Ba_3Gd(BO_3)_3:Ce~(3+),Tb~(3+)荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法制备单相Ba_3Gd(BO_3)_3:Ce~(3+),Tb~(3+)荧光粉,利用XRD、SEM、激光粒度仪和光致发光光谱分别对其物相、形貌、粒度分布和发光性能进行表征。结果表明:样品的粒度主要集中在1.5~2.0μm,颗粒表面光滑。激发光谱主要由Ce~(3+)和Tb~(3+)离子的4f-5d特征跃迁组成。在Ce~(3+)离子的特征激发下(350 nm),样品呈现Ce~(3+)离子的5d-4f宽带发射和Tb~(3+)离子的f-f锐利发射;主峰为544 nm,对应于Tb~(3+)离子的5D4→7F5跃迁。随着Tb~(3+)掺杂量的增加,Ce~(3+)离子的发射强度逐渐下降,Tb~(3+)离子的发射强度先增强后减弱;最佳掺杂量为20%。样品中存在Ce~(3+)向Tb~(3+)的能量传递,其传递效率为33.9%。样品的发光颜色可从蓝光调整到绿色区域。样品可应用于UV-LED中。     

3×3引理的推广及其应用

将Ａｂｅｌ范畴中的３×引理推广到３×３×３引理，并利用３×３×３引理给出了ｐ－除环上一系列矩阵秩的公式。     

CH3NH3PbI3薄膜的光致发光增强效应

采用光谱测量技术分析了CH₃NH₃PbI₃薄膜的光致发光增强效应及其对载流子复合动力学的影响.实验结果表明,增加光浴功率密度有助于提高薄膜的光致发光增强速率,O₂环境有利于薄膜的光致发光增强.CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴处理引入的光致发光增强效应源于薄膜内缺陷态浓度降低.同时利用微波吸收介电谱技术,表征了CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴前后,自由载流子和浅能级束缚载流子的复合动力学.发现光浴后,薄膜的自由载流子和浅能级束缚载流子浓度明显提高.     

不同湿度环境下CH3NH3PbI3薄膜的退化过程

实验分析了在15%、50%和90%RH湿度条件下CH₃NH₃PbI₃薄膜退化过程.通过XRD测量发现不同湿度环境中CH₃NH₃PbI₃薄膜的退化产物为PbI₂,且在90%相对湿度(RH)环境下还观测到了退化中间产物水合物(CH₃NH₃)₄PbI₆·2H₂O.不同湿度环境中CH₃NH₃PbI₃薄膜退化速度不同,湿度越大,退化速度越快.通过载流子动力学的测量发现随着退化时间增长,CH₃NH₃PbI₃薄膜光生载流子数量不断减小.低湿度环境下CH₃NH₃PbI₃薄膜在退化过程中表现出缺陷钝化现象,载流子复合寿命随退化时间呈先上升后下降趋势.而在高湿度条件下,CH₃NH₃PbI₃薄膜出现缺陷增加现象,载流子复合寿命随退化时间呈下降趋势.     

Na_3La_2(BO_3)_3∶Tm~(3 )的合成及其光谱特性

论文用固相反应法 ,合成了一系列掺Tm3 的Na3La2 (BO3) 3[Na3(La1-xTmx) 2 (BO3) 3]发光体 ,X 射线粉末衍射数据分析表明它们属于正交晶系 ,空间群为Amm2 .测量了红外光谱、荧光光谱 ,观察到在 35 2nm、45 7nm处有较强的荧光发射 ,并研究了发光强度与Tm3 离子浓度 (x)的关系 ,从而确定了Tm3 离子在Na3La2 (BO3) 3基质中发光的适宜浓度 .     

WO3掺杂的La2/3Ba1/3MnO3的晶体结构和磁性质研究

采用La2/3Ba1/3MnO3(LBMO)为母体,选用非磁性的W离子的氧化物WO3作为第二相,用固相反应法合成了复合体系La2/3Ba1/3MnO3/xWO3.研究了该复合物的晶体结构和磁性质,发现W6 离子的注入会引起晶胞体积的增大和居里相变温度的下降,分析了发生这种变化的原因.     

浅议3DS4与3DSMAX的市场前景

3DS4与3DSMAX同属三维动画软件,本文通过对比分析,阐述了各自的特点及市场前景。     

浅谈3G与3G手机

3G时代来了,它将为我们的通信方式、娱乐休闲方式、日常的生活方式带来巨大的改变。下文介绍了3G和3G手机的概念、3G标准,工作频段、我国3G技术标准TD—CDMA以及3G手机运营商等。     

激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

退火温度对CH3NH3PbI3薄膜结构和性能的影响

采用真空双源共蒸发技术制备了CH_3NH_3PbI_3薄膜,研究了退火温度对CH_3NH_3PbI_3薄膜结构和性能的影响。利用XRD、原子力显微镜、紫外—可见—近红外分光光度计和霍尔效应仪研究了CH_3NH_3PbI_3薄膜的微观结构和光电性能。研究结果表明:合适的退火温度(95℃)有助于薄膜结晶度的提高,利于晶粒长大,使得晶界减少,界面处缺陷度较低,带电粒子迁移率提高。退火温度超过100℃时,薄膜热稳定性急聚下降,使CH_3NH_3PbI_3分解,部分I-以CH3NH3I的形式挥发,产生大量过剩Pb I2相,导致薄膜载流子浓度降低,导电性能下降。退火后的薄膜在可见光区域内吸收系数提高。退火温度为95℃时,薄膜禁带宽度1.66 e V最小,最接近理论值1.55 e V。     

