GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＣｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的三次非线性光极化率．     

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格衬底区Holz线的计算机模拟

对错位网络在衬底区Ｓｉ 中弹性位移场和应变场［１］ 进行了模拟计算－ 理论计算结果与实验图片吻合，证实了衬底区Ｈｏｌｚ 线弯曲是起因于超晶格界面晶格畸变－ 另外还计算分析了Ｇｅ 含量，以及ＧｅｘＳｉ１－ ｘ／Ｓｉ 层厚对应变场和Ｈｏｌｚ 线的影响，得到关于该场的一些信息－     

Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价．     

GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响．     

Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶

采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．     

GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。     

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。     

P-GeSi/P-Si探测器的研制

采用ＭＢＥ法在Ｓｉ衬底上生长ＧｅＳｉ异质结,制成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结探测器。测得其反向击穿电压为１５Ｖ左右,光响应为０．５ｍＡ     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

GaAs／GexSi1—x系统的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格的三次非线性光极化率。     

CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附

本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附。用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）Δε〈０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；Δε〉０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。     

发射蓝光的氧化多孔硅和氧化硅的比较研究

对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致和光致发光激发光谱的对比研究，结果表明，当氧化温度达到1150℃时，多孔硅中的纳米硅粒完全消失，此时的光致发光激发谱与发射蓝光的氧化硅的光致发光激发谱有相似的结构和峰位。     

基于Si2414及Si3015的嵌入式Modem设计

介绍一种基于硅实验室双芯片形式的嵌入式Modem芯片Si2414、Si3015以及TI公司的16位定点DSP芯片TMS320LF2407A的嵌入式Modem设计，重点说明了该Modem的硬件电路及软件的设计过程，并培出其在TTU设备通信中的应用实例以及相关硬件接口电路和C语言程序。     

Si/Si低温键合界面的XPS研究

利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.     

'Magic' nucleus 42Si

Nuclear shell structures--the distribution of the quantum states of individual protons and neutrons--provide one of our most important guides for understanding the stability of atomic nuclei. Nuclei with 'magic numbers' of protons and/or neutrons (corresponding to closed shells of strongly bound nucleons) are particularly stable. Whether the major shell closures and magic numbers change in very neutron-rich nuclei (potentially causing shape deformations) is a fundamental, and at present open, question. A unique opportunity to study these shell effects is offered by the 42Si nucleus, which has 28 neutrons--a magic number in stable nuclei--and 14 protons. This nucleus has a 12-neutron excess over the heaviest stable silicon nuclide, and has only one neutron fewer than the heaviest silicon nuclide observed so far. Here we report measurements of 42Si and two neighbouring nuclei using a technique involving one- and two-nucleon knockout from beams of exotic nuclei. We present strong evidence for a well-developed proton subshell closure at Z = 14 (14 protons), the near degeneracy of two different (s(1/2) and d(3/2)) proton orbits in the vicinity of 42Si, and a nearly spherical shape for 42Si.     

由《史记·李斯列传》出发观照李斯

秦的君主专制和官僚政治宗法化导致中国官僚阶层普遍的奴仆化,他们缺乏独立的人格,逐渐匍匐在专制王权的脚下。《史记·李斯列传》是《史记》中的精彩篇章,它记述了李斯由一个闾巷布衣依附王权升至丞相的飞腾历程,但最终在封建集团内部的权力斗争中被陷害致死的悲惨故事。李斯依附王权企图维护自身权势但最终为专制王权所毁足,他的悲剧不仅仅是个人的命运悲剧,更是中国封建社会的社会悲剧。     

吸附在Si (001)表面二聚体相互作用的分子动力学模拟

采用Stillinger-Weber原子间相互作用势,对吸附在Si(001)表面上的二聚体之间的相互作用进行了分子动力学模拟.通过对它们之间相互作用的分子动力学模拟,发现不同的二聚体之间相互作用会形成不同类型的四聚体结构.本文给出两种通过二聚体之间的相互作用形成四聚体结构的途径.模拟还发现这样的四聚体结构在一定温度下是相当稳定的,而且它们的结合位形类似于B型台阶,有利于吸附新的原子形成外延层.     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

傅山"四宁四毋"理论成因分析

傅山“四宁四毋”理论对中国传统艺术的审美思想转变有着很大影响,其理论的提出是中国传统思想、美学精神、书风演进等多因素影响的结果。但理论精神并没有得到很好的实践,主要原因是理论核心背离了传统的审美精神。