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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 281 毫秒

1.  聚合物太阳能电池研究进展  被引次数:3
   黎立桂  鲁广昊  杨小牛  周恩乐《科学通报》,2006年第51卷第21期
   指出了聚合物太阳能电池的光电响应方式与传统无机太阳能电池的差别, 描述了聚合物太阳能电池的工作原理、器件结构和光电效应的产生过程, 强调了当前广泛使用的体相异质结器件结构的突出优点, 分析了目前制约电池效率和稳定性提高的主要因素, 特别就光敏层薄膜形貌对器件性能的影响进行了深入的探讨. 并提出了提高聚合物太阳能电池效率的途径以及延长电池寿命的方法, 为今后聚合物太阳能电池的发展指明了研究方向.    

2.  光交联型窄带隙共聚物的合成及其对本体异质结聚合物太阳电池稳定性的影响  
   王福芝  侯旭亮  谭占鳌《中国科技论文在线》,2014年第2期
   本体异质结聚合物太阳电池的活性层通常是由聚合物给体和富勒烯受体通过机械混合而成,活性层的聚合物和富勒烯分子从热力学角度倾向于各自聚集,由此形成的纳米微相分离结构是热不稳定的,造成电池稳定性较差。为了提高活性层薄膜形貌稳定性,本文设计并合成出新型的溴基团取代的光交联型窄带隙聚合物PBDTTT-Br25和PBDTTT-Br50。经光引发交联后的聚合物薄膜表现出良好的抗溶剂性和形貌稳定性,且不影响聚合物分子排列及载流子传输性能。通过研究热退火对共混膜形貌的影响,发现使用光交联材料可以有效抑制富勒烯分子聚集,并提高聚合物太阳电池的热稳定性。基于PBDTTT-Br25和PBDTTT-Br50的器件光电转换效率分别为5.17%和4.48%,相比于基于聚合物PBDTTT的器件效率(4.26%),性能得到明显的提高。    

3.  光交联型窄带隙共聚物的合成及其对本体异质结聚合物太阳电池稳定性的影响  
   王福芝  侯旭亮  谭占鳌《中国科技论文在线》,2014年第2期
   本体异质结聚合物太阳电池的活性层通常是由聚合物给体和富勒烯受体通过机械混合而成,活性层的聚合物和富勒烯分子从热力学角度倾向于各自聚集,由此形成的纳米微相分离结构是热不稳定的,造成电池稳定性较差。为了提高活性层薄膜形貌稳定性,本文设计并合成出新型的溴基团取代的光交联型窄带隙聚合物PBDTTT-Br25和PBDTTT-Br50。经光引发交联后的聚合物薄膜表现出良好的抗溶剂性和形貌稳定性,且不影响聚合物分子排列及载流子传输性能。通过研究热退火对共混膜形貌的影响,发现使用光交联材料可以有效抑制富勒烯分子聚集,并提高聚合物太阳电池的热稳定性。基于PBDTTT-Br25和PBDTTT-Br50的器件光电转换效率分别为5.17%和4.48%,相比于基于聚合物PBDTTT的器件效率(4.26%),性能得到明显的提高。    

4.  N~ P常规硅太阳电池退火效应的研究  
   陈昆  刘士毅《厦门大学学报(自然科学版)》,1987年第2期
   研究了扩散成结后的退火处理对N~ 常规硅太阳电池性能的影响,结果表明退火处理能够提高太阳电池的转换效率,550℃左右退火后效率达到峰值;初步认为550℃左右的退火处理可使太阳电池基区和耗尽区内某种“基本”的深能级复合中心密度大幅度减小并使某些“非基本”的深能级复合中心消失,从而可恢复太阳电池基区少子扩散长度,减小耗尽区复合电流密度,提高太阳电池的转换效率。    

