200 MeV直线加速器热工调节对象的动态数学模型

国家同步辐射实验室的200MeV直线加速器,在空间上、时间上的恒温精度要求很高。除对空间上三维温度场研究外,还必须对热工调节对象动态特性有所了解,以便设计最佳调节系统。本文提出盘荷波导发热率θ(χ,τ)是距离χ的函数ψ(χ)和时间上τ的函数φ(τ)两者乘积的设想,在理论上推导出符合实验的分布参数的数学模型,从而设计了该工程用微机控制的最佳热工调节系统。     

铜及铜合金环保型化学抛光工艺新探

为满足铜及铜合金使用对表面处理的要求,研究了铜及铜合金化学抛光液的组成和抛光工艺．结果表明,HNO3-H2O2-H2O-稳定液组成的化学抛光液最优配方为体积比1：1：7：1,聚乙二醇用量为20．0g／L;最佳抛光工艺条件为抛光温度25℃、抛光时间12S．该配方及工艺具有组成简单、污染小、成本低廉、抛光快和易于操作的优点,对铜及铜合金进行化学抛光效果良好．     

塑料制品电镀技术

主要叙述了电镀塑料制品特性、生产设备及工艺。在生产电镀塑料制品时要经过检查，净化，粗化，敏化，活化，化学浸镀，电镀、抛光、清洗等９道生产工序。     

工艺参数对SUS304不锈钢抛光速度与抛光质量的影响

为提高不锈钢的抛光质量与效率,配制新型环保不锈钢抛光液,对SUS304不锈钢进行化学机械抛光.研究压力载荷、抛光时间、抛光线速度、pH值等工艺参数对不锈钢抛光性能的影响,结果表明,SUS304不锈钢在最佳的工艺参数组合下,可以达到最佳的抛光效果.     

EDTA低温化学清洗在超超临界机组中的应用

介绍浙江国华浙能发电有限公司二期(2×1000 MW)#5机组化学清洗情况。此次清洗是国内首次在超超临界机组采用双氧水清洗+EDTA的低温化学清洗及钝化的新型工艺。通过扩大清洗系统,优化清洗工艺,提高了临时系统安全等级,确保了系统安全性、严密性;通过技术攻关,进一步提高了塔式锅炉化学清洗效果。该工艺具有加强了清洗系统安全性,减少排放污染,降低清洗温度,减少加热时间,提高化学清洗经济性从而达到节能目的等优点。     

化学机械抛光中化学作用和机械作用协同的实验研究

借助现代实验仪器在微纳量级模拟化学机械抛光工况条件,采集摩擦界面的实时摩擦因数,研究单晶硅片化学机械抛光中的化学作用和机械作用的协同及相互影响关系.研究结果表明:在一定的化学机械抛光工艺条件下,去离子水和过氧化氢的化学作用及抛光正压力与滑划速度的机械作用对化学机械抛光的材料去除过程有着不同的影响.进一步分析研究获得了化学和机械作用协同的工艺参数条件:当抛光正压力为70mN、滑划速度为8.00mm/s时,抛光效果最优.     

雾化施液CMP工艺及实验设备

针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1／10。     

氧化铝生产过程结疤溶解的研究

以长城铝业公司全国科技招标项目“氧化铝生产过程结疤高效、快速清理技术”为研究课题，采用不同溶剂进行正交实验对结疤试样进行溶解，研制出一种高效溶剂，并对溶剂使用温度、流速缓蚀剂进行实验，确定了最佳工艺条件。该化学清洗结疤技术与传统处理方法相比，清洗彻底，溶垢率达95％以上；清洗时间缩短，10h即可完成；清洗效果符合《工业设备化学清洗质量标准》。该项技术应用于氧化铝生产，可显提高劳动生产率和经济效益。     

抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究

化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。     

蓝宝石衬底铜抛-CMP加工技术

针对蓝宝石衬底超精密加工存在的抛光表面不稳定问题,对蓝宝石衬底铜抛-化学机械抛光(CMP)加工技术进行研究,系统探讨铜抛与CMP的抛光压力、转速和抛光时间对蓝宝石衬底表面质量及加工效率的影响.综合评价各表面质量指标,结果表明:在满足表面质量对抛光工艺要求的前提下,采用铜抛的最佳工艺参数为铜抛压力98.0 kPa,转速55 r·min^-1,铜抛时间30 min;化学机械抛光的最佳工艺参数为抛光压力215.6 kPa,转速60 r·min^-1,抛光时间120 min,由此可获得高质量、无损伤的蓝宝石衬底抛光表面.     

