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相似文献
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1.
目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论.  相似文献   

2.
“非晶态硅的表面、界面与微结构研究”项目的完成,建立了射频等离子体淀积(薄膜)系统,制备了具有较好的光电传感特性(σ_p/σ_d=5×10~4)的a-Si:H薄膜,利用XPS,AES,ESR,SEM,TEM,TED等现代分析技术,对非晶硅微结构与生长机理,动态结构弛豫,近贵金属与非晶硅界面特性,以及非晶硅表面超薄自然氧化膜的形成等,进  相似文献   

3.
一、引言在(Ar+H_2)气氛中溅射制备的a-Si∶H 薄膜已具有与SiH_4辉光放电制备的薄膜相近的性能,可以用于制造太阳电池等器件.但a-Si∶H 薄膜的性质对制备条件非常敏感.为获得性能优良稳定的薄膜,各实验室已对制备条件进行了许多研究.但关于射频电流或功率的影响之报道尚比较少.Jeffrey 等曾报道,增加溅射功率可以减少a-Si∶H薄膜中的SiH_2键密度,而得到几乎只含SiH 键的薄膜.Martin 和Pawlewice 也报道了溅射时靶的功率密度对a-Si∶H 薄膜的氢含量和氢的键合形式有显著的影响.本工作  相似文献   

4.
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.  相似文献   

5.
室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析,发现不同的退火时间对a—Si:H的微结构影响很大,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H^0)与薄膜的反应.化学势很高的H^0能将Si—Si弱键转变成Si—Si强键.硅网络结构发生弛豫,使结构由无序向有序转变,从而能够降低晶化温度与退火时间.  相似文献   

6.
我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.  相似文献   

7.
采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明:退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~(4+)取代Sn~(2+)导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明:分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。  相似文献   

8.
射频溅射无定形硅性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
硅烷(SiH_4)辉光放电分解法(G D 法)和射频溅射法(S P 法)是制备氢化无定形硅(a-Si:H)薄膜的两种主要方法.前人采用GD 法制成禁带缺陷态密度很低的a-Si:H 薄膜,并成功地掺入磷和硼,制成n 型或p 型的无定形半导体材料.用SP 法制备的a-Si:H 薄膜,由于禁带缺陷态密度较大,早期被认为不适于作器件材料.近年来,通过改变沉积参数,使射频溅射无定形硅的性质有所改善.但是从光电导和光致发光强度说明,目前的工艺尚未能把缺陷态密度减到最小.这种a-Si:H 薄膜性质还不  相似文献   

9.
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的制备与光学性能.研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响a-Si:H薄膜成键情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率,该研究结果可为制备转换效率高、性能稳定的p-i-n型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持.  相似文献   

10.
本文报道用电子显微镜观察、X-射线衍射和红外吸收谱等方法研究 a-Si:H 薄膜的毫微秒(ns)脉冲激光退火的结果。从红外吸收谱发现了退火后薄膜中H相关振动吸收的增强现象;通过电子显微镜观察到了厚度≥3μm 的薄膜退火后具有多层结构。讨论了 H 在产生以上现象的机理中的作用。  相似文献   

11.
利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅(PS)样品,测出其结构参数,并摄得相应的SEM微观形貌图片.针对多孔硅的结构特点,确立相应的离散分形布朗随机增量(DFBIR)场模型,应用图像处理方法,求出不同PS微观图像的分形参数.发现了PS结构参数和分形参数的内在联系与规律性,为PS的定量化研究提出了新的方法  相似文献   

12.
煤矸石散粒料的分形特征研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
应用分形几何理论对徐州地区的煤矸石散粒料进行了粒度分析,并研究了几个矿区煤矸石散粒料的粒度分布的分维,研究表明煤矸石散粒料具有分形结构特征,散粒材料的粒度级配特征参数-不均匀系数Cu=6^1/(3-D),曲率系数Cc=1.5^1/(3-D),同时研究了煤矸石的击实特性和强度特性与分维特征的关系。  相似文献   

