ZnSe/5B2O3-95SiO2纳米复合材料的制备及性能表征

采用溶胶凝胶工艺在室温合成合有Zn、Se成分和玻璃相成分的均匀透明凝胶，并通过CO还原气氛热处理，在凝胶玻璃中原位生长出ZnSe纳米晶体．利用BET比表面积、透射电镜、吸收光谱、荧光光谱等分析手段对ZnSe纳米复合材料的组成结构及量子尺寸效应影响下的光学性能进行了表征，结果表明：5B2O3—95SiO2凝胶玻璃的多孔结构可有效地分散ZnSe纳米晶粒；纳米复合材料中ZnSe纳米晶粒呈球形，粒径约为3．5nm；吸收光谱中，ZnSe纳米复合材料的吸收边相对于ZnSe体材料发生蓝移，随着ZnSe在凝胶玻璃中摩尔分数的增大，蓝移量减小，相应ZnSe纳米晶粒尺寸增大；在荧光光谱中，500nm附近的发光带是凝胶玻璃中的ZnSe纳米晶体表面态复合和缺陷发光，当ZnSe的摩尔分数达到0．07时，观测到了浓度的荧光淬灭现象．     

纳米硅氧化硅复合薄膜的光吸收蓝移数值计算

采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜.用高分辨电子透射显微镜测定了所制备样品中纳米硅粒的粒径,确定了其光学带隙和光吸收边蓝移量.对样品光吸收边蓝移量进行了理论计算,比较了理论蓝移量与实验蓝移量之间的差异,并进行了相应的理论分析.     

银纳米粒子/玻璃复合材料的离子交换和溶剂热法制备及其光学性质的研究

利用离子交换技术结合溶剂热还原法在玻璃中及其表面生长Ag纳米颗粒制备了银纳米粒子-玻璃复合材料.通过扫描电镜、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对样品的形貌和光学性质进行了表征,并研究了离子交换及还原条件对复合材料性能的影响.结果表明:随交换温度、还原时间或还原温度的增大,银纳米粒子-玻璃复合材料的吸收峰均蓝移;而随交换时间的延长,吸收峰先是红移再发生少量蓝移.在波长为400 nm的激发光下,银纳米粒子-玻璃复合材料在530 nm附近具有一个较宽的发射带,且其发光强度随交换时间、还原时间或还原温度的增大逐渐降低.     

热处理对CoFe2O4/SiO2纳米复合材料结构的影响

本文采用溶胶-凝胶法制备了CoFe2O4/SiO2纳米复合材料,利用X射线衍射仪(XRD)、红外吸收光谱(IR)和扫描电子显微镜(SEM)研究了纳米复合材料的结构、晶粒尺寸和形貌。结果表明,随着热处理温度的提高,钴铁氧体晶化程度提高,CoFe2O4/SiO2纳米复合材料的晶粒尺寸从6nm增大到52nm。当热处理时间为2小时,晶体结构已经较完整,继续延长热处理时间对晶体结构基本无影响。     

掺Ho纳米TiO2粉晶的结构及光学特性

采用溶胶一凝胶法制备了掺lat%Ho的纳米TiCl2粉末,并分别在400℃、600℃与800℃下对样品进行热处理,通过XRD和紫外可见吸收测试,对掺杂纳米TiO2粉末的晶体结构与光学性质进行了研究.分析发现掺杂提高了样品的相变温度,减小了样品的晶粒尺寸,使样品的吸收明显增强,光学带隙增加.而且随着热处理温度的升高,样品的晶粒尺寸增大,晶格常数a值减小,c值增大,吸收减小而光学带隙增大.     

纳米SrTiO3的光声光谱

采用不同的灵敏度分段对纳米SrTiO3的光声光谱进行了测定,结果表明纳米SrTiO3的光学吸收边比单晶和薄膜有大于0.1eV的蓝移.10nm的样品蓝移量超过0.2eV.运用缺陷能级之间的电子跃迁解释了光声光谱中出现的吸收峰;运用尺寸效应解释了光学吸收边蓝移的原因.     

