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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
利用渐近分析方法研究在小的远场来流扰动作用下纯熔体内具有液固平直界面的凝固过程的稳定性,导出了液固界面的扰动振幅变化率与波数的色散关系,以此为基础给出了具有液固平直界面的凝固过程的稳定性判据,揭示了金属凝固过程中液固平直界面转变为胞晶界面的内在机理.  相似文献   

2.
在晶体液固界面上考虑动力过冷,对凝固系统控制方程的扰动解进行渐近展开,分别求其零级、一级近似解.推出判别液固平界面稳定性的色散关系,该关系式适合于任意的扰动波长.结果表明,过冷纯熔体中非快速凝固晶体生长的液固界面是不稳定的.  相似文献   

3.
过冷纯熔体中球状晶体生长界面上存在动力学的作用,即界面稳定性也依赖于动力过冷.从Mullins-Sekerka理论出发,修改了Cristini和Lowengrub的动力过冷项,考虑界面上动力过冷的影响,应用渐近分析的理论继续分析过冷纯熔体中球状晶体生长液固界面的稳定性.结果表明,稳定性由扰动波数的大小确定.  相似文献   

4.
研究了扰动对单相合金在定向凝固过程中平面晶和胞晶固液界面生长形态的影响规律,给出了单相合金由平面晶向胞晶转变的临界条件及胞晶稳定生长的条件,首次用非线性理论中的线性稳定性理论,证明了单相合金在定向凝固过程中,固液界面由平面晶向胞晶转变和胞晶生长的分太 亚临界分叉;利用有机物模拟合金BrC4在固液界面的面前沿有扰动的情况下进行实验,研究了固液界面前沿扰动对固液界面平胞转变和胞晶生长的分叉机制的影响规  相似文献   

5.
考虑具有凝固平直界面的二维非稳态晶体生长过程,由于凝固过程中溶质原子的吸附作用,电磁搅拌等诸多因素的干扰,在固液平直界面会产生扰动,从而影响界面的形态。本文研究凝固过程中具有固液平直界面的温度场扰动分析,用多重尺度法求出一阶渐近解,指出在扰动条件下,温度变化沿晶体生长方向呈指数衰减,提出扰动条件下固液平直界面晶体生长的稳定性条件。这为晶体生长的理论研究及实验工作提供了理论依据。  相似文献   

6.
采用有限差分法求解小平面晶生长Wheeler相场模型,对多晶硅凝固界面形态演化过程进行相场模拟,详细分析了初始晶核条件、扰动强度和时间步长对界面形态演化的影响。结果表明:在多晶硅凝固过程中,九个晶核初始条件下,固液界面比较平坦,晶核生长空间差异小,易于形成垂直于生长界面的棱角胞晶组织。随着扰动强度的增加,棱角胞晶出现侧向分支,根部缩颈严重甚至出现熔断现象。选择强度为0.01的界面扰动,能够真实再现多晶硅凝固界面形态演化过程。在保证计算结果稳定性条件下,增加时间步长能够提高相场模拟计算效率。  相似文献   

7.
本文提出了在高温凝固过程中,用振动参数实时检测金属固液界面位置的方法。并以Bridgman凝固装置为对象,确立了凝固系统特征值关于固液界面位置的灵敏度,进行了实验分析,给出了界面位置一谱阵图。  相似文献   

8.
目的将热力学数据与动力学知识及结构信息相结合,概述离子型表面活性剂在二氧化硅固-液界面上的吸附过程。方法通过阐述阳离子表面活性剂在固-液界面上的吸附热力学数据与其动力学研究结果,介绍表面活性剂在固-液界面上的吸附机制及模型建构。结果阳离子表面活性剂在固-液界面上的吸附机制主要受浓度、界面性质、吸附等温线、表面活性剂链长、表面电荷等因素的影响。结论表面活性剂在基质上形成的离散聚集体及形貌会影响其在固-液界面上的吸附形态,同时提出了可能的吸附机制。  相似文献   

9.
在晶体生长过程中,由于溶质原子的吸附作用、电磁搅拌等诸多因素的干扰,会在固液平直界面产生扰动,进而影响界面形态.研究了具有凝固平直界面的二维非稳态晶体生长过程,通过稳定流场下的温度场扰动分析,利用摄动方法将问题展开,求出零阶及一阶渐近解并进行讨论,给出解的稳定性条件.结果表明,在扰动条件下,稳定流场中的温度变化沿晶体生长方向呈指数衰减,可为晶体生长的理论研究及实验工作提供一些理论依据.  相似文献   

