金电极上巯基修饰单链DNA对[Fe(CN)_6]~(3-/4-)的电催化作用

为研制简易非标记脱氧核糖核酸(DNA)电化学传感器,制备了固定在金电极上的DNA探针.研究了铁氰化钾在裸金电极、巯基化单、双链DNA(HS-ssDNA, HS-dsDNA)修饰金电极上的电化学行为,探讨了铁氰化钾浓度和离子强度对[Fe(CN)6]3-/4-的电化学行为的影响.结果发现:在低离子强度下,HS-ssDNA对[Fe(CN)6]3-/4-的电化学行为有电催化作用,导致[Fe(CN)6]3-/4-在HS-ssDNA修饰的金电极(HS-ssDNA/Au)上的峰电流远远大于在裸电极上的峰电流;而HS-dsDNA则没有这种电催化活性;电极上的DNA杂交后阻碍了电子的传递,导致HS-dsDNA修饰金电极(HS-dsDNA/Au)上的[Fe(CN)6]3-/4-的电化学行为消失;巯基修饰的单链DNA对[Fe(CN)6]3-/4-的电催化具有特异性.     

新型量子点修饰金电极的制备及其在检测多巴胺中的应用

用3-巯基丙酸(MPA)包覆的碲化镉量子点(CdTe QDs)在金电极上进行自组装,制备了CdTe QDs修饰金电极(CdTe QDs/Au E)。利用循环伏安法研究此修饰电极的电化学行为,以[Fe(CN)6]3-/4-为探针,考察了CdTe QDs自组装膜修饰金电极的电化学性质。而且研究了多巴胺(DA)在此电极上的电化学行为,结果表明:DA在此修饰电极上可被电催化氧化。差分脉冲伏安(DPV)氧化峰电流与DA浓度在1.00×10-9～6.40×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为3.30×10-10mol/L.     

MPA包覆的银纳米粒子修饰电极制备和电化学表征

运用自组装和电化学组装法,将MPA包裹的银纳米粒子修饰到金电极表面,制备成银纳米粒子单层和多层膜修饰电极. 循环电压-电流和电化学阻抗谱测定结果表明:以MPA包覆的银纳米粒子修饰电极的氧化电位明显负移,显示出银纳米粒子具有更高的活性. 以0.5mmol/L的K3[Fe(CN)6]溶液为检测体系,电化学阻抗谱测试得出电极表面对探针分子的阻碍作用有所增加. 循环电压-电流结果表明:与单层膜修饰电极相比,多层膜修饰电极的峰电流显著增加.     

高半胱氨酸SAM膜电极的制备及其电化学行为研究

研究了高半胱氨酸在金电极上形成单分子自组装膜的条件，并利用循环伏安法，交流阻抗谱研究了[Fe(CN)6]^3-/4-在高半胱氨酸SAM膜电极上于不同pH值溶液中的电化学行为。循环伏安结果表明，在pH大于高半胱氨酸等电点的溶液中，[Fe(CN)6]^3-/4-在膜电极上的循环伏安曲线峰电流明显降低，峰分离差增大，说明随pH值的增加，[Fe(CN)6]^3-/4-离子对在SAM膜电极上的可逆性变差；交流阻抗图谱显示，由于SAM膜电极表面带负电荷时，[Fe(CN)6]^3-/4-难以靠近电极表面，使其与电极表面的电子交换反应变得困难，在SAM膜电极上的电化学反应电阻Rct明显增加，并且随电解质溶液的pH增加而增加。     

12烷基硫醇自组装膜膜电阻与过电位的关系

应用交流阻抗技术研究了12烷基硫醇自组装膜（SAM）修饰金电极在2mmol/L Fe(CN)6^3-/Fe(CN)6^4-溶液中的电化学行为。无“针孔”缺陷的SAM修饰电极对溶液中电对的电子转移具有良好的阻碍作用，在所测定的外加直流电位下，12烷基硫醇自组装膜修饰金电极在Fe(CN)6^3-/Fe(CN)6^4-溶液中的电化学交流阻抗谱均表现为半圆形式。指出了自组装膜修饰电极在Fe(CN)6^3-/Fe(CN)6^4-溶液中的行为实质上主要反映了膜自身的电阻特征，发现表观电阻ln(1/R2)与η^1/2之间具有良好的线性关系，应用有机超薄绝缘膜的Poole-Frenkel效应对此进行了解释。     

超氧化物歧化酶模型化合物在金电极上的分子自组装

采用3-巯基丙酸在金电极上自组装得到自组装单分子层(SAM),再利用DCC作酰胺键偶合剂,将超氧化物歧化酶(SOD)模型化合物Fe(IDB)Cl3(简称Fe-MSOD,IDB为N,N-二(2′-苯并咪唑甲基)亚胺)共价键合到自组装在金电极表面的3-巯基丙酸单分子层上,构筑了一种超氧化物歧化酶模型化合物分子组装体系膜修饰电极(Fe-MSOD/3-MPA/Au).采用电化学循环伏安法、交流阻抗法对该修饰电极进行了表征.初步探讨了此修饰电极的电化学氧化还原性质.     

以Fe(CN)63-/4-作为探针分子研究自组装修饰电极性质

由Fe（CN_6~(3-/4-)氧化还原电对在ω-巯基己酸自组装修饰金电极上的循环伏安行为,根据阴极峰电流I、峰电位差△Ep与浸渍时间的关系曲线推测出6-MHA在金电极表面形成自组装单分子膜的过程是分阶段进行,同时此修饰层对Fe（CN）63-/4-氧化还原过程的电子转移也有阻碍作用,计算得Fe（CN）63-/4-在6-MHA SAM修饰前后的金电极上的表观电子转移速率常数分别为9.13×10-4cm/S与2.47×10-5cm/S。     

噻吩羧酸在金表面的自组装膜及其电化学性质

研究了具有平面环状共轭体系的硫杂环化合物噻吩羧酸在金表面的自组装单分子膜及其修饰金电极的电化学行为．以Fe(CN)6^4-/3-为“探针”离子，用循环伏安法对自组装膜的形成、电极界面电容及其组装机理进行了研究．结果是噻吩羧酸在Au上的覆盖度约为95％，金电极的界面微分充电电容由修饰前的0．294μF／cm^2下降到0．167μF／cm^2，由此可见噻吩羧酸在金表面形成了致密的单分子膜．     

超氧化物歧化酶模型化合物在金电极上的分子A组装

采用3-巯基丙酸在金电极上自组装得到自组装单分子层(SAM)，再利用DCC作酰胺键偶合剂，将超氧化物歧化酶(SOD)模型化合物Fe(IDB)CI3(简称Fe-MSOD，IDB为N，N-二(2’-苯并咪唑甲基)亚胺)共价键合到自组装在金电极表面的3-巯基丙酸单分子层上，构筑了一种超氧化物歧化酶模型化合物分子组装体系膜修饰电极(Fe-MSOD／3-MPA／Au)．采用电化学循环伏安法、交流阻抗法对该修饰电极进行了表征．初步探讨了此修饰电极的电化学氧化还原性质．     

Au/CaM自组装膜方波伏安法表征

采用方波伏安法,在包含1 mmol/L[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-的0.15 mol/L的NaCl溶液中,对Au/CaM膜的电化学行为进行了初步表征。由方波伏安电流响应图可知:CaM可以在Au基底自组装成膜,[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-在Au/CaM膜电极上发生的是电化学不可逆反应过程。