同科电子L-S耦合的原子态确定方法

同科电子原子态的确定方法：①两个电子体系同科电子原子态的确定方法——偶数定则：②多电子体系同科电子场原子态的确定方法——场图；③超半满同科电子的确定方法——空穴。     

如何确定同科电子的原子谱项

确定同科电子的原子谱项，一些书中采用列表的方法，比较麻烦，也容易出错，如果采用偶数定则，则比较简便。     

原子态的确定

本文提出了三种较简单的确定等效电子原子态的方法。第一种方法可直接给出等效电子的原子态,但比较复杂;另外两种方法,虽然要利用非等效电子的原子态才能给出等效电子的原子态,但方法简单。我们以np~2组态为例说明这三种方法。     

压缩算子导致的原子对称Dicke态

在腔QED系统中,我们提出一种基于腔模压缩态实现多量子比特平衡Dicke态的方案.此方案最后利用对腔模的真空状态检测确切实现平衡对称Dicke态,由于最后腔模检测需为真空态,腔模-原子的相互作用过程可以通过虚激发过程实现.因此,该方案中纠缠态保真度对实验参数的涨落不敏感.原则上该方案可以扩展到任意偶数个原子相互作用的情况.     

同科电子各多重态的微观态个数计算公式

本文根据文献给出的一种推求同科电子组态的原子谱项的方法,利用"矢量和的定则"推导出了同科电子各多重态的微观态个数计算公式,并具体计算了nf2、nf5组态的各多重态的微观态个数,结果与根据文献给出的谱项计算各多重态的微观态个数完全一致.     

快速确定同科双电子自旋与轨道耦合原子态的一种简单方法

采用自旋与轨道相耦合的方法,在满足泡利不相容原理的条件下,给出了快速确定同科双电子原子自旋与轨道相耦合原子态的一种简单方法——对角折线法.这种方法是对确定同科双电子自旋轨道耦合原子态的又一创新方法.     

同科电子L-S耦合原子态的确定

讨论了满足泡利原理的同科电子L-S耦合原子态量子数的组合规律，并用量子数组合法简单的确定同科电子L-S耦合的原子态。     

确定同科电子原子态的一种方法

根据原子矢量模型提出确定同科电子原子态的一种方法．用该方法计算的原子和离子状态与其它方法的结果相同．     

确定同科电子L-S耦合原子态的几种方法

受泡利原理限制,确定同科电子组态构成的原子态较确定非同科电子组态构成的原子态要复杂得多.对比了四种确定同科电子L-S耦合原子态的方法.通过举例分析对两个同科d电子原子态的确定,总结了全部可能状态列举法、分析加列表法、Slater法、对称性分析法的最佳适用情况和繁简关系,便于在处理不同系统时具体情况选择合适的方法.     

Clebsch—Gordan系数与等效电子的原子态

本文采用粒子角动量藕合中的 Glebsch-Gordan 系数给出了等效电子构成的原子态的一般规则。在原子物理教学过程中,运用这个规则计算等效电子的原子态,极为简捷。     

Sanderson′s电负性均衡原理与库柏对电子

库柏电子对是超导电性机制理论中电声子理论的基础。在超导电性理论的研究中占有非常重要的地位。超导材料的种类非常广泛,有单质金属、合金材料、有机化合物、非金属单质、金属与非金属掺杂材料、金属氧化物。因此对不同材料中库柏对电子起源,状态特征的认识,对于全面认识超导电性的特征具有十分重要的意义。在本文中,以电声子机制超导电性理论为基础,用电负性均衡原理研究了元素之间键的形成对超导电性影响的特征,得出了在超导材料中由于元素之间键的形成,库柏对的电子特征具有特殊的性质,库柏对电子的来源取决于承担超导电性的元素之间键的性质特征。这对于全面理解电声子超导理论具有重要意义。对于进一步研究高Tc铜氧化物超导体的超导电性机理具有重要的指导性意义。     

在扫描电镜中以法拉第筒获得透射电子像的方法

考查一下IITRI(1975)会议文集上的照片我们不难看到,样品吸收电流的应用几率小于1％。然而,样品吸收电流模式在某些方面,如在电子探针显微分析和电子束感生电流信号检测中的应用,有其独特的优点。在本文中我们将讨论样品电流模式的另一种用途,即应用     

用EGSnrc程序包对单能电子实验过程影响因素的研究

本文运用蒙特卡罗程序EGSinpRZ和EGSnrcMP模拟了不同能量的单能电子入射过程中与AL吸收物质的作用,得到了该过程产生并且进入了灵敏区的轫致辐射光子和散射电子平均能量以及他们在相应情况下的百分比,结合两种测量方法(全峰面积法TPA和半峰面积法SPA)讨论了轫致辐射和散射对测量结果的影响;研究了实验所用放射源与其包装材料产生的轫致辐射光子对测量的影响;同时用EGSnrcMP程序模拟了吸收过程,画出了吸收曲线,并与实验吸收曲线相比较,讨论了环境本底对计数的影响.     

金属中自由电子气的压强

指出了相关文献的不足,并给出了更全面的金属中自由电子气的压强公式．     

NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用

该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法，选用双偶极层表面模型，计算了GaAs:Cs-O NEA光电阴极的电子表面逸出几率，比较了2种双偶极层模型的异同点，计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大，并粗略推测了该偶极层的厚度。     

快速电子验证相对论实验中探测器定位方法的探讨

在移动探测器的过程中,如何准确定位及相应的Δx的读取,对快速电子验证相对论实验数据的精确获取起着至关重要的作用.文章从理论分析和实践要求两方面对探测器的科学定位作了分析和探讨.     

高能电子诱变选育雷帕霉素产生菌

利用高能电子束对雷帕霉素产生菌进行诱变处理。照射时间分别选用10s、20s、30s,在诱变株中筛选高产突变株。最终获得一株高产菌株NP09-62#,其效价比出发菌株提高了33.3%,且遗传性能稳定。     

关于原子光谱项的推导

本文介绍了几种推导原子光谱项的方法,并对其中某些方法作了改进,使得推导工作得以简化.