Ag-SiO_2纳米复合颗粒的脉冲激光控制合成

分别以质量分数为0%,3%,20%微米尺寸的SiO2粉末与微米尺寸的Ag粉末形成混合靶材,利用脉冲激光气相蒸发-液相收集控制合成Ag及Ag-SiO2纳米复合颗粒.采用透射电镜、X光衍射、红外光谱等分析技术,对制备样品的形貌、组织结构及其合成机理等进行了研究.结果表明,制备的Ag-SiO2纳米复合颗粒外观呈球形,主要粒径在15~25 nm范围,Ag-SiO2纳米复合颗粒具有比单相Ag颗粒更好的分散性;Ag-SiO2纳米复合颗粒呈混合复合结构,随着SiO2含量的增加纳米复合颗粒的光谱吸收峰出现了蓝移现象,SiO2复合具有调节纳米Ag颗粒光学性能的功能;液相中的乙二醇起到了原位分散纳米复合颗粒的作用.     

硅烷对纳米硅薄膜微结构和光学性能的影响

通过改变反应气体中硅烷体积分数,采用直流偏压辅助等离子体化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积本征氢化纳米硅薄膜.使用拉曼光谱仪、原子力学显微镜和紫外可见光透射仪对薄膜进行测试,研究不同硅烷体积分数对薄膜微结构和光学性能的影响.结果表明:当硅烷体积分数增加,晶粒尺寸增加,而晶态含量却随之下降.晶态含量的降低,使拉曼光谱中谱峰的强度降低,峰位发生蓝移,薄膜有序性随之降低;而且薄膜的光学禁带宽度随硅烷体积分数的增加而增加.当硅烷体积分数为1.3%时,沉积本征氢化纳米硅薄膜,薄膜中晶粒分布均匀,其生长存在取向性.此时晶态含量约为50%,晶粒尺寸约为2.6 nm;薄膜具有较大的光学禁带宽度,为1.702 eV,以及较高的电导率.     

nc-Si/SiO2复合膜的非线性光学性质

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx∶H(0相似文献   

银纳米粒子/玻璃复合材料的离子交换和溶剂热法制备及其光学性质的研究（英文）

利用离子交换技术结合溶剂热还原法在玻璃中及其表面生长Ag纳米颗粒制备了银纳米粒子-玻璃复合材料.通过扫描电镜、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对样品的形貌和光学性质进行了表征,并研究了离子交换及还原条件对复合材料性能的影响.结果表明:随交换温度、还原时间或还原温度的增大,银纳米粒子-玻璃复合材料的吸收峰均蓝移;而随交换时间的延长,吸收峰先是红移再发生少量蓝移.在波长为400 nm的激发光下,银纳米粒子-玻璃复合材料在530 nm附近具有一个较宽的发射带,且其发光强度随交换时间、还原时间或还原温度的增大逐渐降低.     

<Emphasis Type="Italic">In-situ</Emphasis> growth and spectrum characterization of ZnSe nanocrystals in silica gel-glasses

ZnSe nanocrystals were in-situ grown in silica gel-glasses by using sol-gel process and the reductive thermal treatment. The transparent, homogeneous ZnSe/SiO2 nanocomposites with the yellow color were first obtained. We used X-ray diffraction pattern (XRD), UV-VIS optical absorption and Raman scattering to characterize the spectrum properties of ZnSe nanocrystals. The broadening of XRD peaks, the blueshift of interband optical absorption edge and the change of Raman spectrum were observed. From these experimental results, we theoretically calculated the size of ZnSe nanocrystals. The results of XRD, optical absorption and Raman spectra were approximately consistent, with the mean diameter of about 4.6 nm. The discrepancies from different methods were discussed.     

石墨烯/ZnSe纳米复合物的制备及电化学发光性质

将还原的氧化石墨烯加入合成的ZnSe纳米粒子溶液中,在超声作用下形成石墨烯/ZnSe纳米复合物.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析测试手段对所得产物的形貌、晶型进行了表征,测试了所得产物的紫外吸收光谱和电化学发光行为,研究了影响复合物电化学发光性质的因素,探讨了复合物分析应用的可行性.     

