SiGe合金氧化层中的纳米结构

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.     

SiGe合金氧化层中的纳米结构(英文)

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好。     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构。并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟。计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程。优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构，我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好。     

MECHANISM OF NANOSTRUCTURE IN OXIDATION OF Si1-xGex AL-LOYS

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.     

硅锗合金氧化纳米结构的光致发光谱

首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验拟合较好.     

硅锗合金氧化层中纳米结构的量子受限分析

在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构，并分析了其时应的PL谱结构。提出相对应的量子受限模型计算公式和算法，理论分析结果与实验结果拟合较好。     

硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型

采用高温氧化（800℃）和激光辐照低温氧化（300℃）的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光（PL）在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现：低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。     

脉冲激光作用硅锗合金形成多种捕获界面态

用脉冲激光辐照和退火氧化处理在硅锗合金衬底上形成了具有不同界面态分布的氧化低维结构.在这些结构中都有在几个纳米的氧化层中约束了大量的硅和锗的纳米团簇结构,分析这些低维结构所产生的光致荧光(PL)光谱发现,由于氧化条件的不同所生成的这些结构对应的PL光谱无论是强度,还是频率都发生了显著的变化.用量子受限-硅锗与氧化物界面态综合模型解释了样品PL发光的变化.     

锗的双层纳米结构及其特性的检测分析方法

在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用高精度椭偏仪(HPE)同步测量样品的纳米结构。采用XES分层对锗原子成份检测的结果与HPE的结果基本一致。用RAMAN光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰。用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构。     

氧化生成的锗纳米结构的量子受限分析

研究了硅锗合金的氧化行为，首次发现快氧化生成的锗纳米膜复盖在氧化层上。在PL谱中，我们发现与锗纳米结构相关的一些新的谱峰。量子受限模型和新的算法被给出，较好地解释了PL谱的分布和形成机理。     

甲壳质,壳聚糖成形加工及其应用

本文对甲壳质、壳聚糖成形、加工及其应用进行了综述。甲壳质纤维可由凝固再生法、甲酸溶液法制备,而壳聚糖纤维可在铜—氨凝固浴、氢氧化钠—乙醇凝固浴以及酸性凝固浴中制备。由壳聚糖制得的薄膜可作为透析膜、RO膜、UF膜、PV膜、催化机能膜使用。而壳聚糖空芯颗粒可作为固定化载体、色谱用载体以及作为医学材料使用。     

JR90无线数据采集系统

JR90数据采集系统采用星型网络拓扑结构,并用STD模板,组态灵活。通讯采用异频单工无线方式,复盖方圆50公里,采集的物理量可高达800个.系统采用并行传输、语音和警声报警等先进技术,软件丰富,功能齐全.系统的应用使调度手段科学化,数据信息及时、准确。文中还对通信处理机程序作了重点介绍.     

面形分割构成论析

本文着重论析了面形分割构成独特的审美性。指出这种构成形式得以成立的关键,是以线分割母面形后,所得五面形必须成为互相依存、牢不可分的,具有符合审美法则的视觉力学关系的整体。提出在作面形分割构成的基本训练中,兼做多种造型表现上的研究与体验的方法。     

蛋白质分离与制备的新方法：电泳及等电聚焦

本文介绍了近二十年来分离蛋白质的新方法及制备型设备的进展.共分三大类:即电泳、场流分级和等电聚焦。介绍了其中的技术关键,如建立pH梯度的方法、流动方向与电场垂直的新概念以及近10年来发展的多种类型的制备装置。其中一些较好的装置的处理能力已超过制备型的凝胶色谱和亲和色谱装置,达到了每天分离几克到几百克蛋白质的水平。     

氨酯键和脲键对嵌段聚氨酯和嵌段聚脲性质影响的研究

用溶液聚合法合成了四种聚氨酯、聚脲模型化合物.并用凝胶渗透色谱,应力—应变,广角X射线衍射等手段检验了在相界面或在硬段微区,不同键对聚合物分子量、力学性质和聚合物形态的影响.     

张力样条的H—B插值和Hermite插值的逐项渐近式及超收敛性

本文分析了张力样条的H—B插值及Hermite插值,给出了插值样条及其导函数的逐项渐近式,并由此得到插值样条及导函数的超收敛性。     

普通高校体育教学与终身体育的刍议

高校体育是学校体育的最后环节,是联系体育社会化与终身体育的纽带.在以教师为主导和学生为主体的体育教学中,改变旧的教学模式,开设选修课,培养学生的体育兴趣、体育意识,建立终身体育的思想,对实施终身体育具有重要作用.     

云南贡山县独龙族怒族双语教育现状与对策思考

本着眼于少数民族语言和化的传承与发展,以云南省贡山县独龙族、怒族为例探讨其汉语教育。论述了汉语教育的意义,在实地考察贡山汉语教育现状基础上,提出汉语教育师资培养,“日旺和汉语拼音对照方案”的跟踪调查和实验研究等策略思考。     

Java语言的特点及应用

论述了Ｊａｖａ语言的特点，并通过一个实例介绍如何在支持ｊａｖａ的浏览器中运行Ｊａｖａ语言的小应用程序方法。     

夸克—结模型与内含强子,反强子谱

本文应用从亚夸克理论获得的夸克——结模型,分析了强子碎片的强子、反强子谱的行为.碎片演化能由夸克或双夸克的级联衰变机制来实现。据此计算了质子碎片的某些内含强子、反强子谱的比,其结果令人满意并与实验相符。