mn的掺杂量的增加,先增大后减小,在2%时,样品的饱和磁化强度达到最大值。     

钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3的磁谱研究

报导了钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3多晶体材料不同温度下磁谱的初步研究结果，平均粒径分别为45、66、105、140和1200nm的样品由溶胶－凝胶法制备，当平均粒径大于105nm时，样品的磁谱为典型的预豫型谱线，共振频率和准静态磁导率随温度降低而减少；随平均粒径增加，准记磁导率增大，而共振频率却减小，当平均粒径小于66nm时，观察不到类似的驰豫，实验结果显示，驰豫谱线主要是由于畴壁位移造成的，而畴壁位移的阻尼主要是与畴壁位移相联系的微观涡流效应。