衬底对沉积类金刚石薄膜结构和摩擦学性能的影响

利用直流-射频等离子化学气相沉积技术在玻璃、硅和钢表面沉积得到了薄膜，并用拉曼光谱和原子力对薄膜的结构和形貌进行了表征，用静动摩擦实验机对薄膜的摩擦学性能进行了测试．结果表明：沉积在硅和钢表面的薄膜具有典型类金刚石薄膜的特征，而沉积在玻璃表面的薄膜呈现类聚合物结构的特征，且沉积在玻璃表面的薄膜具有比较粗糙的表面，而沉积在硅表面的薄膜则比较光滑致密．摩擦学实验表明，沉积在硅表面的薄膜具有良好的摩擦学性能．     

纳米硅薄膜太阳能电池的制备及特性研究

主要讲述了单晶体硅电池、多晶体硅电池、微晶硅电池及薄膜硅电池的性质及特点,同时介绍了硅太阳能电池的发展历程;讲述了纳米硅薄膜太阳能电池的等离子体增强化学气相沉积制备及沉积理论;论证了H稀释浓度对硅纳米薄膜太阳电池性能的影响;阐述了沉积气压和衬底温度对薄膜性能的影响;最后讲述了透明导电薄膜在薄膜太阳能电池中的应用情况及光学性质。     

多孔硅的电迁移

研究了多孔硅在甲苯中组成的悬浮体系的电迁移特性。电阻率为80～100Ωcm的n型(111)抛光片，氢氟酸溶液中电化学阳极刻蚀成多孔硅再经过超声振荡得到多孔硅，甲苯悬浮体系．以新抛光铝为负极，在外加电场作用下，多孔硅向p^ -Si、ITD导电璃、Pt、Al、Ag等正极迁移并沉积在这些正极表面构成多孔硅薄膜。考察了不同的电沉积参数，例如电场强度、沉积时间对多孔硅薄膜光致荧光强度的影响．采用UFV-vis光谱、XPS、SBM的方法对悬浮体系以及沉积膜进行了分析。     

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底，通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层．为了改善硅带衬底的质量，引入区熔再结晶的方法，期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高，进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量．借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征．结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善；表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优；在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上，但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高．     

纳米硅薄膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜，根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。     

孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响

用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.     

铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜的制备与形貌研究

由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅作为基底,采用浸渍镀膜技术成功制备了铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜的结构的影响.结果表明,在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点;同时,在溶液浓度保持不变的情况下,随着反应时间的的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.     

用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱

对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。     

纳米硅簿膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。     

腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响

考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%～80%),由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜),分析认为,薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。研究表明,提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移,同时保持高速沉积。     

无电化学沉积法合成铜纳米线

采用无电化学沉积法制备铜纳米线,与电化学沉积法不同,无电化学沉积法不需要在通孔模板的一面溅射一层导电金膜作为阴极,以及持续供给电力才能完成纳米线的合成.考察沉积时间、敏化液等因素对铜纳米线制备的影响.使用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)对样品其进行检测,结果表明,无电化学沉积法首先形成纳米粒子,随着沉积时间的延长,纳米粒子逐渐融合形成纳米管、纳米线.制备的铜纳米线为多晶态结构.在没有模板限制的情况下,铜原子自催化生长形成类似于花瓣的结构.用95%乙醇代替水配制的敏化液性质较稳定,但是,与以水配制的敏化液相比,在大约相同的沉积时间条件下较不易形成纳米线.     

化学镀法制备电磁屏蔽聚酯织物的研究

为开发具有电磁屏蔽作用的织物,采用化学镀法制备了具有电磁屏蔽性能的聚酯类化纤织物,并研究了化学处理方法——碱减量处理对涤纶织物表面化学镀层的性能及化学镀后织物的电磁屏蔽性能的影响。研究表明,在20g/LNaOH溶液中处理既可使纤维表面形成微观凹坑,增大比表面积,又可改非极性的疏水表面为亲水表面,提高表面活性,提高敏化和活化时金属离子和金属在纤维表面的吸附性,在化学镀过程中使基体与金属形成平整的结合。碱减量处理2～3h有利于提高镀层与织物结合牢度,并使镀层光亮均匀,电磁屏蔽性能更加优异。     

Synthesis of TiO2 supported on activated carbon by MOCVD： operation parameters study

The metallo-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique has been applied to the preparation of the photocatalyst titanium dioxide supported on activated carbon. The effects of various condition parameters such as carrier gas flow rate, source temperature and deposition temperature on the deposition rate were investigated. The maximum deposition rate of 8.2 mg/(g x h) was obtained under conditions of carrier gas flow rate of 400 ml/min, source temperature of 423 K and deposition temperature of 913 K. The deposition rate followed Arrhenius behavior at temperature of 753 K to 913 K, corresponding to activation energy E(a) of 51.09 kJ/mol. TiO(2) existed only in anatase phase when the deposition temperature was 773 K to 973 K. With increase of deposition temperature from 1073 K to 1273 K, the rutile content sharply increased from 7% to 70%. It was found that a deposition temperature of 773 K and a higher source temperature of 448 K resulted in finely dispersed TiO(2) particles, which were mainly in the range of 10-20 nm.     

