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GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质界面极化子的温度效应李春圃,班士良(内蒙古大学物理学系,010021,呼和浩特)TemperatureEffectofPolaronsonaGaAs/Al_xGa_(1-x)AsHeterointerface¥L... 相似文献
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蒋和平 《科技导报(北京)》1996,(8):53-55
广东“三高”农业发展模式的探讨DiscussiononDevelopmentalModelofAgricultureofHighOutput,HighQualityandHighEfficiencyinGuangdongProvince¥//蒋和平(... 相似文献
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顾唯明 《科技导报(北京)》1994,(2):32-33
关于三峡水轮发电机组可靠性问题的建议SuggestionsabouttheReliabilityofHydroelectricGeneratorofTGP¥//顾唯明(中国机械工程学会可靠性工程分会,高级工程师北京100823)一、三峡工程要求提供高... 相似文献
4.
《暨南大学学报(自然科学与医学版)》1998,(6)
WeikertM.(AbteilungAbeitsclutz,Gesundheitsversorgung,GesuudheitundUmwelt,20148,Hamburg/Germany)DerErfolgderbundesdeutschenAID... 相似文献
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地球信息机理研究——跨学科研究的优先领域 总被引:6,自引:0,他引:6
地球信息机理研究──跨学科研究的优先领域Geo-Informatics──APriorityofInterdisciplinaryResearch¥//陈述彭(国家自然科学基金委员会,中国科学院院士北京100083)何建邦,励惠国(中国科学院地理研究... 相似文献
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高性能InP/InP,InGaAs/InP体材料LP—MOCVD生长 总被引:1,自引:0,他引:1
给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积(LP-MOCVD)生长技术在InP衬底上生长InP、InGaAs的条件,研究了InP/InP的生长特性、InGaAs/InP的组份控制、生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响.发现InGaAs/InP最佳生长温度为640℃,得到InGaAs/InP16K光荧光(PL)谱全高半峰宽为32.0nm,InP/InP室温霍尔迁移率为4360cm2/Vs,背景掺杂浓度为5×1014cm-3,X光双晶衍射全高半峰宽为21". 相似文献
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植物抗真菌基因工程研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
植物抗真菌基因工程研究进展ProgressinResearchofGeneticEngineerhgofFungalDisease──ResistantPlants¥//罗闰良(湖南省农业科学院,副研究员长沙410125)吴京华(湖南省农业科学院,助... 相似文献
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朱晓峰 《科技导报(北京)》1996,(8):44-47
我国农村小康战略目标及实践的思考ThoughtsonStrategicGoaltoRealizeaComfortably-offCountrysideinChinaandItsPractice¥//朱晓峰(中国农业科学院农业经济研究所,副研究员北京1... 相似文献
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高温气冷堆发展前景与我国的10兆瓦实验堆DevelopmentalProspectsforHighTemperatureGas—CooledReactorandChina’sHTR-10¥//钟大辛(清华大学核能技术设计研究院,教授北京100084)... 相似文献
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关于推广水电站第三代调压室的建议 总被引:6,自引:0,他引:6
曾祥炜 《科技导报(北京)》1996,(11):51-52
关于推广水电站第三代调压室的建议ApplicationandDisseminationoftheThirdGenerationofHydraulicPressureControlRoom¥//曾祥炜等9人(四川省科协,高级工程师成都610041)水电... 相似文献