3D时代即将来临

汤森路透知识产权解决方案业务部调查了2003—2009年期间3D技术领域的专利活动。通过分析已公布专利申请和授权专利中包含的发明的总数，研究人员确定了专利活动增长最快的3D技术领域。研究发现，3D技术的利润链已延伸至好莱坞之外。数据显示，娱乐领域的3D技术创新呈快速增长之势。实际上，在3D技术专利活动数量最多的三大领域中，3D电影位居末席，排在3D电视和3D摄影之后。按照目前3D技术领域的创新活动水平，通过家庭平板电视观看3D广告以及翻阅孩子们的3D相册将指日可待。     

3N+1猜想与3N+3k猜想的等价性及相关性质

将数论中3N＋1猜想推广为3N＋3^k猜想．得到了3N＋1猜想与3N＋3^k猜想的等价性．得到有关3N＋3猜想的一些性质．3N＋1猜想的推广、3N＋3猜想的一些性质的建立对于研究4K＋3型奇数在3N＋3猜想压缩迭代中起到简化作用，同时也为3N＋1猜想的研究提供了新思路．     

NaNbO_3-SrTiO_3陶瓷介电性能的研究

在正常铁电体NaNbO3中掺入SrO和Ti O,用传统的固相反应法制得(1-x)NaNbO3-xSrTi O3陶瓷,并测量其介电性能.发现掺入SrO和Ti O后,样品发生了明显的铁电相变,还发现随着掺杂量的增加,相变温度明显下降,介电峰值增大.烧成的样品显示了单一的相结构.     

CH3NH3PbI3钙钛矿光电探测器的短脉冲光电响应

以Nd:YAG纳秒脉冲激光器的2倍频输出(532 nm)作为激发光源,比较了1步法、2步法制备钙钛矿光电探测器对ns量级短脉冲激光的光电响应.结果表明,2种钙钛矿光电探测器的上升沿响应时间相当,为20～ 25 ns,且随着探测器的性能退化,上升沿响应时间基本保持不变;在灵敏度方面,2步法CH3NH3PbI3钙钛矿光电探测器能够在更大入射能量范围内保持线性响应,且在低能入射条件下具有更佳的光电转换效率;在光电转换效率的长时间稳定性方面,1步法CH3NH3PbI3钙钛矿光电探测器优于2步法CH3NH3PbI3钙钛矿光电探测器.所得结果既有助于钙钛矿光电探测器的光电转换行为表征,也有利于拓展钙钛矿光电探测器的应用范围.     

3G技术的简介

3G是未来无线通信的发展方向,本文通过对3G的名词解释及对3G的简单介绍使大家对于3G有初步的了解。     

3p^3阶群之构造

在有限群理论中,确定n阶群的构造是一个分类问题。本文试图确定3p~3(p是奇素数,且p≠3)阶群的构造,即证明下面的定理: 令p是一个素数,则3p~3(p≠3)阶群有 (1)7种类型,当p≠1(mod3)。 (2)19种类型,当p=1(mod3)。     

Na3La2（BO3）3：Tm^3＋的合成及其光谱特性

论文用固相反应法,合成了一系列掺Tm^3 的Na3La2(BO3)3[Na3(La1-xTmx)2(BO3)3]发光体,X－射线粉末衍射数据分析表明它们属于正交晶系,空间群为Amm2。测量了红外光谱、荧光光谱,观察到在352nm、457nm处有较强的荧光发射,并研究了发光强度与Tm^3 离子浓度（x)的关系,从而确定了Tm^3 离子在Na3La2(BO3)3基质中发光的适宜浓度。     

RbCdF3：Fe^3＋和CsCdF3：Fe^3＋晶体中Fe^3＋—Li^＋缺陷…

本文计算了掺入三价Ｆｅ＾３＋离子和Ｌｉ＾＋杂质后，晶体ＲｂＣｄＦ３和ＣｓＣｄＦ３中的Ｆｅ＾３＋－Ｌｉｕ＾＋缺陷中心的零场分裂参量，微扰计算进行到第六阶。     

高职电气自动化专业"3+3=3"人才培养模式的研究与构建

我们如何适应市场经济的发展,使高职电气自动化专业在改革中求生存、求发展,为社会提供更多的高素质技能型人才,为国民经济的发展服务。本文阐述了"3 3=3"教学模式的研究和构建,对高职教育教学的改革和发展具有一定的参考作用。     

3-氯-3-甲基丁炔的合成

探讨了以3-羟基-3-甲基丁炔为原料合成3-氯-3-甲基丁炔的工艺,并考察了反应条件对3-氯-3-甲基丁炔收率的影响.通过正交实验确定了最佳工艺条件:3-羟基-3-甲基丁炔23.5 g,浓盐酸28 mL,浓硫酸18 mL,反应温度30 ℃,催化剂ZnCl2 2 g,该合成工艺收率可达83%以上.