5.  咔唑基三苯乙烯衍生物的电化学聚合及其性能  
   刘聪  杨嘉健  罗海媛  张崧  石光  池振国《华南师范大学学报(自然科学版)》,2014年第6期
   对具有明显聚集诱导发光性能(AIE)的化合物4,4’-双(2,2’-双(4-(6-(9H-咔唑基)己氧基)苯基)乙烯基)联苯(p2bc6)以电化学聚合法制备了聚合物发光薄膜.该聚合薄膜的结构、光学性能和表面形貌通过红外光谱、紫外光谱(UV)、荧光光谱和原子力显微镜表征.结果表明:聚合前体通过分子中咔唑基团聚合形成聚合物薄膜;薄膜具有良好的发光性质;制得的电化学聚合薄膜表面平整,表面粗糙度可达到3 nm以下,有望作为发光材料应用于PLED器件中.    

6.  氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响  被引次数:1
   刘陈  朱光喜  刘德明《华中科技大学学报(自然科学版)》,2007年第35卷第7期
   利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.    

7.  退火工艺对BST薄膜电学性能的影响  被引次数:1
   章天金《湖北大学学报(自然科学版)》,2001年第23卷第4期
   应用RF平面磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si(100)衬底上沉积BST薄膜,研究了退火气氛与退火工艺对BST薄膜电学性能的影响。实验发现,退火有利于提高薄膜的结晶度,且薄膜的折射率、介电常数和漏电流特性等性能与薄膜的退火工艺密切相关,和N2气氛中退火的BST薄膜相比,O2气氛退火的BST薄膜具有较大的介电常数和较小的漏电流,可满足DRAMs器件应用的要求。    

8.  Ta2O5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响  被引次数:1
   彭俊彪  兰林锋  杨开霞  牛巧丽  曹镛《华南理工大学学报(自然科学版)》,2006年第34卷第10期
   以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.    

9.  叠层太阳电池的研究进展  
   彭英才  周子淳  刘宝元  沈波  范志东《河北大学学报(自然科学版)》,2014年第34卷第5期
   由不同禁带宽度的子电池组合成的叠层太阳电池,可以有效增加太阳电池对入射光子的能量吸收,以达到提高其转换效率的目的.本文评述了各类叠层光伏器件,如化合物叠层太阳电池、硅基叠层太阳电池、聚合物叠层太阳电池和染料敏化叠层太阳电池的光伏性能与研究进展,并提出了提高叠层太阳电池转换效率提高的某些技术对策.    

10.  外延晶体硅薄膜太阳电池的器件模拟及性能优化的研究  
   艾斌  张勇慧  邓幼俊  沈辉《中国科学:技术科学》,2012年第11期
   由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,我们采用了更符合实际情况的器件结构和参数设置.在此基础上,全面系统地研究了背表面场(back surface field,BSF)层、基区和发射区参数、晶体硅活性层电学质量、电池表面钝化情况、电池内部复合情况和pn结漏电情况等对外延晶体硅薄膜太阳电池光电性能的影响.在影响外延晶体硅薄膜太阳电池效率的众多因素中,辨认出对电池效率影响幅度最大的3个参数依次是基区少子扩散长度、二极管暗饱和电流和正表面复合速度.通过模拟还发现,基区不是越厚越好,基区厚度的选择必须要考虑基区少子扩散长度的值.当基区少子扩散长度较小时,基区的最佳厚度应小于或等于基区少子扩散长度;当基区少子扩散长度较大时,基区少子扩散长度应至少是最佳基区厚度的2倍.此外,本文不但对模拟结果的现象进行了描述,还深化解释了其变化的物理机制.由于外延晶体硅薄膜太阳电池在器件结构上与晶体硅太阳电池具有很大的相似性,所以本文的结论在某种程度上对晶体硅太阳电池特别是当下研究最热门的薄硅片太阳电池也是适用的.    

