霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

论霍耳测量问题

利用合理的边界条件，通过解拉氏方程．导出了一个普适的霍耳电压公式．利用这个公式，不仅可以解释常规霍耳效应中电极对霍耳电压的强短路作用，而且还可以解释量子霍耳效应中电极对霍耳电压的零短路作用．     

霍耳效应公式的量子力学推导法

用量子力学方法推导了量子霍耳效应的二维电子气中的霍耳效应公式。     

磁颗粒复合体系中的反常霍耳效应

巨磁阻和反常霍耳效应都是与电子自旋相关散射有关的磁输运现象,应用扩展的有效介质近似方法和双通道模型,研究了磁颗粒复合体系中的反常霍耳效应,它源于旋轨耦合作用引起的电子非对称自旋相关散射。从理论上计算了反常霍耳效应与磁性颗粒尺寸关系,得到与实验基本相符的结果。在反常霍耳效应与磁颗粒浓度关系的研究中,发现在巨磁阻峰值浓度附近出现最佳的反常霍耳效应。     

量子霍耳效应探讨

本文从线性响应理论的久保公式出发，用正则系综求统计平均的方法，导出了整数量子霍耳电导。从而解释了整数量子霍耳效应。     

铜—二氧化硅体系巨霍耳效应研究

研究了体积比为 0 .45≤x≤ 0 .8的Cux(SiO2 ) 1 -x 样品的霍耳系数与成份的关系 ,随着金属体积比的降低 ,霍耳系数R迅速增加 ,并在x=0 .51时达到最大 ,其值为x =0 .8的样品霍耳系数的 70 0倍 ,远超过经典渗流理论计算数值 .本研究表明 ,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应 (GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的     

量子霍耳效应的半经典分析

霍耳效应的解释是以电场、磁场等基本经典概念为基础；而量子霍耳效应的本质是一种量子力学效应．本文避开量子力学高深的数学语言，以经典分析的手法对量子霍耳效应的一些基本概念及实验结果给出较园满的解释．     

铜一二氧化硅体系巨霍耳效应研究

研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超过经典渗流理论计算数值.本研究表明，这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应（GHE）是由界观尺度的量子干涉效应引起的.     

评霍耳效应的物理模型

本文从理论上证明了传统的霍耳效应物理模型中霍耳电荷分布和电流线的分布是不正确的。     

双交流法霍耳效应测量仪的研制

介绍双交流法霍耳效应测量的原理，并说明制作的仪器的结构和样品架制作技术。电磁铁截面积为８．０ｃｍ×５．５ｃｍ，间隙为１．３ｃｍ，磁感应强度Ｂ可达０．１５Ｔ，如缩小间隙，Ｂｍａｘ可达１．５Ｔ。样品电流从５ｍＡ到２ｕＡ分６个量程。测试表明，仪器的灵敏度、稳定度优于ＦＳ－５型锁相放大器的指标。最后分别对砷化镓材料条形样品和方形样品做了２种方法的测量。