10.
研究了一个带有非线性温度依赖界面动力学的颗粒生长数学模型,分析颗粒界面的演化及其形态稳定性.利用渐近展开方法,获得颗粒生长的渐近解以及界面扰动的变化率.当界面动力学增加时,界面动力学过冷减小,颗粒增长速度也减小,非线性温度依赖界面动力学使得颗粒界面生长倾向于稳定.与忽略界面动力学的情形比较,非线性界面动力学显著减弱了球颗粒的生长速度.  相似文献   

11.
Liquid-solid interface morphological evolution of SCN-2wt%H2O alloy was investigated in the presence of shear flow. It has been found that shear flow strikingly enhances the stability of planar interface at lower pulling rates. In the intermediate range of pulling rate, the interface experiences periodical oscillating "planar-cellular" and "cellular-dendritic" growth patterns. The formation of oscillating growth modes can be explained by two reasons: (i) The stabilizing effect induced by shear flow competes with the growing destabilizing effect by the increase of pulling rate, which provides the driving force for morphological evolution; and (ii) the establishment of stable solute field at the liquid-solid interface needs a period of time, leading to the result that the interface evolution can not stay stable at the equilibrium state. However, as the puling rate becomes higher, it plays more and more important roles in pattern selection and dendritic growth forms.  相似文献   

12.
用相场法对Ti-45%Al合金在近绝对稳定高速定向凝固条件下的液固相变界面形态和微观结构演化进行模拟.结果表明:初始平界面失稳后形成许多细胞晶,在生长速度进一步增大至近绝对稳定平界面过程中,存在细胞晶向高速平界面的转变;体系溶质分布模拟的研究结果表明,由于固液界面处发生溶质截流,体系出现低微观偏析的凝固结构.模拟结果与快速凝固理论相吻合.  相似文献   

13.
LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
按同成分配比的LiNbO3的原料中,掺入溶质钇,用提拉法生长晶体时,人为地引入生长层,生长层记录了不同时刻的生长界面形态,借以追溯生长过程中固-液界面的形态和演变过程。晶体沿Y轴生长,LiNbO3晶体形成小面的{0112}面族中的(0112)面与生长轴的夹角最小,它与凸的固-液界面相切时,形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离,在晶体底部观察到平坦的(0112)面小面生长区。通过不同的晶体截面,观察了晶体内(0112)面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固-液界面的曲率半径。结果表明:小面半径的平方与相应的固-液界面的曲面的曲率半径成比例,这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制,计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。  相似文献   

14.
脉冲激光表面熔凝熔池演变数值模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了研究脉冲激光作用过程中表面快速熔化与凝固的过程,建立了脉冲激光作用熔池金属熔凝的二维热流耦合模型.考虑重力、材料物性随温度的变化等的影响,利用焓-多孔度方法和用户自定义函数对表面熔化凝固的固液相界面演化进行了分析;采用熔化/凝固模型对熔池内的瞬态温度场、速度场和流场进行了数值模拟,并以实验验证模拟结果.计算结果表明:表面熔化与凝固的固液相界面的移动呈现不同状态;在熔凝过程中,熔池内除存在一对方向相反的主环流外,还存在多个环流;流体的速度随着温度的降低而减小且速度最大的区域位于熔池表面附近.  相似文献   

15.
交流电场对定向凝固及界面溶质分配系数的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
对交流电场作用下定向凝固组织的研究发现,交流电场对定向凝固组织有细化作用,且随电流的增大,其效果越明显,同时交流电场使凝固界面的溶质含量减小.通过对电场各种作用的分析发现:界面的化学势的减小使界面的稳定性增加;但界面能的增大、活度系数的减小以及界面溶质层内的震荡会使界面变薄,使界面的稳定性减小,从而破坏了胞晶的稳定生长,使柱状胞晶变成细碎的晶体.  相似文献   

16.
电流改变定向凝固单相合金枝晶间距机理   总被引:7,自引:2,他引:5  
基于M-S理论的基本思路建立了电流作用下的凝固界面形态稳定性动力学微分方程式,并讨论了电流强度对稳定性及凝固过程达到稳定状态时所对应的扰动频率的影响。在此基础上讨论了电液改变定向凝固单相合金枝晶间距的机理。  相似文献   

17.
金红石(TiO2)单晶体的生长研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果,研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件·结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素,在合适的气氛条件下,晶体易于生长,生长速度范围较宽,可以长成较大尺寸的单晶体,否则,依赖调整(增加或降低)生长速度,不能形成完整的晶体·炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是氧化反应,消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间,并能获得呈透明状,微有浅黄色(金红石本色)的金红石单晶体·  相似文献   

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