提高串型接口的NOR Flash Memory读取数据频率的设计方法

本文介绍了一种新的Flash Memory快闪存储器的设计方法,运用该方法可以有效地提高串型接口NOR Flash Memory读取数据的频率。这种设计方法采用对Memory存储器中的寄生电容用输入地址进行控制,使其在不同的时间段进行充电,达到Flash Memory读取数据所需的电压可以在很短的时间内达到读取数据所要求满足的电压的目的,从而提高了存储器数据读取的速度。同时此设计方法取消了数据读取过程中不必要的对寄生电容的充电和放电过程,降低了对电源的功耗,有效提升产品的竞争力。     

一种闪存适用新型高速高驱动电压泵设计

提出了一种适用于低电压供电Flash Memory的新型高速高驱动电压泵的设计方法．在分析电压泵工作原理和结构演变并指出当前实现方法在驱动和响应上的制约因素的基础上,结合目前先进Flash Memory工作电压和工作要求,提出了结合三阱工艺和CTS方法以消除体效应和阈值电压降从而提高性能的四相位电荷泵设计方法,专门对时钟驱动进行的优化,提高了响应速度．最后在0．18μm,3V工艺上仿真并和几种现存实现方法对比得以验证．     

一种对JFFS2日志文件系统的改进方案

文章详细分析了JFFS2日志文件系统加载速度慢的缺点,提出了一种能够提高系统加载速度的实现方案,从而大大加速了文件系统的初始化速度。同时针对闪存擦写块的特点,进行了磨损平衡的设计。     

SILC效应机理及其对Flash Memory的影响

随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。     

8098Flash导弹自动数据采集系统

介绍了由8098单片机和Flash Memory28F020组成的导弹自动数据采集系统设计。包括系统的硬件接口和系统软件。以及用一片GAL16V8实现大容量存储器存储空间的寻址方法。该系统适用于弹箭测试、无人驾驶飞机等场合的数据采集。     

通过串口通讯实现TMS320F2812的软件更新

馈线自动化终端单元是配网自动化的重要设备,基于32位DSP(TMS320F2812)开发的馈线自动化终端单元,由于其大多安装在野外,程序维护困难.已安装的设备若出现程序缺陷,或者用户提出新的需求,需要对内部程序进行更新.该文利用TMS320F2812的内部丰富资源和支持在线编程的特点,实现了片内Flash擦写过程和上位机通讯程序.文章详细分析了升级操作步骤.远程更新功能已经通过实践运用,程序功能稳定可靠.     

FPGA中的非挥发布线开关元素——Flash开关技术的研究

采用ISE器件模拟软件对Flash(快闪)开关进行建模和仿真.通过仿真结果,论证了Flash开关在速度和速度面积乘积上具有优势,可以代替NMOS导通晶体管作为FPGA(现场可编程门阵列)中的布线开关.同时还给出了提高Flash开关性能的方法及在3.3V单电源供电条件下的应用方案.     

一种支持FAT文件系统的Flash转换层设计

针对Nand Flash先擦除后写入，block为最小擦除单位，page为最小读写单位，文档分配表文件（file allocation table，FAT）系统不能直接应用于Nand Flash的特点，提出一种基于缓存机制的应用于FAT文件系统的Flash转换层，设计一种逻辑块和物理块的映射机制处理Nand Flash的坏块；应用一种缓冲机制来提高系统读写速度，减少Flash存储块的擦除次数；应用循环冗余码校验算法(cyclical redundancy check，CRC)来改善Flash的负载平衡。本系统的闪存转换层（flash translation layer，FTL）有效地处理了Nand Flash的硬件限制，延长Flash的寿命。     

适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器

提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器,能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块,使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型,进一步使用反相器构成参考电压发生电路,取消电流源模块,从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善,65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明,相比传统结构,新结构预充速度提高15%,功耗降低14%。     

基于Flash lite的手机打砖块益智游戏的设计

随着Flash技术在移动设备中的实现,在手机上开发游戏软件的速度大大地提高了,开发难度也有所降低．阐述了Flash lite的主要技术,并提出设计方案,设计了一款打砖块手机游戏,在构建了完善的游戏思维的基础上,分析了需要解决的关键问题及需要使用的关键技术,划分功能模块,实现整套游戏的开发,并采用手机模拟器进行模拟测试．验证游戏功能．     

损耗均衡算法在Flash管理中的应用研究

简要介绍了Flash存储器的物理结构特点。主要论述了实现损耗均衡在Fat闪存文件系统的必要性,以及根据闪存的物理结构特点,在进行垃圾回收时设计损耗均衡的算法,根据区块数据的更新频率不同分别设计了动态损耗均衡算法和静态损耗均衡算法。     