11.  提高聚合物光伏电池性能有新法  
   《科技导报(北京)》,2008年第26卷第4期
   中国科学院长春应用化学研究所杨小牛课题组获得提高聚合物光伏电池性能新方法。导电聚合物/富勒烯的体相复合薄膜是一种具有优秀光伏特性的功能薄膜,有望在下一代太阳能电池领域得到应用。杨小牛等成功地找到了溶解C60的方法.并成功制备到均匀的复合薄膜作为P3HT/C60体系的光敏层,然后通过优化热退火处理工艺使复合薄膜的形态获得优化,器件转换效率从0.32%提高到1.73%。    

12.  热处理对Y2O3:Eu荧光薄膜结晶性能的影响  
   张晓松  李岚  邹开顺  陶怡《天津理工大学学报》,2004年第20卷第1期
   运用热处理方法对电子束蒸发制备的Y2O3:Eu荧光薄膜进行不同条件下的退火处理.用X射线衍射等手段表征Y2O3:Eu荧光薄膜的成分、结构、表面形貌.实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶状况得到改善,提高了薄膜的结晶性能.    

13.  热处理对Y2 O3:Eu荧光薄膜结晶性能的影响  
   张晓松  李岚  邹开顺  陶怡《天津理工学院学报》,2004年第20卷第1期
   运用热处理方法对电子束蒸发制备的Y2 O3:Eu荧光薄膜进行不同条件下的退火处理.用X射线衍射等手段表征Y2 O3:Eu荧光薄膜的成分、结构、表面形貌.实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶状况得到改善,提高了薄膜的结晶性能.    

14.  YIG磁性薄膜低温集成工艺  
   刘锋  杨晨  任天令  于军《华中科技大学学报(自然科学版)》,2006年第34卷第4期
   为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响.    

15.  ITO退火膜的光学和电学特性  被引次数:2
   王刚 赵超《吉林大学自然科学学报》,1999年第289卷第4期
   对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析。结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性。    

16.  ITO退火膜的光学和电学特性  
   王刚  刘宏宇  赵超  杨柏梁  黄锡珉《吉林大学学报(理学版)》,1999年第4期
   对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析.结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性.    

17.  退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响  
   刘玉荣  任力飞  杨任花  韩静  姚若河  温智超  徐海红  许佳雄《华南理工大学学报(自然科学版)》,2011年第39卷第9期
   针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.    

18.  射频磁控溅射透明ZnO薄膜的退火性质分析  
   汪冬梅  吕珺  徐光青  吴玉程  郑治祥《合肥工业大学学报(自然科学版)》,2006年第29卷第10期
   采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜。对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行不同温度(350~600℃)的退火处理。利用XRD研究退火对ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;用分光光谱仪测试薄膜的透光率。研究表明,随退火温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度不断增强,半高宽逐渐减小;ZnO薄膜中沿c轴方向存在着的张应力在500℃退火时得到松弛;退火处理后薄膜的平均透光率变化不大,但透射光谱出现了“红移”现象。    

19.  不同溶剂溶解聚合物光伏特性的研究  
   陈跃宁  汪鹏  徐证  张馨芳《辽宁大学学报(自然科学版)》,2009年第36卷第3期
   采用聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂作为光敏层制备光伏器件,器件结构为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT/Al.我们分析了聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂制成的光敏层薄膜,并对光敏层薄膜的形貌通过原子力显微镜(AFM)进行了表征.研究发现,P3HT溶于氯苯的薄膜形貌最优,光伏特性最好,短路电流、开路电压都比溶于氯仿和二甲苯的高.    

20.  热处理和KOH腐蚀对CdS/CdTe太阳电池性能的影响  
   孟庆巨《吉林大学学报(理学版)》,1989年第2期
   本文研究了热处理和KOH腐蚀对CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池性能的影响。结果表明,CdTe薄膜在沉积过程中或沉积后进行热处理,都可有效地改善器件的工作性能;Au/CdTe接触前对CdTe膜进行KOH腐蚀,能改善欧姆接触特性;蒸Au后的热处理及迅速冷却也能使欧姆接触特性得到进一步的改善。    

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