Synthesis of Water-Dispersed Thioglycolic Acid-Capped ZnSe Quantum Dots in Aqueous Media

Water-dispersible ZnSe quantum dots (ZnSe QDs) were prepared in aqueous media and characterized by ultraviolet-visible absorption, fluorescence emission spectroscopy, X-ray powder diffraction, transmission electron microscopy, energydispersive spectroscopy, and inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy. The influences of various experimental variables on the photoluminescence properties of ZnSe QDs were investigated. The results showed that the average diameter of these nanocrystals was 4 nm with narrow size distribution. The optimized conditions were as follows: pH value of 9.5, Zn/NaHSe molar ratio of 10:1, Zn/TGA molar ratio of 1:3, heating time of 1 h, and irradiation time of 19 h. Under optimized conditions, the photoluminescence quantum yield of ZnSe QDs in aqueous solution reached 20%.     

Fe3O4/聚苯乙烯磁性纳米复合材料的制备和性能研究

采用环己烷为油相,油酸钾和正丁醇分别为表面活性剂和助表面活性剂,并以过硫酸铵为引发剂,通过微乳液方法成功地制备了Fe3O4/PS磁性纳米复合材料.X射线粉末衍射和红外光谱分析证实了Fe3O4/PS磁性纳米复合材料的形成.产物的光学性能研究显示,和纯的PS相比,复合材料的紫外-可见吸收峰红移了约100nm,而荧光强度大大降低,并产生一个新的发光峰.同时,复合材料也具有较好的磁性能.     

硫代水杨酸修饰的CdSe/ZnS纳米晶的合成及应用研究

以硫代水杨酸作为修饰剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS纳米晶.合成最佳条件为:CdSe与包覆层ZnS摩尔比为1∶8,pH值为11.00、回流时间为45 min、回流温度为80℃.从透射电子显微镜看到该纳米晶外观是独特的树枝形;紫外吸收光谱和荧光光谱表明CdSe/ZnS纳米晶比单一的CdSe纳米晶具有更好的发光特性;荧光强度在3个月内变化不大.在最佳实验条件下,将合成的CdSe/ZnS与牛血清白蛋白(BSA)作用,测得体系相对荧光强度与BSA质量浓度呈线性关系,线性响应范围为2.56～15.0 mg/L,线性方程为ΔF=101.17C-11.29(C为BSA质量浓度,单位是mg/L),R=0.996 2,检出限为0.64 mg/L.     

输出耦合镜材料的吸收对激光光束影响的理论分析

在给出大功率激光器输出耦合镜基模和多模两种理论模型的基础上分析了材料吸收对激光器输出光束的影响。对于在通常使用参数下，ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ 材料输出耦合镜吸收对于激光束的影响及热透镜效应作了数值分析。     

干涉滤光片双稳器件的热光动力学分析

基于ZnSe全电介质干涉滤光片光双稳器件结构的模型,采用数值方法分析了介质层具有线性吸收与热光效应时,干涉滤光片受到纳秒量级脉宽的光脉冲作用后,其介质内部吸收层吸收光能引起的介质层的光学性质变化,导致滤光片透过率变化的动力学过程.其结果对提高器件的开关速度,降低阈值功率都具有积极意义.     

Aqueous phase synthesis and fluorescence properties of inverted core/shell ZnSe/CdSe nanocrystals

We report a facile aqueous phase synthesis for prepar-ing water-soluble inverted core/shell ZnSe/CdSe semiconductor nanocrystals. The samples were characterized by X-ray diffraction (XRD),transmission electron microscopy (TEM),and their optical properties were investigated by using UV-vis-NIR spectropho-tometer and fluorescence spectrophotometer. The results indicate that the synthesized ZnSe/CdSe nanocrystals are inverted core/shell structure with diameter of about 5 nm. Furthermore,their absorption band-edge is red-shifted with the growth of CdSe shell; correspondingly,their emission wavelength can be tuned from 460 nm to 604 nm.     

光外差速度调制分子离子激光光谱

通过求解分子离子在电场中速度分布，获得了小调制度近似下，速度调制分子离子光谱信号强度与调制度成正比、线型为Gauss线型的一次微分线型；理论分析了光外差频率调制光谱的线型亦为Gauss线型的一次微分线型，并分析了该两种光谱技术的优缺点．基于此，提出了光外差速度调制分子离子激光光谱技术，理论分析表明该技术测量获得的谱线线型为Gauss线型的二次微分线型，比纯速度调制测量灵敏度提高大约100倍．它不导致复杂的谱线线型，非常适合进行分子离子的振转光谱测量．