基于∑-△调制技术的信号发生器设计

提出了一种新的采用∑-△调制和无损离散积分振荡器来产生片内模拟信号的方法.研究了电路的实现原理和噪声传递函数零点优化设计方法,运用无乘法器的梯型滤波器结构和∑-△调制技术避免了多位高精度乘法运算和多位D/A数模转换器硬件成本高的缺点.除一个比较器外,整个电路全部由标准CMOS工艺来实现集成,硬件成本非常低,非常适用基于可测性混合集成电路的设计.通过一个6阶实例和仿真的结果表示:6阶的信号发生器具有120 dB衰减的动态带宽.     

基于Σ-Δ调制和DirectFET器件的D类功放设计

音频功率放大器是电子设备的重要组成部分,其输出功率、效率和非线性失真要求越来越高﹒为解决D类功放效率和失真之间的矛盾,引入Σ-Δ调制减小非线性失真,使用DirectFET开关管提高功放效率,并设计制作了一台D类功放机﹒文章对Σ-Δ调制原理进行了详细地阐述,并设计了前置放大电路、调制电路、功率变换电路和滤波电路等,仿真结...     

基于FPGA的数字调制信号发生器设计

本文采用直接数字频率合成技术(DDS),根据通信系统中数字调制方式的理论基础,利用FPCA的DSP开发工具DSP Builder对基本DDS建模,并由该DDS模块实现数字调制信号2ASK、2FSK、2PSK,同时用ModelSim和QuartusⅡ进行功能仿真和时序仿真,仿真结果表明设计方法的正确性和实用性.     

用于中频治疗仪的调制信号发生器的设计

该文应用单片机控制技术及D/A转换器的特性,实现了中频治疗仪的低频调制信号发生器,可以使中频治疗仪产生低频调制任意调幅波形输出,由于不同波形对人体穴位的作用效果不同,因此具有很高的研究与使用价值.     

基于DDS技术的正弦信号发生器设计

采用DDS芯片AD9851,产生1 kHz~10 mHz范围、频率步进100 Hz可调、输出峰峰值在6 V的正弦波基本信号.以AVR单片机Atmega16为控制核心,结合FPGA辅助逻辑控制电路(产生1 kHz的正弦调制信号和二进制基带序列信号),对实现的正弦波基本信号进行幅度、频率、相位调制和调制度及频偏的程序控制.该设计具有频带宽、精度高、性能稳定、成本低和操作界面友好等特点.可作为教具和科研用仪器.     

基于Σ-Δ和虚拟仪器技术的微弱信号高精度检测

简述了精确紫外辐射定标中微弱信号检测系统的设计,介绍了影响系统稳定性的因素及其解决方法,着重讨论了微弱信号检测系统中硬件的实现.采用Σ-Δ技术和虚拟仪器技术[1],为解决紫外辐射定标中微弱信号的检测提供了一种有效的方法.     

基于正弦信号调制的灵巧干扰技术

线性调频雷达在接收信号时采用脉冲压缩处理,使传统的压制式干扰在进入雷达接收机时无法获得脉冲压缩增益,从而造成干扰效果大幅下降。针对这一问题,建立了时域卷积调制的灵巧干扰信号的数学模型,根据这一模型设计了基于非完全正弦函数卷积调制的灵巧干扰信号,来实现对线性调频信号的干扰,对这一干扰信号的干扰效果进行了仿真分析。仿真结果表明:这一干扰信号可以产生假目标群来实现对一定距离单元的遮盖性干扰,并能利用脉冲压缩时旁瓣的非线性叠加覆盖真实目标回波,解决了卷积干扰信号滞后于真实目标回波的缺陷。     

用于射频接收机的三阶多级Σ-Δ调制小数分频频率合成器的实现

基于TSMC 0.18 μm工艺实现了一款适用于射频收发机的全集成小数分频频率合成器. 设计中采用了三阶MASH结构Σ-Δ调制器以消除小数杂散,为节省芯片面积使用了环形振荡器,同时在电路设计中充分考虑了各种非理想因素以提高频谱纯净度和降低芯片功耗. 仿真结果表明,该频率合成器可以在900 MHz～1.4 GHz的频率范围内产生间隔为25 kHz的输出信号. 在1.2 GHz输出时,偏离载波频率1 MHz处的相位噪声可以达到-106 dBc/Hz, 锁定时间小于10 μs.      

基于极性发射机的两点调制锁相环的设计

采用0． 11μm 1P6M CMOS 工艺设计与研究了一款适用于蓝牙极性调制发射机 的两点调制锁相环． 为了校正锁相环中两个相位调制路径的环路增益,降低采用该锁相环 的发射机的频移键控误差,提出了一种新型的增益校正方法,并基于该方法设计了低相位 噪声、低锁定时间的两点调制锁相环电路． 芯片的测试结果表明,当压控振荡器震荡在 4． 8GHz时,该锁相环在偏离 4． 8 GHz 10 kHz、 1 MHz 和 3 MHz 时的相位噪声依次为 － 83、 －108和 －114dBc/Hz,采用该锁相环的极性调制发射机发射 0 dBm 信号时频移键控误差 为2． 97%,该锁相环的芯片面积为0． 32mm2,整体性能满足蓝牙射频芯片测试规范要求．     

基于FPGA的信号产生与调制设计

基于FPAG技术,对采样获得的ROM数据,通过功能模块对其进行选择乘法处理,并经DAC芯片加以转换。实现了信号的产生与调制（2ASK,2PSK,2FSK）。经过系统仿真、Sig—nalTapⅡ分析以及在示波器上的观察显示,信号稳定可靠,高频谐波少。整个系统结构紧凑,实现灵活方便,可扩展性强。     

梯形有机锡配合物的设计、合成及晶体结构研究

本文合成了新的配体5-（（4-氟苄基）氨基）-2,3,4噻二唑-2-硫酮（L1）与二烃基锡化合物,并对它们进行了系统研究,得到了一种梯形的有机锡水解产物.从晶体结构上看,这些有机锡衍生物中含有两种锡原子的配位环境,配体发生了构型转换,配体杂环上的氮原子与锡发生了配位作用.     

