TiAlN保护膜的制备及结构研究

用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜，结构分析表明，当Ｔｉ的含量小于０．２５时，ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构，但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大，Ｘ射线光电子能谱分析表明，ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征。     

TiAlN 保护膜的制备及结构研究

用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜,结构分析表明,当Ｔｉ的含量小于０．２５时,ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大．Ｘ射线光电子能谱分析表明,ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征．     

TiN薄膜的溅射制备工艺及光学性能

在ＳＰＦ－４３０Ｈ射频磁控射系统上用反应溅射方法制备ＴｉＮ薄膜，研究了制备工艺，讨论了薄膜的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、高透射率）的ＴｉＮ薄膜。     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积了ＡｌＮ薄膜．讨论了脉冲能量密度、氮气放电、基底温度等因素对膜的性能的影响．实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊｃｍ－２,ＰＮ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上．Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ．     

Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．     

氮化物结合耐火材料与氧化物耐火材料的抗侵蚀性能研究

比较了Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ，Ｓｉａｌｏｎ结合刚玉，ＡｌＮ结合刚玉，ＡｌＯＮ结合刚玉材料与刚玉砖和粘土砖的抗高炉渣侵蚀及抗钢水侵蚀性。结果表明：与刚玉质、粘土质耐火材料相比，氧化物／非氧化物复相材料显示优良的抗渣渗透性和抗渣浸蚀性，与Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ材料相比，ＡｌＮ结合刚玉材料和ＡｌＯＮ结合刚玉材料显示优良的抗钢水侵蚀性。     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积ＡｌＮ薄膜,讨论了脉冲能度,氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响,实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊ．ｃｍ＾－２,Ｐｎ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔａｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上,Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ     

nmAl粒子多层复合膜的电磁波散射特性

用射频溅射工艺制备了ｎｍＡｌ粒子的多层复合膜，通过控制Ａｌ粒子和ＡｌＮ膜的生长时间，成功地控制了Ａｌ粒子的粒径和在复合膜中的纵向分布。用ＴＥＭ，暗场法并结合ＴＶ图像分析测得了Ａｌ粒子的粒径，并导出了粒径和生长时间的经验公式。     

TiN薄膜的溅射制备工艺及光学性能

在SPF－430H射频磁控溅射系统上用反应溅射方法制备TiN薄膜．研究了制备工艺，讨论了薄膜的光学性能与溅射工艺参数的关系．实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、高透射率）的TiN薄膜．     

Mg在反应自生成AlN材料中的脱氧行为

为研究Ｍｇ在Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化制备ＡｌＮ材料中的作用,在１０００℃氮气氛下实施了Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化实验·从热力学角度分析了Ａｌ Ｓｉ Ｍｇ合金直接氮化过程中Ｍｇ元素的脱氧和氮化行为,包括氮化反应的氧分压阈值分析,氮化反应初期Ｍｇ元素的氧化和氮化行为,氮化反应中后期Ｍｇ３Ｎ２的持续氧化行为·结合实验结果证实了热力学分析的正确性,确定了Ｍｇ在反应自生成ＡｌＮ材料中的脱氧作用