多孔介质中蜡沉积规律的实验研究

多孔介质的本身及原油流动特征的复杂性,决定了研究含蜡原油在多孔介质中的蜡沉积规律的困难性。与地面管流状态下蜡沉积规律的实验方法不同,从满足油藏应用出发,结合油层物理理论,提出了等效毛细管的概念,利用天然岩心的油-油驱替实验结果,计算得到高含蜡原油在多孔介质中蜡沉积量、沉积速度等相关参数,实现了多孔介质中的蜡沉积规律的定量化表征。结果表明多孔介质中的蜡沉积量与岩心渗透率的降低比存在较好的线性关系,且随着原油注入PV数的增加,蜡的累计沉积量逐渐趋于稳定。而温度越低,蜡的沉积速度越快,对储层的伤害出现的时间越早,最终的损害程度也最大。     

Choice of control of sulfur and/or nitrogen deposition based on critical loads

In order to design more reasonable and effective acid deposition control policies,the critical load function (CLF) was established and a two-dimensional critical load function figure was drawn based on the steady-state mass balance (SMB) method.The figure could be divided into five different regions:critical load region (non-control region),S deposition control region,N deposition control region,S and N deposition selective control region and S and N deposition simultaneous control region.According to the r...     

Ni-Mo合金电沉积规律研究

应用恒电位沉积法和循环伏安法(CV)研究碱性柠檬酸盐溶液中Ni-Mo合金共沉积规律.恒电位沉积结果表明:MoO42-的加入可以降低Ni的沉积过电位,随电位负移Ni-Mo合金的沉积电流效率逐渐低于镀Ni溶液中Ni的沉积效率.循环伏安测试结果表明:随着Ni 2+的含量增加,Ni沉积的第一个还原峰电位和Ni-Mo合金的沉积峰电位均正移;随MoO42-的含量增加,Ni-Mo合金沉积峰电位负移.     

钢板/离子液体-Grignard混合溶液体系中电沉积镁的初探

用加有离子液体[Pip14][TFSI]的Grignard溶液(2mol/L BuMgCl/THF)在钢板上电沉积金属镁.通过循环伏安、计时电流曲线、SEM等方法比较了加入[Pip14][TFSI]前后,镁在钢上电沉积行为和镀层形貌的变化.在Grignard试剂中,采用恒电位法得到的镁镀层形貌较为致密均一;而[Pip14][TFSI]增大了镁的沉积电位,使金属镁的结晶向瞬时成核过程过渡,说明[Pip14][TFSI]对电沉积镁会产生显著影响.     

含蜡天然气孔板式节流阀内蜡沉积特性数值模拟

蜡沉积是含蜡天然气在集输和处理过程中常见的一种问题,会危害到天然气管输系统的高效、安全运行。为分析含蜡天然气在孔板式节流阀内的蜡沉积问题,基于离散相模型,通过自定义函数,建立蜡沉积数值模拟模型,分析传统孔板式节流阀的蜡沉积规律。研究结果表明：节流阀内蜡沉积主要受湍动能与涡流的影响,沉积位置主要出现在喉道出口处以及距喉道出口0.17 m左右的管壁处;管道内颗粒最大沉积量随压力的增加而增加,距喉道出口0.17 m左右的沉积宽度约为0.01 m,当压力增加1 MPa,该处沉积位置向管道出口处移动约0.005 m。其中,管道内最大沉积量与节流孔径呈负相关,与颗粒直径、喉道长度呈正相关。     

泥沙数学模型在围填海工程促淤效果预报中的适用性

以长江口为例,通过与已建典型围填海工程实际促淤效果的对比分析,以及对长江口近期围填海工程促淤效果预报的合理性分析,研究泥沙数学模型在围填海工程促淤效果预报中的适用性。分析结果表明,所建泥沙数学模型计算的平面淤积形态、断面淤积形态、促淤区淤积量均与实际情况吻合较好,在近期围填海工程中的促淤效果预报较合理,表明该泥沙数学模型适用于长江口围填海工程促淤效果预报。     

硫沉积对裂缝导流能力影响的实验研究

含硫气藏在生产过程中会出现单质硫的沉积,引起较大危害,而压裂技术作为气藏增产的主要措施,常由于受高含硫气藏开发中的硫沉积堵塞等原因导致酸蚀裂缝导流能力大幅降低而逐渐失去作用,为了能较好的反映硫沉积对裂缝导流能力的影响以及评价酸化措施对硫沉积后裂缝导流能力的改善效果,采用硫粉和人工造缝后的岩心,模拟硫颗粒沉积对酸蚀裂缝的堵塞,在此基础上酸蚀裂缝,测试裂缝的气测裂缝导流能力。研究表明,硫颗粒堵塞裂缝,导致裂缝导流能力严重降低,以15 MPa为例,裂缝导流能力降低17%~47%,而注入酸液能侵蚀岩石壁面,导流能力降低系数从2.79~3.23恢复到1.0左右,在一定程度上恢复裂缝的导流能力。