13.
引用分形概念研究了非晶铁模形的结构特征,用测度关系求分维的方法考察了模型中原子的分布后发现,非晶铁的结构为统计自相似结构,其分维值介于2~3之间,同时,还发现分维值随压力而变化,分维D呈下降→增长→再下降→再增长的趋势变化,整体上呈缓慢增长之势。  相似文献   

14.
Au纳米晶在单晶硅(110)表面上的分形生长   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用水溶液法制备了Au纳米粒子水溶胶, 透射电镜观察, Au纳米粒子的平均粒径 为29 nm. 将此溶胶滴至干净的单晶硅(110)表面上, Au纳米粒子自组装形成分形结构. 通 过控制温度, 所得的分形结构表现出不同的形貌特点. 利用光学显微镜观察Au纳米粒子 的聚集分形生长过程, 用原子力显微镜对分形结构的表面形貌进行表征, 讨论了分形生 长机理.  相似文献   

15.
采用常规PECVD工艺,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源,以PH3 作为P原子的掺杂剂,在P型(100) 单晶硅(c- Si) 衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc- Si(P):H) 膜。通过对膜层结构的Raman 谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM) 观测指出:与本征nc- Si:H 膜相比,nc- Si(P):H 膜中的Si 微晶粒尺寸更小(~3 nm) ,其排布更有秩序,呈现出类自组织生长的一些特点。膜层电学特性的研究证实,nc- Si(P):H 膜具有比本征nc- Si:H 膜约高两个数量级的电导率,其σ值可高达10- 1 ~101 Ω-1cm -1 。这种高电导率来源于nc- Si(P): H 膜中有效电子浓度ne 的增加、Si 微晶粒尺寸d 的减小和电导激活能ΔE的降低。  相似文献   

16.
酶的分形反应动力学   总被引:4,自引:0,他引:4  
应用分形理论推导了酶催化的基元反应动力学方程,针对方程的物理意义做了简单的讨论。  相似文献   

17.
粉煤灰水泥浆体的分形结构研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
简要介绍了用X射线小角散射分析技术测定多孔固体材料中气孔--固体界面分形维数的理论,并将这一理论用于测定粉煤灰水泥浆体的分形结构,实验结果表明,粉煤灰水泥浆体具有面分形结构特征。此外,对分形维数与抗压强度的关系也进行了探讨。  相似文献   

18.
混凝土中孔结构的分形维数研究   总被引:7,自引:1,他引:7  
建立了分形模型来模拟水泥浆体的空间结构,在此基础上推导出了孔体积分形维数D和孔隙率P、孔径分布的关系式;根据所得公式预测混凝土的孔体积分形维数D在0到3之间,并且D值随孔隙率减小和孔径分布范围变宽而增大.同时运用压汞法(M IP)测定普通硅酸盐混凝土的孔结构,进行孔体积分形维数计算,发现孔体积分形维数与强度之间有比较好的相关性.  相似文献   

19.
陇东地区长7致密油储层微观孔喉结构 分形特征   总被引:1,自引:1,他引:0  
微观孔隙结构研究对低渗、超低渗或致密砂岩油藏的渗流机理认识及开发有着极其重要的意义。利用鄂尔多斯盆地陇东地区36口井40块岩样的压汞资料,研究了长7储层微观孔隙结构的分形特征。研究发现,储层孔隙结构存在单一分形和多段分形特征。不同孔径范围具有不同的分形维数。不同的分形特征反映微观孔隙结构组合特征也是不同的,揭示了研究区储层孔隙结构的复杂性。表征微观孔隙结构的参数与分形维数存在良好的线性关系,表明可以用分形维数表征储层微观孔隙结构的非均质性。  相似文献   

20.
分形理论和岩石破碎的分形研究   总被引:9,自引:1,他引:9  
介绍了分形的基本概念和4种分维数的确定方法,探讨了岩石破碎过程中的分形特征,推导了岩石爆破块度分布和分形维数的关系式,并建立了分维数与爆破参数的关系,从而为爆破参数优化进行块度预报提供了科学依据,为岩石破碎理论的研究提供了新的途径。  相似文献   

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