十核环状有机锡氧梯形化合物{[(ArCH2)2Sn(O)]5(O2N)}2的合成和{[(p-ClC6H4CH2)2Sn(O)]5(O2N)}2的晶体结构

目的研究烃基锡氧化合物的结构。方法通过（ArCH2）2SnCl2在硝酸银存在下发生水解反应进行合成，通过元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱对其结构进行表征。结果合成了4个新型十核环状有机锡氧梯形化合物{[（ArCH2）2Sn（O）]5（O2N）}2[Ar=P-ClC6H4（1），p-FC6H4（2），o-ClC6H4（3），o-FC6H4（4）]，用X-射线单晶衍射测定了化合物{[（p-ClC6H4CH2）2Sn（O）]5（O2N）}2（1）的晶体结构。结论在此化合物中所有锡原子呈五配位畸变三角双锥构型。     

无源RC电流滤波器综合与设计

本文从二端口网络的导纳矩阵出发,把实现电流转换函数的问题转化成实现策动点导纳函数Ｙ１１的问题,适当选择Ｙ１１零点和极点,可以设计出ＲＣ梯形结构的无源电流滤波器,这种电流模式滤波器与电压模式滤波器在电路结构上具有一致性。     

一个奇特的配位高分子——三腿梯子｛Zn3(Ac)4(4，4′-bpy)3［N(CN)2］2}n的合成和结构

合成了配位高分子{Zn3(Ac)4(4,4′-bpy)32}n,并用X射线衍射表征了其结构,结构包含一个独特的三腿梯子。晶体参数：单斜,空间群C2/c,a=21.603 4(13),b=11.456 6(7),c=17.798 2(12) ,β=104.245(4)°,V=4 269.6(5) 3,Z＝4,Dc=1.607 Mg/m3,μ=1.741 cm-1,R1=0.050 6,wR2＝0.087 7。Zn(Ⅱ)原子位于梯子扶手和横栏的交点,两侧的Zn(1)原子具有三角双锥配位环境位,中间的Zn(2)原子呈八面体配位环境。     

梯形锡氧簇合物[二氯双(μ-乙氧基)双(μ3-氧)八苯基四锡(IV)]的合成及晶体结构

本文报告一种新的梯形锡氧簇合物[二氯双μ-乙氧基）双（μ3-氧）八苯基四锡（Ⅳ）]的合成及晶体结构特征。晶体分析结果表明：标题化合物分子式为C52H50Cl2O4Sn4,属于单斜晶系,P21/n空间群,具有平面中心对称的Sn4O4梯形结构。分子中所有锡原子都为五配位的变形三角双锥构型。分子间靠较弱的C—H…π作用力和范德华作用力相互聚集在一起。     

梯形Frustrated伊辛模型的低温热力学性质

导出了梯形Ｆｒｕｔｒａｔｅｄ伊辛模型配分函数的叠代公式,研究了三种模型的低温热力学性质,发现当温度趋于零时,其热力学函数在某些参数值发生尖锐的变化,详细分析了三种模型在不同参数范围内的基态构形,解释了这些系统的热力学性质出现奇异性的原因。     

基于步进指令的三菱PLC模块化程序设计

依据步进指令的执行特性,设计程序结构使逻辑控制模块、分散和集中控制模块、回零模块、数据处理模块等组成用户程序,实现PLC程序分模控制的梯形图编程。设计出三菱FX2N机控制程序验证程序结构。包括手动、自动、数据处理等多种功能模块,在GX Works2编程环境调试通过,模块切换运行可靠,证明该程序结构的有效性。     

微波固体VCO的研究

本文研究由同轴介质（介电常数εｒ＞８０）填充均匀阻抗谐振胶制成的微波固体ＶＣＯ，其频率稳定度高达３×１０（－５），频谱纯度好，Ｓ／Ｎ＞７０ｄＢ。     

35GHz高线性VCO的研制

讨论了毫米波ＶＣＯ电调特性的开环线性校正原理，采用模拟断点式线性校正器对３５ＧＨｚ ＶＣＯ电调特性进行了开环线性校正。实验结果表明，该３５ＧＨｚ高线性ＶＣＯ在１２０ＭＨｚ电调带宽内电调非线性度小于１％，输出功率大于６０ｍＷ，频谱质量良好，满足系统指标。     

高频0～π调相器的系统研制

本文概述了70MHz的0～π调相器的原理和应用,重点介绍了构成0～π调相器的系统设计和部分电路计算以及调试方法等。实践表明,在中心频率为70MHz的系统中,在带宽为40MHz的频带内,在频谱特性对称和不对称的情况下,分别获得系统载波抑制比大于30dB和60dB,负载输出电压峰-峰值为3V。