IR2110的功能及其在高频感应加热电源中的应用

对功率MOSFET的几种基本驱动电路与由IR2 110构成的驱动电路进行了分析比较 ,详尽地分析和研究了IR2 110的工作原理、功能及在高频感应加热电源中的应用技术。还通过实验结果说明了IR2 110在高频感应加热电源中用作电力半导体开关器件功率MOSFET的驱动器 ,既可以满足其驱动要求 ,又极大简化硬件 ,提高工作可靠性并弥补其它驱动电路的不足 ,具有良好的应用前景。     

MOSFET高频感应加热电源的研究

以功率MOSFET为开关元件,采用多管并联的方式研制出10kW高频感应加热电源,对该电源的逆变电路、控制电路、多管并联驱动等问题做了研究和实验.实验结果表明采用MOSFET多管并联时,正的温度系数能够自动均流.串联谐振电路简单、启动容易、谐振频率高,适应于小功率感应加热电源系统.     

MOSFET高频感应加热电源的研究

以功率MOSFET为开关元件,采用多管并联的方式研制出10kW高频感应加热电源,对该电源的逆变电路、控制电路、多管并联驱动等问题做了研究和实验,实验结果表明：采用MOSFET多谱井联时,正的温度系数能够自动均流,串联谐振电流简单、启动容易、谐振频率高,适应于小功率感应加热电源系统。     

全固态高频感应电源的研究

对高频感应加热电源的逆变器的拓扑结构及其驱动控制电路、功率调整电路及其控制电路、保护电路等进行了分析设计,采用锁相环技术自动进行频率跟踪,使整机能高效率的工作;制作了2KVA/100KHz用于蒸镀法的电源,文中给出了部分具体电路和输出波形.     

VD-MOS高频感应加热装置的研究

以功率MOSFET为开关元件,采用多管并联方式研制出高频感应加热电源。该电源逆变控制采用了锁相技术,利用锁相技术使功率MOSFET实现零电流开关,并使逆变器的工作频率跟踪系统因有谐振频率。使得该电源始终能运行在负载功率因数为1的状态。     

VD-MOS高频感应加热装置的研究

以功率MOSFET为开关元件 ,采用多管并联方式研制出高频感应加热电源。该电源逆变控制采用了锁相技术 ,利用锁相技术使功率MOSFET实现零电流开关 ,并使逆变器的工作频率跟踪系统因有谐振频率。使得该电源始终能运行在负载功率因数为1的状态 。     

基于SG3525的高频感应加热电源的研究与设计

设计了基于脉宽调制控制芯片SG3525的串联型高频感应加热电源,详细研究并设计了功率控制、频率调节等控制电路。运行结果表明设计的高频感应加热电源具有频率自动跟踪、稳定性高、开关损耗小、高效等优点,可广泛应用于中小功率场合。     

1MHz/4kW超高频感应加热电源的研究与实现

采用V-MOS场效应管桥式串联谐振、高频变压器隔离方式,设计了一种频率为1MHz、功率为4kW的超高频感应加热电源.该装置采用扫频拦截方式启动,采用锁相环频率跟踪和相位锁定方式进行恒功率反馈控制.为提高逆变频率,采用了桥臂推挽变压器驱动,为保证逆变电路中桥臂上下两器件不同时导通,用门电路构成死区形成电路.经检测该电源各项性能指标良好.     

高频MOSFET并联运行及驱动特性研究

提出一种高频MOSFET驱动电路，分析研究了高频MOSFET双管并联动态开头模式下出现的不均流问题。小功率电路实验结果表明，采取两个并联MOSFET对称分布，且通过调节栅极输入电阻使两个MOSFET特性参数匹配等措施，可获得较好的均流效果，在1MHz工作频率下可实现两管同时开关。     

基于脉宽调制的软开关等离子扬声器

为实现等离子扬声器低功耗与产品化, 在理论分析基础上, 结合零电压开关(ZVS: Zero Voltage Switch) 和脉宽调制(PWM: Pulse-Width Modulation)两种方案的优点, 提出了一种基于 PWM 脉宽调制的软开关控制方 式。 驱动电路采用 IR2110 芯片增强电路的驱动能力, 开关部分则采用软开关的方式提高了电路的整体效率。 通过对比分析电源输入功率、 开关管发热情况和电弧长度后发现, 该方案在电弧长度为 1. 5 cm 的情况下电源 输出功率为12 W, 两开关管的表面温度分别为50℃和58℃。 实验结果表明, 该方案降低了功耗, 提高了整体 电路的稳定性和安全性, 同时降低了控制开关管的 PWM 波的失真度, 因而具有更优秀的实际应用与产品化 能力。