Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2＋杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中，不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应，而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应，与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后，理论计算值与实验观测值符合较好。     

四角晶场中K2ZnF4：Ni^2＋的零场分裂D

根据杂质离子可能引起晶体中杂质周围局部结构的畸变，本文计算了晶体Ｋ２ＺｎＦ４：Ｎｉ２＋的零场分裂参量Ｄ，并预言了低温下（４．２Ｋ）晶体结构的畸变     

Cu2+基态b2g的g因子微扰公式及对Cs2CuCl4和T2CuBr4的应用

近年来 ,文 [1～ 4 ]报道了Ｃｕ2 +(3ｄ9)离子的光学、磁学和电子顺磁共振 (ＥＰＲ)等重要性质 ,但这些文献只研究了六配位八面体四角对称晶场中的 3ｄ9离子基态ａ1ｇ或ｂ1ｇ的性质 ,而在Ｃｕ2 +的有重要应用价值的化合物中 ,大量存在四配位四面体低对称的情况 .因此 ,我们利用晶体场理论推导出了斜方的 3ｄ9/ 3ｄ1离子四面体络离子 (ＡＸ4 ) ｎ - 基态ｂ2 ｇ的ＥＰＲ ｇ因子的三阶微扰式 ,并用该式研究了晶体Ｃｓ2 ＣｕＣｌ4 和Ｔ2 ＣｕＢｒ4 的ＥＰＲ ｇ因子 ,其理论计算与实验结果符合较好 .1　理论在晶体场中 ,考虑到自旋 轨道 (ＳＯ)…     

氘化锂中Rh2+｛A｝中心g因子和超精细结构常数的理论研究

基于晶体场模型,建立了四角对称(压缩八面体)中4d7离子的各向异性g因子g‖、g⊥和超精细结构常数A‖、A⊥的微扰公式,并应用于氘化锂(LiD)中Rh2+｛A｝中心。考虑了立方场参量Dq、四角场参量Ds和Dt对g因子的贡献,以及芯区极化常数κ和杂质离子4d和5s轨道混合引起的缩小因子H对超精细结构常数的贡献。计算表明,理论与实验符合较好,对应的参量值分别为Ds≈-313cm-1,Dt≈-52cm-1,H≈0.502,即体系具有一定程度的四角畸变和中心离子5s轨道混合。     

NH4ZnPO4: Mn2+晶体的g因子和零场分裂的理论研究

采用半自洽场3d轨道模型、点电荷模型和平均共价因子模型,计算了NH4ZnPO4：Mn^2＋晶体中Mn^2＋电子顺磁共振的g因子和零场分裂参量D、E．计算结果显示D、E的理论值和实验值（D=176×10^-4cm^-1、E=58×10^-4cm^-1）符合得很好,并分析指出了g因子的反常．     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co2+杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥.计算中,不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应,而且考虑了3d7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应,与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到.在考虑了键长与键角的微弱畸变后,理论计算值与实验观测值符合较好.     

d~3电子在立方对称下的能量矩阵和g因子四阶微扰公式及应用

本文通过引入两个共价因子Ｎ１、Ｎｅ推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的能量矩阵。并用高阶微扰方法推导了ｇ因子四阶微扰公式，在此基础上，计算了ＧａＡｓ：Ｃ２＋０的晶场光谱和顺磁ｇ因子。其理论值和实验结果吻合较好。本文结果表明，对于半导体，Ｒａｃａｈ参量Ａ对晶场光谱和ｇ因子的贡献不可忽略。     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子研究

采用3d离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子（gx，gy，gz），其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu^（2＋）离子所处的局部结构确定。研究表明，晶体中Cu^（2＋）离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右，由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

MgO,AgCl和AgBr中Ni^2＋的g因子研究

用分子轨道和双自旋－轨道（双ＳＯ）耦合模型研究了ＭｇＯ、ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ中掺杂Ｎｉ＾２＋（ｄ＾８）离子的ＥＰＲｇ因子。研究表明，由于配体Ｂｒ（４ｐ电子）有大的ＳＯ耦合系数和较强的共价性，其对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋的ｇ因子有重要的贡献。     

