10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征,认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系,这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰,可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示,小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．本文还将讨论其它的有关的Ｒａｍａｎ峰     

脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐照ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ￣２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ＿２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ￣（－１）～５１７ｃｍ￣（－１）、半峰高宽度为１０ｃｍ￣（－１）～１５ｃｍ￣（－１）；ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜经ＸｅＣｌ激光辐照或ＣＯ＿２激光退火后，都会增强晶化膜的吸收效率。     

电子和质子辐照Tc氧化物高温超导体的不同特性

用２００ＫｅＶ质子，４００ＫｅＶ和８ＭｅＶ电子分别辐照ＹＢａＣｕＯ高Ｔｃ超导材料，其影响是不同的．质子注入使零电阻温度从８６．７Ｋ提高到８９．８Ｋ，而剂量为２．２５×１０１４电子／ｃｍ２的８ＭｅＶ的电子辐照却使超导体的零电阴温度下降３Ｋ左右．当电子辐照剂量为１．３５×１０１５ｅ／ｃｍ２时，超导体变成绝缘体．用高分解电镜对４００ｋｅＶ的电子辐照分况进行实地在线研究，发现当剂量到１．０×１０２６ｅ－／ｃｍ２时，氧化物超导体中的品相出现非品化，而其原来为非品区域处处出现有序化．     

杂多酸荷移跃迁盐系列研究（Ⅰ）—Keggin结构杂多酸的荷移跃迁盐的合成和表征

利用电解结晶法合成了Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多酸荷移跃迁盐（ＢＥＤＴ－ＴＴＦ）８［ＰＭｏ３ＮｂＷ８Ｏ４０］．Ｘ－射线衍射测定为单斜晶系．晶胞参数ａ＝１４．２０（０）×１０（－８）ｃｍ；ｂ＝４３．３９（０）×１０（－８）ｃｍ；ｃ＝１３．５５（６）×１０（－８）ｃｍ；β＝９１°；Ｖ＝８．３５３×１０（－２１）ｃｍ３．该化合物具半导体性质。σｒ．ｔ＝３．７×１０（－２）Ｓｃｍ（－１）．ＥＡ＝１６０ｍｅＶ．变温磁化率测定表明其为Ｓｐｉｎ－Ｐｅｉｅｒｌｓ体系．     

Gauss—Markoff和方差分量模型中LSE的一种新的相对效率

对Ｇａｕｓｓ－Ｍａｒｋｏｆｆ模型：Ｙ＝Ｘτ＋ｅ，ｅ￣（０，ο＾２Ｖ），Ｖ≥０，τ的ＬＳＥ的一种新的相对效率被提出来并得到了其下界，对方差分量模型：Ｙ＝Ｘτ＋ｅ，ｅ￣（０，ｍΣｉ＝１ο＾ｉＶｉ），Ｖ＝ｍΣｉ＝１Ｖｉ≥０，τ的ＬＳＥ的一种新的相对效率也被提出来并得到了独立于未知参数的下界。     

脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ＾－１～５１７ｃｍ＾－     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

Set-Valued Stationary Processes with Discrete Parameter

Ｓｅｔ－ＶａｌｕｅｄＳｔａｔｉｏｎａｒｙＰｒｏｃｅｓｓｅｓｗｉｔｈＤｉｓｃｒｅｔｅＰａｒａｍｅｔｅｒＧｕｏＸｕｅｐｅｎｇ；ＷａｎｇＲｏｎｇｍｉｎｇ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｓｔａｔｉｓｔｉｃｓ，ＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈ...     

N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

量子阱半导体太阳能电池的研究

本文简要介绍太阳能电池尤其是量子阱半导体太阳能电池的研究动态．讨论分析研究热点．并首次提出布拉格光栅反射加强型量子阱太阳能电池器件结构和主要研究措施。     

多重p-i-n a-Si太阳电池

一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。     

太阳能电池及其应用

本文论述了太阳能电池的发展情况以及它的应用。首先介绍了它出现的原因，然后说明太阳能电池现在的市场情况，最后详细对我国的太阳能电池发展概况和太阳能资源进行了说明。     

Progress of Photovoltaic Technology in China

Chinese government has been devoting itself to the development of renewable energy sources. This paper describes the history, achievement and future trends of photovoltaie technology, and suggestions axe proposed for strengthening the research and development （R＆D） ability of China.     

有机太阳能电池的研究进展

回顾了近五年有机太阳能电池在电池材料和器件性能方面的研究进展．在材料方面，合成具有低带隙的化合物，使之与太阳光谱有更好的匹配，以提高对太阳光的吸收范围；在器件方面，通过使用异质结和纳米结构，使之在增加光吸收的同时保证激子的分离与有效迁移．有机聚合物太阳能电池是有机太阳能电池的发展方向，设计并合成具有低带宽和低HOMO能级的D—A型聚合物是提高其理论光能转化效率的关键．通过改进与提高电池的制作技术，充分挖掘新材料的潜力，将获得较大光能转换效率的有机太阳能电池．     

空间太阳电池帆板自动布贴加压过程

为了解决胶体加压流动的不可控性,运用斯托克斯方程对布贴加压过程太阳电池与帆板间胶体的缝隙流动进行了分析与建模,得到了胶体流动的速度模型、流量模型和压力场模型.通过边界条件求解方程,得到了布贴胶体沿不同方向流量特性的定量表述;结合吸盘加压位置与空间太阳电池的具体形状对布贴胶体沿不同方向的流量模型进行了具体分析.布贴加压实验证明了研究结果的可靠性.     

染料敏化太阳电池及其光阳极研究

染料敏化太阳电池因其安全无毒、制作工艺简单、成本低廉等优势,在研究和开发方面得到广泛关注和重视。该文介绍了染料敏化太阳电池及其光阳极研究进展。指出了染料敏化太阳电池光阳极新材料和结构改进努力的方向。     

染料敏化太阳电池产业化进程分析

染料敏化太阳电池结合了有机染料光敏剂和无机半导体的优势,具有较宽的光谱响应范围,制造工艺简单、成本较低,应用前景广阔,因而备受人们的关注。本文回顾了染料敏化太阳电池技术的发展历史,介绍了2001年以来国际上该电池产业化进程,并对该电池目前存在的问题和未来发展的趋势作了简要分析。     

CO2脉冲激光掺杂太阳能电池的研究

采用ＣＯ２脉冲激光掺杂，在Ｐ型和Ｎ型硅中掺入锑和铝，形成浅突变ＰＮ结太阳能电池，通过卢瑟福背散射，给出了ＰＮ结结深和杂质浓度分布，研究了预热温度、激光辐照能量密度、激光脉冲个数对方块电阻和太阳能电池开路电压的影响，并给出了太阳电池ＩＶ特性曲线