Ⅱ.具有国际先进水平的TCO膜玻璃基片中性清洗工艺

在半导体和电子元器件的生产行业中,玻璃基片的清洗是重要的工艺技术之一。以往常用的工艺多是采用酸性或碱性洗液,不仅洗涤效果不理想,而且易造成腐蚀、产生环境污染等。制备大面积透明导电膜,对玻璃基片的清洗工艺要求很高,研究设计新的清洗工艺是“七五”攻关课题的一部分。经过两年多的努力,物理系半导体研究室的同志们研究设计出了 TCO 膜玻璃基片中性清洗工艺。该工艺采用特制的 DZ—1、DZ—2     

提高10.16cm砷化镓晶片单面精抛表面质量的工艺研究

在半导体制造工艺中,要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面,需要对半导体晶片进行表面精抛。国际上主要采用化学机械混合同时抛光,获得的晶片表面平整、光洁度好、机械损伤小。目前砷化镓材料的抛光液配方较多,但工艺条件比较严格,抛光结果并不理想。从抛光转速、抛光压力、抛光液3方面进行试验设计与研究,并对结果进行讨论,最终得到了一种稳定、重复性好的10.16cm砷化镓单面精抛工艺。     

晶片去蜡技术综述

随着晶片直径向大尺寸发展,有蜡抛光方式成为晶片抛光的一项主流技术,从而需要引入晶片去蜡技术。对晶片去蜡工艺中一些常用的技术,如有机溶液浸泡法、有机溶剂超声清洗法以及专用试剂超声清洗法进行了介绍,结合一些设备生产厂家的设备实例,对晶片去蜡技术的发展趋势作了简要论述。     

铜离子化学机械抛光法在CCD工艺中的应用

本文介绍了硅的铜离子化学机械抛光法,指出这是获得高镜面、快速抛光的方法之一.该方法与络离子抛光法相比,工效可以提高十倍左右.现已成功地应用于CCD工艺中.     

超精密气囊工具抛光方法的研究

针对气囊数控抛光获得高精密非球曲面零件的方法,分析了气囊抛光实验样机的结构、运动控制系统组成、柔性气囊的构成以及气囊进动运动方式和气囊抛光的加工原理.研究了气囊抛光工艺扩展可行性以及抛光过程中控制工件面形、表面质量和处理边缘效应的方法.研究表明气囊抛光工艺具有可扩展性.在试制的实验样机上进行了工艺参数综合实验,实验结果表明:利用气囊抛光方法可以加工出超精密光滑的表面,该方法是加工和制造超精密光学表面的有效方法.     

单晶α-Al2O3镜面加工工艺研究

通过对单晶α－Al2O3磨削，研磨，抛光工艺中的设备，工具，辅料，清洗，环境等方面的研究，优化了加工工艺，使晶片表面粗糙度降低到0.4nm以下，成品率由94％提高到99．5％，加工成本降低了30％。     

氮化镓晶片的化学机械抛光工艺

研究了抛光工艺参数对氮化镓(GaN)化学机械抛光(CMP)表面形貌和材料去除率的影响。通过精密分析天平和原子力显微镜对其材料去除率和表面形貌进行分析,采用单因素及正交实验法探究压力、抛光盘转速和氧化剂浓度对GaN材料去除率和表面形貌的影响。结果表明:在下压力为14.1×10~4 Pa、抛光盘转速为75 r/min、H_2O_2浓度为0.8%、SiO_2磨粒为30%、抛光液流量为20 mL/min、抛光时间为15 min的条件下,GaN晶片表面材料去除率最大达到103.98 nm/h,表面粗糙度最低为0.334 nm。可见,在优化后的工艺参数下采用化学机械抛光,可同时获得较高的材料去除率和高质量的GaN表面。     

基于环形磁场励磁的两面磁力抛光试验研究

磁力抛光多数以单面抛光为主,较少有双面同时有效抛光方式.本文提出了基于环形磁场励磁的磁力抛光新工艺,该方法可以同时有效抛光两个表面.通过设计能励磁环形磁场的电磁铁,并进行三维有限元仿真分析,搭建了环形磁场双面抛光装置.利用该平台进行不锈钢两面抛光工艺试验研究,探讨了电流强度、磁极与工件间间隙、主轴转速和抛光时间工艺等参数对表面粗糙度R_a的影响.得出表面粗糙度R_a随着抛光时间、工作间隙、工件转速的增大而减小.设计正交实验方案得出合理的两面磁力抛光工艺参数,并最终取得了具有良好表面粗糙度R_a的两面工件样品.试验证明,该方法可以同时对工件的两个表面进行抛光,两个表面的表面粗糙度R_a由最初0.2μm下降到R_a(S)=0.094μm和R_a(N)=0.068μm.     

氮化硅陶瓷滚子磁流变与超声波复合抛光技术

根据氮化硅陶瓷材料的特点,研究了磁流变与超声振动对陶瓷滚子的抛光工艺。研制了适用于该工艺的磁流变液;在不同的试验参数下进行了工艺试验;分析了材料的去除机理。试验结果表明:金刚石微粉的抛光效果最好;金刚石微粉磁流变超声复合抛光陶瓷滚子1h的表面粗糙度Ra约为0.025μm;超声振动对陶瓷滚子抛光的材料去除率和表面质量有提高作用;材料去除过程主要是机械剪切力作用。     

MEMS用低应力硅片的研制

通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。