Ni^2＋在AgCl和AgBr四角晶位中的零场分裂和g因子

用分子轨道和双自旋－轨道耦合模型,研究了Ｎｉ＾２＋在ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｂｒ对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋ＥＰＲ参数（Ｄ,ｇ）的贡献。     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

KTaO3<-sub>:Cu2+的电子顺磁共振参量与局域结构理论研究

用基团模型的3d⁹离子在四角对称下的高阶微扰公式计算了KT_aO₃ 晶体中Cu²⁺杂质中心的g//因子!"! !# 和超精细结构常数"$ 和"##通过对四角,-./ 中心的012结果分析!发现杂质,-./ 占据了八面体)*$/ 的位 置!同时在,! 轴上的最近邻出现氧空位$34%#由于该空位引起的静电排斥作用!,-./ 将沿,! 轴在远34 方向上 位移一段距离!#%"5".’67#在考虑了上述的缺陷结构后!各向异性!     

CseNaYC16：Sm3＋晶体的光学与磁学性质研究

掺杂三价稀土离子（Re3＋的Cs3NaYC16晶体,因具有优良的光学和磁学性质而得到了高度的重视。本文利用晶体场理论和自旋哈密顿理论分别对Cs2NaYCl6：Sm3＋晶体的光谱和电子顺磁共振谱（EPR）进行分析和计算。在叠加模型的基础上,通过对角化24x24能量矩阵研究cs2NaYCl6：Sm3＋时的能级、电子顺磁共振参数和超精细结构常数。计算结果与观测值能够较好的吻合并对结果进行讨论。     

三角对称晶体场中3d3,7离子电子顺磁共振参量的严格微观表示式及其对半导体ZnO:Co2+的应用

根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性，本文导出了３ｄ３，７离子在三角对称四面体场中的基态４Ａ２（Ｆ）的电子顺磁共振参量的微观公式．利用这些公式和对角化１２０阶能量矩阵，可以统一地解释ＺｎＯ：Ｃｏ２＋的光吸收和电子顺磁共振谱     

单晶Co~(2+):MgGa_2Se_4光学吸收谱的理论解释

该文考虑了d电子t2g轨道和eg 轨道局域性差别的影响 ,并计及Racah参量A对光谱跃迁的贡献 ,导出了 3d7电子组态在Td 对称下的哈密顿矩阵公式 .从理论上研究了Co2 + :MgGa2 Se4 中Co2 + 离子的吸收光谱 ,理论结果与实验结果吻合很好 .     

钒刚玉光学和磁学性质的理论研究

根据完全对角化方法和一种类晶体场模型 ,统一地解释了α- Al_2 O_3:V~(3 ) 的光谱、电子顺磁共振g因子和零场分裂D值 .理论计算值与实验符合得很好 .此外 ,导出的V~(3 ) 位置的位移量 0 .0 0 86nm与浓缩红宝石中Cr3 位置的位移量 0 .0 0 6nm相接近 .     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu2+离子中心各向异性g因子研究

采用3d9离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2(PO4)3中Cu2+离子中心各向异性g因子(gx,gy,gz),其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu2+离子所处的局部结构确定。研究表明,晶体中Cu2+离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右,由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

自旋三重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响

本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋三重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响     

Ti3+:ZrSiO4中Ti3+中心g因子研究

锆英石(ZrSiO4)的热膨胀系数和导热系数较低,抗震性能和化学稳定出色,近年来,逐渐受到人们的重视.通过引入平均因子和3d1电子在D2d晶场的g因子公式,研究了Ti^3 :ZrSiO4中Ti^3 中心EPRg因子,得到的结果与实验值基本稳合.     

Cs_2NaYX_6（X＝Cl，Br）中Cr~（3＋）的d－d电子光谱和EPRg因子的研究

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｓ＿２ＮａＹＸ＿６（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｃｒ￣３＋的ＥＰＲｇ因子。计算表明，配体Ｂｒ４ｐ轨道对络离子（ＣｒＢｒ＿６）￣３－ＰＲｇ因子的贡献不应忽略。解释了Ｃｓ＿２ＮａＹＢｒ＿６：Ｃｒ￣３＋的ｇ因子移动为正值的疑惑。