基于海量内存的异步红外数字视频存储

目前靶场光学测量中使用大面阵高帧频数字相机,原有的同步存储系统无法满足要求,设计了基于海量内存的超高速异步数字视频存储系统。使用PC平台的硬件,先将数字视频存储至内存中,待数据传输结束后再将内存中的数据写入存储介质,避开了同步存储的实时写入存储介质的速率瓶颈,避免了因为写入速率不稳导致的丢帧错帧的问题。在实际使用中可实现速率为800MB/s的超高速存储。     

基于W19B160B的存储技术在提花机龙头控制器中的应用

为了满足提花机控制器对存储系统的存储量大、所存数据的大小变化灵活、读写速度快,读写方便的要求,提出了一种基于存储芯片W19B160B的大容量Flash存储技术.其简便快捷的读写操作以及分段检索的存储方法,提高了系统读写花型文件的速度,存储空间利用率高.经厂家应用于生产后,证明采用此存储技术的控制器读写速度快,并且稳定可靠,有一定的市场应用前景.     

基于ARM的移动存储设备实验设计

ARM作为嵌入式系统的处理器,具有低电压、低功耗和高集成度等特点,并具有开放性和可扩充性。ARM内核已成为嵌入式系统首选的处理器内核。USB移动存储技术把USB连接技术与Flash存储器技术结合在一起,构成一种快速、大容量、方便的新型数据交换系统。文中的实验设计针对含有ARM芯片的开发板进行开发,使设备通过USB接口和主机连接后,可以实现USB移动存储设备（如USB闪存盘）的读写功能。通过完成该实验,可以帮助实验者加深对基于ARM的开发及Nand Flash读写、USB协议的理解,提高实验者动手能力。     

嵌入式系统中Flash存储管理策略

Flash存储器因其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。然而,由于Flash读写存储的编程特点,有必要对其进行存储过程管理．以使其数据存储性能得以改善。本文以TRI公司的基于NOR Flash的Flash管理软件FMM为例,详细介绍嵌入式系统中如何根据Flash的物理特性来进行Flash存储管理,并在此基础上对其数据存储方法进行了改进。     

NAND型闪存不溢出存储设计

针对在无人值守的工作环境下,数据存储系统由于数据量太大而发生溢出的现象,以K9K8G08U0A闪存为例,设计读、写、擦除基本的操作,引入非离散数据与离散数据的概念来标识需要存储的数据,利用数据回卷机制来存储数据,把存储空间分成坏块记录区、非离散数据存储区和离散数据存储区3部分,同时设计数据写入方式,确保每次写入的数据在离散履历区和非离散履历区均存在。设计结果表明：在达到离散存储区最大值时,将存储引向离散存储区的开始位置,使离散存储区变成首尾相连的闭合环,从而实现数据存储不溢出;针对数据回卷造成存储时间较早的数据部分或全部被覆盖,造成数据的不完整,采用数据反向分析的方法,通过比较相邻数据存储空间是否有交集来分解出正确的数据;使用数据回卷的存储机制,使存储空间变成一个＂永远存不满的空间＂,确实保证了数据存储不溢出,保存了最新最近的数据。     

USB2.0闪盘固件技术的研究

可移动存储设备技术的迅速更新使得闪盘得到广泛的应用,尤其是基于USB2.0的接口技术促使闪盘的传输速度突飞猛进,闪盘固件的开发已成为闪盘研究的核心任务。该文从闪盘实现的硬件结构入手,重点介绍了基于USB2.0闪盘固件的软件架构与设计方法,并在设计实例的基础上提出了固件的层次化结构,最后在与基于USB1.1的闪盘固件的比较中体现本设计的显著优势。     

一种新的检测磁盘、磁头综合性能的自动测试系统

本文介绍了一种新的检测磁盘及磁头综合性能参数的自动测试系统。本系统用硬件和软件相结合的方法,解决了高速A/D转换关键问题中所采取的二次存贮技术及自动测试和数据处理的GP-IB接口技术问题。本系统能按国家标准及国际标准对磁头、磁盘的性能进行自动检测和分析。     

过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度也不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战。阻变式存储器（RRAM）作为新一代的存储器件,因其器件具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势引起了人们广泛的研究。本文就目前基于过度氧化物薄膜的RRAM研究概况,从RRAM的基本工作原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的各种困难等方面对RRAM进行了简要评述。